自然图像抠图技术综述

着重对近几年自然图像抠图研究新进展进行综述,针对近年来基于启发式优化的抠图研究以及基于深度学习的抠图研究新成果对抠图研究工作进行重新分类和梳理,分析不同类型自然图像抠图研究主要的方法并整理其中的关键问题,介绍常用的自然图像抠图评价指标。最后通过实例分析总结了当前自然图像抠图研究面临的挑战,并对未来的研究前景进行了探讨。     

大规模短时间任务的低延迟集群调度框架

大规模数据分析环境中,经常存在一些持续时间较短、并行度较大的任务。如何调度这些低延迟要求的并发作业是目前研究的一个热点。现有的一些集群资源管理框架中,集中式调度器由于主节点的瓶颈无法达到低延迟的要求,而一些分布式调度器虽然达成了低延迟的任务调度,但在最优资源分配以及资源分配冲突方面存在一定的不足。从大规模实时作业的需求出发,设计和实现了一个分布式的集群资源调度框架,以满足大规模数据处理的低延迟要求。首先提出了两阶段调度框架以及优化后的两阶段多路调度框架;然后针对两阶段多路调度过程中存在的一些资源冲突问题,提出了基于负载平衡的任务转移机制,从而解决了各个计算节点的负载不平衡问题;最后使用实际负载以及一个模拟调度器对大规模集群中的任务调度框架进行了模拟和验证。对于实际负载,所提框架的调度延迟控制在理想调度的12%以内;在模拟环境下,该框架与集中式调度器相比在短时间任务的延迟上能够减少40%以上。     

基于情节经验回放的深度确定性策略梯度方法

强化学习中的连续控制问题一直是近年来的研究热点.深度确定性策略梯度(Deep Deterministic Policy Gradients,DDPG)算法在连续控制任务中表现优异.DDPG算法利用经验回放机制训练网络模型,为了进一步提高经验回放机制在DDPG算法中的效率,将情节累积回报作为样本分类依据,提出一种基于情节经验回放的深度确定性策略梯度(Deep Determinis-tic Policy Gradient with Episode Experience Replay,EER-DDPG)方法.首先,将经验样本以情节为单位进行存储,根据情节累积回报大小使用两个经验缓冲池分类存储.然后,在网络模型训练阶段着重对累积回报较大的样本进行采样,以提升训练质量.在连续控制任务中对该方法进行实验验证,并与采取随机采样的DDPG方法、置信区域策略优化(Trust Region Policy Op-timization,TRPO)方法以及近端策略优化(Proximal Policy Optimization,PPO)方法进行比较.实验结果表明,EER-DDPG方法有更好的性能表现.     

基于原型网络的细粒度实体分类方法

细粒度实体分类任务作为命名实体识别任务的扩展,其目的是根据指称及其上下文,发掘实体更细粒度的类别含义。由于细粒度实体语料的标注代价较大,标注错误率较高,因此该文研究了在少量样本情况下的细粒度实体分类方法。该文首先提出了一种特征提取模型,能够分别从单词层面以及字符层面提取实体信息,随后结合原型网络将多标签分类任务转化为单标签分类任务,通过缩小空间中同类样本与原型的距离实现分类。该文使用少样本学习以及零样本学习两种设置在公开数据集FIGER(GOLD)上进行了实验,在少样本学习的设置下,较基线模型在三个指标中均有提升,其中macro-F₁的提升最大,为2.4%。     

基于改进U-Net的宫颈细胞核图像分割

原始的U-Net采用跳跃结构结合高低层的图像信息,使得U-Net模型有良好的分割效果,但是分割结果在宫颈细胞核边缘依然存在分割欠佳、过分割和欠分割等不足.由此提出了改进型U-Net网络图像分割方法.首先将稠密连接的DenseNet引入U-Net的编码器部分,以解决编码器部分相对简单,不能提取相对抽象的高层语义特征.然后对二元交叉熵损失函数中的宫颈细胞核和背景给予不同的权重,使网络更加注重细胞核特征的学习.最后在池化操作过程中,对池化域内的像素值分配合理的权值,解决池化层丢失信息的问题.实验证明,改进型U-Net网络使宫颈细胞核分割效果更好,模型也越鲁棒,过分割和欠分割比率也越少.显然,改进型U-Net是更有效的图像分割方法.     

