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991.
992.
在简单介绍了ADSL技术的基础上,具体介绍了如何在EWSDU交换机中创速和设置ADSL用户功能和xDSL功能. 相似文献
993.
GPRS全称通用分组无线业务,它在改进了现有GSM系统后能实现高速的数据传输。首先对GPRS系统做了简单介绍,然后在此基础上详细介绍了GPRS的板间切换在CPX8216硬件平台上的实现方法。 相似文献
994.
995.
996.
997.
X. A. Cao S. F. LeBoeuf K. H. Kim P. M. Sandvik E. B. Stokes A. Ebong D. Walker J. Kretchmer J. Y. Lin H. X. Jiang 《Solid-state electronics》2002,46(12):2291-2294
The mechanisms of carrier injection and recombination in a GaN/InGaN single quantum well light-emitting diodes have been studied. Strong defect-assisted tunneling behavior has been observed in both forward and reverse current–voltage characteristics. In addition to band-edge emission at 400 nm, the electroluminescence has also been attributed to radiative tunneling from band-to-deep level states and band-to-band tail states. The approximately current-squared dependence of light intensity at 400 nm even at high currents indicates dominant nonradiative recombination through deep-lying states within the space-charge region. Inhomogeneous avalanche breakdown luminescence, which is primarily caused by deep-level recombination, suggests a nonuniform spatial distribution of reverse leakage in these diodes. 相似文献
998.
The In-Sn-Ni alloys of various compositions were prepared and annealed at 160°C and 240°C. No ternary compounds were found;
however, most of the binary compounds had extensive ternary solubility. There was a continuous solid solution between the
Ni3Sn phase and Ni3In phase. The Sn-In/Ni couples, made of Sn-In alloys with various compositions, were reacted at 160°C and 240°C and formed
only one compound for all the Sn-In alloys/Ni couples reacted up to 8 h. At 240°C, Ni28In72 phase formed in the couples made with pure indium, In-10at.%Sn and In-11at.%Sn alloys, while Ni3Sn4 phase formed in the couples made of alloys with compositions varied from pure Sn to In-12at.%Sn. At 160°C, except in the
In/Ni couple, Ni3Sn4 formed by interfacial reaction. 相似文献
999.
1000.