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正压冲固基础海洋平台冰激振动动力响应 总被引:1,自引:0,他引:1
正压冲固基础海洋平台是一种新型平台桩基结构形式。采用三维有限元的数值分析方法,建立了正压冲固平台的三维有限元模型。基于冰激强迫振动理论提出动冰载荷的计算方法,根据海冰破碎长度和冰速确定冰载周期,冰强度限制的水平冰力作为冰力峰值,得到的动冰载荷用于正压冲固平台的动力响应分析,并依照规范计算了6倍桩径处刚性固定时的动力响应。三维有限元方法计算得到的动力响应大于6倍桩径刚性固定时的计算结果,结构安全性评估偏于安全。 相似文献
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A new integrated magnetic full wave DC/DC power converter that provides flexible transformer design by incorporating an independent output inductor winding is introduced. The transformer is implemented on a traditional three-leg magnetic core. The inductor winding can be separately designed to control the output current ripple. The cross-sectional area of the inductor core leg can be reduced dramatically. The operation and performance of the proposed circuit are verified on a 100 W prototype converter. 相似文献
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运动估计块匹配两级搜索算法 总被引:2,自引:0,他引:2
根据视频图像相邻块在空间上具有很大的相关性,吸收了矢量预测块匹配的核心思想,提出一种两级块匹配运动估计算法,在第一级中,首先根据矢量预测确定一个小区域,然后在此区域内进行快速搜索,如果在第一级中没有搜索到匹配块则进行第二级搜索,该算法可大大提高搜索速度. 相似文献
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钕铁硼在低音扬声器磁路中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍适用于低音扬声器的两种不同充磁方向磁体联合应用磁路。讨论了联合应用磁路所用钕铁硼磁体的压制成型、磁性能检验、装配和充磁。 相似文献
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对甲基丙烯酸三氟乙酰氧乙酯(TFAOEMA)的阴离子聚合及原予转移自由基聚合进行了研究。常用的阴离于引发剂如丁基锂、1,1-二苯基已基锂等很难引发TFAOEMA的阴离子聚合,而碱性较弱的引发剂如三乙基铝却容易引发,且产率较高。以氯化亚铜、五甲基二乙基三胺、溴代丙酸乙酯为引发体系的TFAOEMA的本体原子转移自由基聚合符合活性聚合特征。但在四氢呋喃为溶剂的原子转移自由基聚合中却存在活性中心失活现象。以末端含卤素的聚甲基丙烯酸甲酯为大分子引发剂,引发TFAOEMA的原子转移自由基聚合,得到了含氟双嵌段聚合物。 相似文献
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Lianshan Yan Yeh C. Yang G. Lin L. Chen Z. Shi Y.Q. Willner A.E. Yao X.S. 《Lightwave Technology, Journal of》2003,21(7):1676-1684
We demonstrate the first programmable group-delay module based on polarization switching. With a unique binary tuning mechanism, the device can generate any differential group delay value from -45 to +45 ps with a resolution of 1.40 ps, or any true-time-delay value from 0 to 45 ps with a resolution of 0.7 ps. The delay varying speeds for both applications are under 1 ms and can be as fast as 0.1 ms. We evaluate both the dynamic and static performances of the device while paying special attention to its dynamic figures of merit for polarization-mode dispersion emulation and compensation applications. Our experiment shows that the device exhibits a negligible transient-effect induced power penalty (<0.2 dB) in a 10-Gb/s nonreturn-to-zero system. 相似文献