含钡合金在钢液中的脱氧行为研究

在MoSi2炉上采用MgO质坩蜗对钢管进行了含钡合金脱氧行为的研究。实验中钡系合金主要选取SiAUBa、SiCaBa、SiAlBaCa、SiAlBeCaSr及用于钙处理的SiCa包芯线，选用Al作为对比脱氧剂，考察了钡系合金脱氧的全氧含量，脱氧产物的分布、尺寸和形貌，探讨了钡系合金脱氧和对夹杂物变性作用的机理。     

论高层建筑中央空调水系统水压试验的步骤

通过对中央空调水系统安装的特点分析,确定了应用效果良好的试压步骤。     

随机模拟在电信网性能评价中的应用

本文介绍了可在微机上实现大规模电信网践模拟的实用化软件ＳＩＭＵＮＥＴ，及基所采用的无时钟事件追踪法。该软件可用规划中的电信网络和实际网路的模拟及性能评价，也可用于不同流量控制算法的评价。文中给出一个评价实例。     

雾化水流计算模式

本文描述了雾化水流现象并提出了雾化水流的一个计算模型。得出了雾化水流影响领域的各种不同的计算公式和方法。     

反井钻及其在我国水电工程的应用

本文介绍了反井钻这一新型的竖井和斜井开挖施工设备，以及该设备在国内水电工程中的应用。实践证明，在适当的地质地形条件下，反井钻比人工正井法、吊罐、阿里马克爬罐法都具有明显的优越性，值得在国内其它水电工程中推广应用。     

防晃水箱控制高层建筑地震反应的理论研究

防晃水箱是在一般水箱内安置环形防晃板，在高层建筑顶部设置这种水箱可以对建筑物的地震反应作被动控制。本文对这一系统进行了数值模拟，考虑了水箱和结构间的相互耦合作用，研究了水箱对建筑物地震反应的影响，数值分析为合理设计水箱提供了理论依据。     

A novel technique for profiling the lateral n- dopingconcentrations of submicron LDD MOS devices

This paper reports a simple I-V method for the first time to determine the lateral lightly-doped source/drain (S/D) profiles (n^- region) of LDD n-MOSFETs. One interesting result is the direct observation of the reverse-short-channel effect (RSCE). It is observed that S/D n^- doping profile is channel length dependent if reverse short-channel effect exists as a result of the interstitial imperfections caused by Oxide Enhanced Diffusion (OED) or S/D implant. Not only the lateral profiles for long-channel devices but also for short-channel devices can be determined. One other practical application of the present method for device drain engineering has been demonstrated with a LATID MOS device drain engineering work. It is convincible that the proposed method is well suited for the characterization and optimization of submicron and deep-submicron MOSFETs in the current ULSI technology     

声表面波32位MSK抽头延迟线

介绍了扩频通信有效的ＭＳＫ信号特点及声表面波ＭＳＫ抽头延迟线构成方式，给出了声表面波３２位ＭＳＫ抽头延迟线的实验结果。     

VHDL逻辑综合及FPGA实现

运用ＶＨＤＬ语言描述了一个１２×１２位的高速补码阵列乘法器。重点是运用ＶＨＤＬ逻辑综合优化该乘法器，并进行了乘法器的ＸｉｌｉｎｘＦＰＧＡ实现、功能仿真和时序仿真。经选用ＸＣ４００５ＰＣ－８４－４芯片进行验证，证明了其正确性