混凝土力学时空特性对衬砌支护设计影响研究

竖井支护设计对围岩稳定和施工安全具有重要意义,水利水电工程中采用正井法开挖引水竖井的工程案例较少。根据正井法施工特点,确定开挖、初衬以及拆模等工序需要的具体时间,考虑混凝土力学参数的时效特征,并结合所在区域的地质条件、岩体力学参数以及开挖进尺,对初衬设计厚度、强度以及拆模时间等进行了研究,形成了一套基于正井法施工,考虑衬砌混凝土力学参数时空特征条件下的衬砌设计方法。实践表明,考虑混凝土力学参数时空特征条件下的支护设计更加合理,具有一定经济和社会效益。     

卡拉水电站地下厂房初始应力场反演分析

初始地应力场特征是地下工程稳定分析中最重要的条件,为了评价开挖后地下洞室的围岩稳定及支护设计的长期安全,需要对围岩的初始地应力场进行反演。在对雅砻江卡拉水电站工程区地应力实测值进行分析的基础上,根据世界地应力图和GPS地表监测数据所确定的区域地应力特征,选取地下厂房区域测试可靠、具有代表性、离厂房区域较近的实测点作为初始地应力数值反演分析的回归对象,结合反演分析原理,获得整个地下厂房区域的地应力场分布特征。通过对比数值计算值和实测成果可知：测点地应力的大小和方向拟合程度较好,分布规律大致相同,表明采用数值反演分析方法的合理性。分析成果为地下厂房洞室群的布置、开挖支护设计等提供了依据。     

Growth and characterization of indium doped zinc oxide films sputtered from powder targets

Indium doped Zn O films were grown on quartz glass substrates by radio frequency magnetron sputtering from powder targets. Indium content in the targets varied from 1at% to 9at%. In doping on the structure, optical and electrical properties of Zn O thin films were studied. X-ray diffraction shows that all the films are hexagonal wurtzite with c-axis perpendicular to the substrates. There is a positive strain in the films and it increases with indium content. All the films show a high transmittance of 86% in the visible light region. Undoped Zn O thin film exhibits a high transmittance in the near infrared region. The transmittance of indium doped Zn O thin films decreases sharply in the near infrared region, and a cut-off wavelength can be found. The lowest resistivity of 4.3×10~(-4) Ω·cm and the highest carrier concentration of 1.86×10~(21) cm~(-3) can be obtained from Zn O thin films with an indium content of 5at% in the target.     

引江济淮试验工程软岩崩解特性及其影响因素试验研究

以引江济淮试验工程为依托,开展砂岩与泥岩的崩解特性试验研究。通过静态烘干-浸水崩解试验,研究不同风化程度的软岩在干湿循环作用下的崩解性状,同时进行耐崩解试验以及点荷载强度试验,揭示崩解性与强度、失水率的相关变化规律。试验表明:干湿循环作用和风化作用均会减弱岩石耐崩解能力;风化岩石的耐崩解指数与干燥岩石点荷载强度成正相关,与岩石的失水率成线性负相关;岩石的耐崩解性与岩石结构类型关系密切。     

Effect of wafer size on the film internal stress measurement by wafer curvature method

Wafer curvature method has been applied to determine the internal stress in the films using Stoney’s equation. During the film deposition, the wafer fixation on the sample holder will restrict the deformation of the rectangle-shaped wafer, which may result in the stress datum difference along length and width direction. In this paper, the effect of wafer size and the wafer fixation on the TiN film internal stress measured by wafer curvature method was discussed. The rectangle-shaped wafers with different length/width ratios (L/W=1:1, 2:1, 3:1 and 4:1) were fixed as a cantilever beam. After the TiN films deposition, the profiles of the film/wafer were measured using a stylus profilometer and then the internal stress was calculated using the Stoney equation in the film. The results showed that the fixed end of the wafers limited to some degree the curvature of the wafers along the width direction. For film internal stress measured by wafer curvature method, the wafer profile should be scanned along the length direction and the scan distance should be greater than or equal to half of wafer length. When the length/width ratio of the wafer reached 3:1, the wafer curvature and the calculated stress were basically the same at different positions along the length direction. For film internal stress measured by wafer curvature method, it was recommended that the length/width ratio of wafer should be considered to be greater than or equal to 3:1, and the deformed profile was scanned along the length direction.