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21.
川东地区长兴组缝洞型储层的识别   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文针对四川东部地区上二叠统长兴组(P_2~2)缝洞型储层的低孔、低渗及非均质性等特点,分析了影响这类储层识别的主要因素,提出了利用现有的地球物理测井手段定性识别储层的指标和定量综合识别储层的方法,这可望提高测试成功率。  相似文献   
22.
The effect of the atomic mobility on a film surface has been studied by using a three-dimensional atomistic thin-film deposition model which simulates three-dimensional thin-film images, surface profiles and cross-sectional area pictures. In addition, quantitative results of surface RMS roughness, average film thickness, atomic coordination number and its distribution, and solid fraction of the deposited thin films, were obtained from the simulations. When the film surface mobility increased from 0.3 to 3.0, RMS roughness decreased from 6.5 to 1.1, solid fraction increased from 0.27 to 0.56 and average film thickness decreased from 40 to 28, due to the reduction of the voids within the film. The full-width half magnitude of the atomic coordination distribution became narrower indicating the increased degree of crystallization. With increase in surface mobility crossing the boundary to 1.5, the film evolved from a porous or loose columnar structure with voids, to a densely packed fibrous grain structure which can be categorized by the zone structure models.  相似文献   
23.
24.
本文实验研究了BHP的浓度对产生O2(1△)的影响。实验结果表明:当BHP浓度大于3.5M时,Cl2利用率以及O2(1△)的产率将不依赖于BHP浓度的变化而变化,同时,实验结果表明,使用低浓度的BHP对COIL的操作是可行的。  相似文献   
25.
通过几个典型事例的分析、判断和处理,介绍了该厂怎样利用91l型数采器对2D12—100/8型空压机运行状态进行监测,以预报早期故障,为设备检修提供指导.  相似文献   
26.
本文介绍利用LotusNotes软件平台的电子邮件、复合文档数据库、工作流和完全的Client/Server技术 ,建立一个以开放、先进的Intranet/web及消息传递和工作流管理技术为核心的新一代全方位网络办公自动化系统。  相似文献   
27.
我国建筑涂料技术进步简评   总被引:1,自引:1,他引:0  
从以下诸方面简述我国建筑涂料的技术进步:⑴新品种涂料的研制开发;⑵加强对配套材料及施工技术的研究;⑶超细填料在涂料中的应用;⑷计算机自动配色技术;⑸产品标准的修订;⑹建筑涂料的实用范围扩大。  相似文献   
28.
转移法色交换   总被引:1,自引:0,他引:1  
将图G的着色由一种变为中一种,通常用Kempe法以交换。但是,对于某些情况,用此法无效。针对这个问题,本文提出了一种转移法色交换,它适用于平面图着色,方法直观,清晰且有效。  相似文献   
29.
研究了具有低表面能的氟聚合物聚四氟乙烯(PTFE),经60Coγ射线辐照后表面状态的变化,以及其对液体介质蒸馏水的润湿性。较详细地论述了辐照后表面粗糙度、结晶度以及表面化学基因等不同因素对PTFE表面润湿性的影响。通过对PTFE及其表面的红外、X光衍射,表面粗糙度的分析,弄清了辐照后PTFE表面化学基团的改变对有机氟聚合物表加的润湿性影响很大,而粗糙度和结晶度的变化对润湿性影响较小。  相似文献   
30.
An analytical expression for both band-to-band and band-trap-band indirect tunnelings is used to study the gate-induced drain leakage (GIDL) current of MOSFETs measured before and after hot-carrier stress. The voltage and temperature dependence of GIDL are characterized. Both results show that interface traps situated near the midgap participate in the conduction of GIDL, and band-trap-band indirect tunneling could be the major mechanism. This is further supported by the fact that the percentage increase in GIDL induced by hot-carrier stress is about the same as the corresponding increase in interface-trap density. On the other hand, under low-field conditions, trap-assisted Poole–Frenkle emission dominates over tunneling for temperatures even well below room temperature.  相似文献   
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