并行哈夫曼编码器的硬件设计与实现

文章设计了一种并行编码的哈夫曼硬件编码器，它采用了流水线和并行编码方法，使得在一个时钟周期内可以编码一个字节的数据，在编码时显著降低了工作频率。文章给出了关键部分的实现方案并分析了实验结果。     

栲胶法变换气脱硫工艺

介绍了栲胶法脱硫的原理，工艺流程及规整填料在脱硫塔中的应用。     

可靠性试验样本量和截尾时间的计算

可靠性寿命试验中，一般都因受到费用和时间的限制，因此要用截尾试验获得信息，再据此对其可靠性进行统计推断，用非参数估计的方法探讨了进行可靠性试验的样本量或截尾时间的估计方法。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

无掩模激光干涉光刻技术研究

介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。     

激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

基于POSC的测井曲线数据存储管理系统

在基于POSC标准的基础上，分析了POSC EPICENTER数据模型，对油田中普遍使用的LS716测井大块数据在磁盘和远程自动磁带库之间实现了一体化的数据管理，开发了数据加载，数据删除，头信息浏览线回施行能模块。该系统特点是，管理信息加载到POSC数据仓中，而真正的数据体以外部数据文件的形式存放，使得大块数据的加载和提取速度大大提高，同时，在数据仓库和远程带库之间实现了一体化的数据管理。     

焊接领域中 AutoCAD的二次开发

应用AutoCAD已有的二次开发工具:AutoLISP、块和形定义及菜单开发对CAD在焊接领域应用进行了开发与定制。     

ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征

采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶，XRD、SEM和TEM结构分析结果表明，喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀，形状完整，与化学共沉淀法相比，粒子尺寸明显减小，小于10nm，同时ZnO杂相峰消失，分析了喷射共沉淀法的机理，并对实验结果进行了解释。     

浅析6063铝型材表面“铝丝印”的成因与对策

在介绍“铝丝印”概念的基础上，从金属腐蚀学的观点出发，分析了“铝丝印”形成的电化学腐蚀机理，并提出了具体的解决措施。