全文获取类型
收费全文 | 387259篇 |
免费 | 22686篇 |
国内免费 | 12041篇 |
专业分类
电工技术 | 17262篇 |
技术理论 | 31篇 |
综合类 | 17571篇 |
化学工业 | 60101篇 |
金属工艺 | 21567篇 |
机械仪表 | 21419篇 |
建筑科学 | 24827篇 |
矿业工程 | 9680篇 |
能源动力 | 10735篇 |
轻工业 | 22527篇 |
水利工程 | 5456篇 |
石油天然气 | 20852篇 |
武器工业 | 2250篇 |
无线电 | 46811篇 |
一般工业技术 | 54419篇 |
冶金工业 | 39834篇 |
原子能技术 | 4154篇 |
自动化技术 | 42490篇 |
出版年
2024年 | 1270篇 |
2023年 | 4878篇 |
2022年 | 8346篇 |
2021年 | 12088篇 |
2020年 | 8995篇 |
2019年 | 7867篇 |
2018年 | 9178篇 |
2017年 | 10208篇 |
2016年 | 9039篇 |
2015年 | 11989篇 |
2014年 | 15091篇 |
2013年 | 20727篇 |
2012年 | 20070篇 |
2011年 | 22849篇 |
2010年 | 19542篇 |
2009年 | 19296篇 |
2008年 | 19041篇 |
2007年 | 18838篇 |
2006年 | 19392篇 |
2005年 | 17296篇 |
2004年 | 12033篇 |
2003年 | 10753篇 |
2002年 | 9827篇 |
2001年 | 9289篇 |
2000年 | 9674篇 |
1999年 | 11421篇 |
1998年 | 16041篇 |
1997年 | 11817篇 |
1996年 | 10074篇 |
1995年 | 7569篇 |
1994年 | 6470篇 |
1993年 | 5305篇 |
1992年 | 3727篇 |
1991年 | 3164篇 |
1990年 | 2675篇 |
1989年 | 2228篇 |
1988年 | 1913篇 |
1987年 | 1371篇 |
1986年 | 1273篇 |
1985年 | 1175篇 |
1984年 | 980篇 |
1983年 | 815篇 |
1982年 | 828篇 |
1981年 | 765篇 |
1980年 | 635篇 |
1979年 | 500篇 |
1978年 | 416篇 |
1977年 | 533篇 |
1976年 | 959篇 |
1975年 | 299篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
72.
一类Feistel密码的线性分析 总被引:5,自引:0,他引:5
该文提出一种新的求取分组密码线性偏差上界的方法,特别适用于密钥线性作用的Feistel密码.该分析方法的思路是,首先对密码体制线性偏差进行严格的数学描述,分别给出密码线性偏差与轮函数F及S盒的线性偏差的数学关系;然后通过求取线性方程组最小重量解,确定密码线性偏差的上界. 相似文献
73.
五.牛奶厂的清洗。目前,牛奶厂采用的清洗方式主要是CIP清洗(Cleaning in place),原地清洗或称定置清洗,即在基本不拆卸或挪动机械装置和管线的情况下对生产过程中能与牛奶发生接触的设备表面进行的清洗。其冲刷、清洗、灭菌的整个过程全部实现了自动化因此大大降低了劳动强度。而有一些不 相似文献
74.
75.
分析了韩国、日本及国内运营商手机游戏业务的发展状况.探讨了手机游戏业务的模式.论述了该业务的战略定位和市场前景。从地区提供给移动通信市场对外部环境、产业链的准备是否充分以及运营商内部的资源和运营状况等三个方面阐明了手机游戏业务发展的关键因素。 相似文献
76.
77.
L. Sheeney‐Haj‐Ichia S. Pogorelova Y. Gofer I. Willner 《Advanced functional materials》2004,14(5):416-424
Three different configurations of Au‐nanoparticle/CdS‐nanoparticle arrays are organized on Au/quartz electrodes for enhanced photocurrent generation. In one configuration, Au‐nanoparticles are covalently linked to the electrode and the CdS‐nanoparticles are covalently linked to the bare Au‐nanoparticle assembly. The resulting photocurrent, φ = 7.5 %, is ca. 9‐fold higher than the photocurrent originating from a CdS‐nanoparticle layer that lacks the Au‐nanoparticles, φ = 0.8 %. The enhanced photocurrent in the Au/CdS nanoparticle array is attributed to effective charge separation of the electron–hole pair by the injection of conduction‐band electrons from the CdS‐ to the Au‐nanoparticles. Two other configurations involving electrostatically stabilized bipyridinium‐crosslinked Au/CdS or CdS/Au nanoparticle arrays were assembled on the Au/quartz crystal. The photocurrent quantum yields in the two systems are φ = 10 % and φ = 5 %, respectively. The photocurrents in control systems that include electrostatically bridged Au/CdS or CdS/Au nanoparticles by oligocationic units that lack electron‐acceptor units are substantially lower than the values observed in the analogous bipyridinium‐bridged systems. The enhanced photocurrents in the bipyridinium‐crosslinked systems is attributed to the stepwise electron transfer of conduction‐band electrons to the Au‐nanoparticles by the bipyridinium relay bridge, a process that stabilizes the electron–hole pair against recombination and leads to effective charge separation. 相似文献
78.
Yang C.W. Fang Y.K. Lin C.S. Tsair Y.S. Chen S.M. Wang W.D. Wang M.F. Cheng J.Y. Chen C.H. Yao L.G. Chen S.C. Liang M.S. 《Electronics letters》2003,39(21):1499-1501
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V. 相似文献
79.
张雅兵 《石油化工安全环保技术》2003,19(1):9-11
通过严格外来施工队伍和人员的安全管理,加强直接作业票证的管理,落实监护人职责,开展项目危险性分析,强化现场监督等手段,从而加强了检修现场的安全管理,保证系统停车检修的圆满完成。 相似文献
80.
Chou Y.C. Leung D. Lai R. Grundbacher R. Barsky M. Kan Q. Tsai R. Wojtowicz M. Eng D. Tran L. Block T. Liu P.H. Nishimoto M. Oki A. 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(6):378-380
The authors have investigated the reliability performance of G-band (183 GHz) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) amplifiers fabricated using 0.07-/spl mu/m T-gate InGaAs-InAlAs-InP HEMTs with pseudomorphic In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As channel on 3-in wafers. Life test was performed at two temperatures (T/sub 1/ = 200 /spl deg/C and T/sub 2/ = 215 /spl deg/C), and the amplifiers were stressed at V/sub ds/ of 1 V and I/sub ds/ of 250 mA/mm in a N/sub 2/ ambient. The activation energy is as high as 1.7 eV, achieving a projected median-time-to-failure (MTTF) /spl ap/ 2 /spl times/ 10/sup 6/ h at a junction temperature of 125 /spl deg/C. MTTF was determined by 2-temperature constant current stress using /spl Delta/G/sub mp/ = -20% as the failure criteria. The difference of reliability performance between 0.07-/spl mu/m InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs with pseudomorphic In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As channel and 0.1-/spl mu/m InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs with In/sub 0.6/Ga/sub 0.4/As channel is also discussed. The achieved high-reliability result demonstrates a robust 0.07-/spl mu/m pseudomorphic InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs production technology for G-band applications. 相似文献