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本文介绍了工业自动化通用组态软件——组态王,提出了一种用C++Builder作为后台实现组态王软件实时监控艾默生变频器的方法,并简单介绍了另一种用BCB制作控件嵌入组态王实现控制变频器的方法,相关方法已在砖窑监控系统中得到了具体应用。 相似文献
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由于变频控制系统多工作于高电压、高温度的环境中,对变频装置的稳定性和抗干扰性都要有很高的要求。鉴于ModBus总线可靠的数据传输、快速的响应和强大的抗干扰能力,文中主要介绍了ModBus协议RTU传输模式的基本内容,设计了基于ModBus RTU的变频控制系统,替代继电器组成的控制回路。通信采用RS485总线标准,串口通信采用查询方式接收和发送数据.开发控制器和变频器之间通信连接程序.从而提高变频器抗干扰性和稳定性。 相似文献
45.
We propose a framework for quality‐of‐service (QoS) provisioning for multimedia services in next generation wireless access
networks. This framework aims at providing a differentiated treatment to multimedia traffic flows at the link layer, which
can be broadly classified as real‐time (or delay‐sensitive) and non‐real‐time (or delay‐tolerant). Various novel schemes are
proposed to support the differential treatment and guarantee QoS. These schemes include bandwidth compaction, channel reservation
and degradation, with the help of which a call admission and control algorithm is developed. The performance of the proposed
framework is captured through analytical modeling and simulation experiments. Analytically, the average carried traffic and
the worst case buffer requirements for real‐time and non‐real‐time calls are estimated. Simulation results show up to 21%
improvement in the admission probability of real‐time calls and up to 17% improvement in the admission probability of non‐real‐time
calls, when various call control techniques like bandwidth compaction are employed. Using our channel reservation technique,
we observe a 12% improvement in the call admission probability compared to another scheme proposed in the literature.
This revised version was published online in August 2006 with corrections to the Cover Date. 相似文献
46.
弹道导弹中段红外辐射特性数学建模与仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
针对TBM中段的弹道特性,根据热平衡理论建立了TBM在中段的温度计算模型,然后根据普朗克定律建立了目标红外辐射计算模型;在红外辐射的大气传输理论基础上,综合考虑大气吸收、散射及气象条件等各种因素,分析了大气衰减对红外辐射的影响建立了大气透过率的计算模型,得到了大气衰减作用下的目标辐射模型;最后,在假定的仿真条件下,利用模型计算了两种波段下目标红外辐射强度、大气光谱透过率以及经过大气衰减后的红外辐射强度,并对计算结果进行了分析,结果表明,这是一种计算TBM中段红外辐射的有效方法. 相似文献
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Wen Shi Sen Huang Xinhua Wang Qimeng Jiang Yixu Yao Lan Bi Yuchen Li Kexin Deng Jie Fan Haibo Yin Ke Wei Yankui Li Jingyuan Shi Haojie Jiang Junfeng Li Xinyu Liu 《半导体学报》2021,42(9):51-55
A pre-ohmic micro-patterned recess process,is utilized to fabricate Ti/Al/Ti/TiN ohmic contact to an ultrathin-barrier(UTB) AlGaN/GaN heterostructure,featuring a significantly reduced ohmic contact resistivity of 0.56 Ω.mm at an alloy temperat-ure of 550 ℃.The sheet resistances increase with the temperature following a power law with the index of +2.58,while the spe-cific contact resistivity decreases with the temperature.The contact mechanism can be well described by thermionic field emis-sion (TFE).The extracted Schottky barrier height and electron concentration are 0.31 eV and 5.52 × 1018 cm-3,which suggests an intimate contact between ohmic metal and the UTB-AlGaN as well as GaN buffer.A good correlation between ohmic trans-fer length and the micro-pattern size is revealed,though in-depth investigation is needed.A preliminary CMOS-process-compat-ible metal-insulator-semiconductor high-mobility transistor (MIS-HEMT) was fabricated with the proposed Au-free ohmic con-tact technique. 相似文献
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50.
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CNN细胞单元的硬件结构原理,给出了三种基于SET的CNN硬件电路具体实现方法:一是基于SET的库仑振荡特性和CMOS数字电路的设计思想方法;二是根据细胞单元的等效结构分块实现方法;三是基于SET阵列的传输特性实现CNN方法,并重点阐述了后两种SET的CNN实现方法,分析了它们的优缺点。 相似文献