首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   79433篇
  免费   8330篇
  国内免费   4166篇
电工技术   5285篇
技术理论   7篇
综合类   5894篇
化学工业   12990篇
金属工艺   4698篇
机械仪表   4993篇
建筑科学   5892篇
矿业工程   2471篇
能源动力   2422篇
轻工业   6320篇
水利工程   1511篇
石油天然气   4266篇
武器工业   921篇
无线电   9313篇
一般工业技术   9539篇
冶金工业   3333篇
原子能技术   1191篇
自动化技术   10883篇
  2024年   477篇
  2023年   1624篇
  2022年   3039篇
  2021年   4200篇
  2020年   3059篇
  2019年   2470篇
  2018年   2680篇
  2017年   3005篇
  2016年   2630篇
  2015年   3689篇
  2014年   4474篇
  2013年   5227篇
  2012年   5674篇
  2011年   6010篇
  2010年   5195篇
  2009年   4938篇
  2008年   4763篇
  2007年   4341篇
  2006年   4013篇
  2005年   3432篇
  2004年   2404篇
  2003年   2035篇
  2002年   2075篇
  2001年   1803篇
  2000年   1528篇
  1999年   1396篇
  1998年   1090篇
  1997年   922篇
  1996年   850篇
  1995年   649篇
  1994年   549篇
  1993年   372篇
  1992年   285篇
  1991年   225篇
  1990年   185篇
  1989年   151篇
  1988年   119篇
  1987年   68篇
  1986年   75篇
  1985年   37篇
  1984年   31篇
  1983年   29篇
  1982年   27篇
  1981年   17篇
  1980年   19篇
  1979年   12篇
  1976年   6篇
  1970年   2篇
  1959年   9篇
  1951年   11篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
低阻VDMOSFET的优化设计与制造   总被引:1,自引:1,他引:0  
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。  相似文献   
62.
甲磺酸铜催化合成草酸二异戊酯   总被引:2,自引:2,他引:0  
制备了甲磺酸铜催化剂,对其结构进行了IR和热重分析,并用于催化草酸和异戊醇的酯化反应。结果表明,甲磺酸铜具有催化活性高、稳定,易分离,重复使用性能优良,对环境友好的特点。最佳酯化工艺条件为:n(异戊醇):n(草酸)=2.8:1,w(甲磺酸铜)=0.3%,以过量的异戊醇为带水剂,回流反应2.0 h,酯化率可达到96.8%。  相似文献   
63.
1 Introduction Propylene as an important feedstock for organic chemicals is mainly originated from steam cracking and catalytic cracking processes. During the FCC process the propylene content varies with the FCC catalyst and process technology adopted, resulting in significant difference in propylene concentration in the cracked product——LPG. The conventional FCC pro- cess generally gives a propylene yield of around 4%, while the FCC process with maximization of propylene yield can in…  相似文献   
64.
在充分调研阵列声波测井分波提取方法的基础上,针对阿特拉斯公司的交叉多极子阵列声波测井(XMACⅡ)提供的单极波形信息,研究纵波时差提取及高分辨率处理方法。首先利用相关-互功谱法高精度地提取纵波时差,然后针对XMACⅡ仪器的接收阵列,研究组合子阵列的方法,形成共发射子阵列和共接收子阵列,最后利用子阵列对提取的纵波时差做高分辨率处理。处理现场实际测井资料,并将高分辨率处理成果与引进的eXpress软件处理成果、实测的国产高分辨率声波(纵波)测井曲线及岩心纵波时差对比分析,表明该方法提取的纵波时差曲线的纵向分辨率有很大提高,时差计算准确可靠,提取的单极纵波时差与国产高分辨率声波时差及岩心纵波时差的平均相对误差均小于7%。该方法具有较高的实用价值和广阔的应用前景。  相似文献   
65.
廊固凹陷大兴断层对油气分布的控制研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
廊固凹陷断裂系统复杂,其中大兴断层是中西部的控盆边界断层,它通过对凹陷的构造样式、沉积特征的控制进而影响整个凹陷的油气分布。从区域构造背景和盆地的沉积演化角度,按不同段落断裂展布的方向、产状的陡缓、对沉积的控制作用以及不同层段物质组份的差异,将大兴断层划分为4段:北段、中北段、中南段和南段,各段又可进一步分为上下不同的两段。各段断层的结构、形态、伴生构造、活动时间等都存在较明显差异,通过控制物源而控制沉积相的展布、储层物性和生储盖组合。相应的伴生构造和沉积物发育特征导致构造、构造-岩性组合控制了油气的分布:北段下段、中北段下段近湖一侧是廊固凹陷中西部有利的油气聚集带;中北段上段发育的生物气藏具有一定的勘探前景。  相似文献   
66.
四川盆地及邻区上二叠统一下三叠统海槽的深水沉积特征   总被引:10,自引:0,他引:10  
四川盆地及邻区广元-旺苍、城口-鄂西、开江-梁平海槽是上二叠统一下三叠统飞仙关组(P3-T1f)的深水碳酸盐沉积区。该区上二叠统上部大隆组是硅质岩、硅质泥岩、硅质灰岩组合,含放射虫、有孔虫等化石,厚125—29.0m,为海槽裂陷期凝缩沉积。三叠系飞仙关组下部为远洋沉积的暗色泥岩、微晶碎屑灰岩和重力流沉积的浊积岩、角砾灰岩组成的深水碳酸盐沉积,厚50.0~300.0m,是裂陷期后的海槽充填沉积。海槽相区沉积在晚二叠统世末达到最大海泛面沉积了大隆组。海平面缓慢下降期沉积了补偿充填性质的飞仙关组深水碳酸盐岩。海槽相区上二叠统一下三叠统飞仙关组构成了一个完整的三级层序。深水沉积物的有机碳平均值高达6.21%,是良好的烃源岩。但在海槽相区上二叠统不发育生物礁,飞仙关组缺乏鲕粒岩。  相似文献   
67.
几何变奏曲     
准确把握物体的轮廓,最正确的方法是先用几何构图定形,这是对复杂形体的简化和概括。本案的设计初衷就是想借几何形的纯粹和洗练来打造空间。  相似文献   
68.
表面贴装工艺流程的关键工序之一就是焊膏印刷,其工艺控制的好坏直接影响着装配的线路板的质量。通过对印刷工艺参数的分析,利用试验设计的方法来找出关键工艺参数,并加以优化设定,从而为控制工序参数奠定基础。  相似文献   
69.
文章提出了一种面向XML文档的基于XMLschema并结合RDF的访问控制模型,它实现了对XML文档的细粒度的安全访问控制,同时提供了对XML文档中associationsecurityobject的安全访问控制。  相似文献   
70.
A new excimer laser annealing (ELA) process that uses a floating amorphous-Silicon (a-Si) thin film with a multichannel structure is proposed for high-performance poly-Si thin-film transistors (TFTs). The proposed ELA method produces two-dimensional (2-D) grain growth, which can result in a high-quality grain structure. The dual-gate structure was employed to eliminate the grain boundaries perpendicular to the current flow in the channel. A multichannel structure was adapted in order to arrange the grain boundary to be parallel to the current flow. The proposed poly-Si TFT exhibits high-performance electrical characteristics, which are a high mobility of 504 cm/sup 2//Vsec and a low subthreshold slope of 0.337 V/dec.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号