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41.
报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的A1N介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8 GHz、55 V的工作电压下,研制的1 mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4 W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56 dB和39.2%. 相似文献
42.
无线广播电视发射台作为国家重要的基础设施和宣传播出机构,与人民群众的政治、经济、文化、娱乐生活息息相关,是构建和谐社会的重要基石。发射台实时性能监测系统的建设是实现发射台安全播出、提高管理效率的重要环节,是确保广播电视无线覆盖效果的重要手段,是发射台技术发展和进步的必然趋势。 相似文献
43.
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件.微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路(MMIC)两种结构形式,功率MMIC尽管其研制成本相对较高,但功率MMIC可实现宽带匹配,同时功率MMIC的体积较内匹配功率管小得多,是满足诸如X波段TlR组件应用不可或缺的结构形式.功率MMIC的结构形式主要有微带和共面波导(CPW)两种,相比于CPW结构,微带结构的MMIC芯片面积更小,特别是对于大栅宽器件,微带结构的通孔接地更有利于寄生参量的减小,有利于提高MMIC的性能,因此微带结构也是应用更为广泛的MMIC结构形式. 相似文献
44.
高速模数转换器AD9283在中频数字接收机中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
AD9283是AD公司生产的8 bit高速A/D,输入带宽达475 MHz,最高抽样速率为100 MS/s.高性能、低功耗等使其应用于小信号模数转换.为了将其应用于S波段遥测中频数字接收机中,研究了AD9283工作原理和典型应用.介绍了AD9283的主要特点及典型应用电路,给出了其应用,其中A/D采样基于带通采样定理,这样就降低了后级信号处理难度,介绍了基于史密斯圆图法的A/D输入阻抗匹配电路设计,并给出了几个中频频点的匹配参数,最后指出了AD9283在实际应用过程中应注意问题. 相似文献
45.
微波加热含碳铁矿粉还原矿相结构研究 总被引:10,自引:1,他引:10
微波加热含碳铁矿粉还原矿相结构分为金属铁、浮氏体和渣相结构。矿粉颗粒围绕煤粉颗粒进行还原,形成星点状金属铁,进而形成环带状结构。由于矿-煤颗粒界面间还原出的金属铁厚度增大,使初始直接还原反应减弱,尚未还原的FeO核心依靠碳气化生成的CO和金属铁中碳的扩散继续还原,形成蠕虫状金属铁连晶结构。浮氏体对微波具有一定的吸收性,在微波场中自身热碎裂,可加速碳热还原。渣相含有变价铁元素,对微波有一定的吸收能力,有利于渣相中复杂铁氧化物的还原。 相似文献
46.
介绍了150kV高压交联聚乙烯绝缘电力电缆的设计制作过程,对导体、金属屏蔽进行了技术分析,并对试制过程中的关键工序进行了探讨。 相似文献
47.
相移数字散斑干涉术测量振动模态 总被引:3,自引:0,他引:3
数字散斑干涉技术是一种非接触,全场测试的光学测试方法。用数字散斑干涉术时间平均法测得的物体表面稳态振动,可描述为受高频分量调制的零阶Bessel函数。文章提供一种在数字散斑时间平均法测振中使用的相移方案,以消除条纹图中的背景分量,使条纹仅与振幅有关,阐述了此方案的原理,并给出实验的结构和结果。 相似文献
48.
Human errors of seven types of armored equipment, which occur during the course of field test, are statistically analyzed. The human error-to-armored equipment failure ratio is obtained. The causes of human errors are analyzed. The distribution law of human errors is acquired. The ratio of human errors and human reliability index are also calculated. 相似文献
49.
通过对CAN通讯系统需要分析,可确定CAN通讯系统的通讯周期、工作方式、码速率.其约束条件包括系统工作周期、通信协议约束、通信格式约定、多字节数据及位标记.分析各个数据的优先级与传输途径确定编码规则,制定CAN通讯协议,可建立高效可靠的CAN通讯系统. 相似文献
50.
在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致。所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。 相似文献