单兵自动武器火控系统解命中问题建模与仿真

为研究单兵自动武器火控系统的工作特性,在分析其组成和功能基础上,建立了包括机动目标模型、非机动目标模型、刚体外弹道模型和解命中问题模型在内的火控系统数学模型.通过编程实现了火控外弹道及解命中问题的仿真,得到了火控外弹道特殊点射击诸元值以及火控外弹道特性.通过对不同射程情况下非机动目标解命中问题的实例模拟,获得了不同射程条件下的射角与弹丸飞行时间等关键值.计算结果表明,该模型是可靠的,为进一步研究武器作战威力及战场作战可靠性与经济性提供了参考.     

一种电子系统认证芯片的电源规划

为了对所开发的电子产品进行保护,采用ASIC的方法设计基于硬加密技术的电子系统认证芯片。在后端物理设计中,为了使最终的芯片实现面积优化且满足功耗、时序等要求,采用预设计的方法对芯片进行功耗预估与布线拥塞分析。根据分析结果提高了芯片利用率,并针对预设计中存在的电压降（IR Drop）违规进行了详细的电源规划．包括全局电源网络的连接、电源环和电源条的设计．最终满足了功耗要求,实现了时序收敛以及面积优化。     

新型高压脉冲体声波延迟线的设计

该文通过对换能器和延迟介质的优化设计,实现了一种新型高压脉冲体声波延迟线的研制。相比传统的声波延迟线,设计的延迟线具有高脉冲耐压性能,耐压高达2 kV;同时,其延迟线插损小,输出功率较大（瞬态可达2 W）,可充当新型无源功率MOS管驱动器,无需额外能量供给。试验表明设计的延迟线在大电流放电干扰情况下具有高延迟稳定性。     

电容式传感器测量电路设计

为适应多种电容式传感器的测量需求,设计一种基于单片机的电容测量电路,采用电容充放电方法,以高速单片机精确计时充电时间,根据电路参数计算电容容值.电路应用灵活,可根据电容大小调整电路参数,测量范围较大.     

时域下初始状态转换为激励

在信号与系统教科书中一般认为,复变换域中利用单边z变换或单边拉氏变换可以求解系统的零输入响应和零状态响应,而时域中的卷积运算只能求零状态响应。这是不全面的。本文通过在时域下将系统初始状态转换为激励信号,从而使得利用卷积运算不仅能够计算零状态响应而且可以求解完全响应和零输入响应。它使得时域分析更全面,丰富了时域分析的内容。也使得学生更好的理解时域分析的核心是卷积运算。     

TEA CO2激光器11μm波段谱线特性研究

采用双光栅谐振腔和增长放电增益区的方法,进行了TEA CO2 激光器11μm波段谱线输出特性研究。在混合气体的比例为CO2 ∶N2 ∶He = 70∶90∶270和总压430 ×133. 3Pa情况下,获得数条谱线的激光输出。着重研究了波长为11013nm 的激光谱线的输出特性,其脉宽为400ns左右,且脉宽随电压变化。谱线能量随光栅中心的位移而变化,当光栅中心在放电区中心轴线上时有最大的能量输出。光斑能量分布接近低阶模或基模分布。     

基于梯度离散度和互信息准则的残缺指纹方向场重建融合算法

针对残缺指纹中方向场的重构,本文提出了一种利用全局方向信息和局部梯度信息的基于互信息准则的方向场融合算法此算法根据局部梯度信息的竞争性、结合全局方向信息的互补性、冗余性,首先根据局部指纹梯度信息定义离散度,自适应的融合梯度信息,其次运用互信息准则结合指纹全局信息,对残缺部分的方向进行重估和修正根据融合结果,进行后期指纹...     

应用于经颅磁刺激的双8字线圈设计与优化

为了改善经颅磁刺激线圈的聚焦性,提高线圈刺激深度,在传统8字形线圈结构的基础上探讨了应用于经颅磁刺激的双8字线圈,优化了线圈内径和匝数比,与头部模型联合仿真分析了刺激效果,并进行了实验研究。研究结果表明,当上、下层线圈内半径比为5/7,匝数比为0.9时,与传统线圈相比,双八字线圈的半幂值提高了20.9%,目标平面内场极值提高了57.8%,双八字线圈在聚焦性及刺激强度方面优势明显。     

DF-OFDM多中继系统中的子载波匹配

DF-OFDM技术必将成为现代无线通信的核心技术,但合理的资源分配仍然是必须要解决的问题之一.在移动通信系统抗信道衰落和提高信道容量方面,协作通信是一种很好的解决方案.针对改进型的多中继DF-OFDM系统中子载波匹配的问题,应用了固定子载波匹配和自适应子载波匹配两种方法,后者是以匈牙利算法为基础的.通过仿真比较了这两种方法对系统信道容量性能的影响,结果表明自适应子载波匹配方法更能有效提高信道容量.     

印制电路板埋入平面薄层电阻研究

近年来高速、高性能电子产品骤增,对应高密度的同时,还要对应高频、高速传输,因此,电路板的表面封装需要转换到埋置元件PCB上来。不受寄生元件或者噪音影响,而又能高速地传输大容量的信号的关键影响因素在于电阻。文章以Ohmega公司生产的NI—P薄层电阻材料作为研究对象,通过实验发现在整个制作过程中,酸性蚀刻、碱性蚀刻、棕化、硫酸铜缸蚀刻对电阻精度均有一定的影响,其中酸性蚀刻和碱性蚀刻在整个加工过程中影响最大。通过对以上加工过程中的参数进行控制研究,得到精度较高的电阻阻值,为印制电路板埋入电阻阻值的控制提供了参考。