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61.
面向对象的稀土永磁同步电动机CAD系统 总被引:1,自引:0,他引:1
稀土永磁同步电动机结构复杂,设计计算量大。采用可视化的编程工具C++Builder 6所开发的稀土永磁同步电动机CAD系统提出了一种直接设计法,可有效地完成电动机的电磁设计。介绍了该系统的结构、功能、特点及其软件实现方法,并通过一个设计实例,将CAD系统设计结果与实测数据进行比较,证明了CAD系统设计结果的准确性。 相似文献
62.
一种基于场路结合计算模型的步进电动机优化设计方法 总被引:2,自引:0,他引:2
窦一平 《南京师范大学学报》2003,3(3):11-15
提出一种步进电动机的优化设计方法,在步进电动机的场路结合计算模型基础上.采用正多面体的优化方法.对一台永磁感应子式步进电动机样机进行了齿层尺寸的优化设计.计算和实测表明.此种方法适合于在工厂工程实际中应用. 相似文献
63.
范斗 《计算机工程与应用》2003,39(33):219-222
着重介绍了河南电网调度员培训仿真系统在与引进能量管理系统的一体化集成过程中所采用的图形和数据一体化处理技术。为国产系统同国外新一代的SCADA/EMS系统集成提供了一些可以借鉴的应用集成方法。 相似文献
64.
65.
66.
窦强 《小型微型计算机系统》1997,18(4):15-19
本文首先简要介绍了开放数据链路接口ODI的结构模型和基本原理,并在此 论述了Novell网中FDDI网络适配器ODI驱动程序的实现技术。 相似文献
67.
钢管混凝土压弯构件荷载—挠度曲线的全过程分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文主要采用筒支梁式加载方案,研究钢管混凝土压弯构件荷载-挠度关系曲线,试验的主要参数是轴压比、剪跨比和含钢率。最后通过理论计算和对试验数据进行回归分析得到极限承载力、极限位移的计算公式和荷载-挠度关系曲线。 相似文献
68.
组合励磁永磁同步发电机主发电机的设计方法 总被引:3,自引:0,他引:3
窦一平 《南京师范大学学报》2004,4(1):24-28
提出了组合励磁稀土永磁同步发电机(以下简称HESG)主发电机部分的一种设计方法,该方法可以定量调控发电机外特性的电压变化率,是设计HESG的基础,也能单独设计稀土永磁同步发电机。通过样机的实验验证,说明设计方法是成功有效的。 相似文献
69.
Liu Zhihong CHEN Changchun Lin Huiwang Xiong Xiaoyi Dou Weizhi TSIEN Pei-Hsin 《中国稀土学报(英文版)》2004,22(Z2)
UHVCVD-grown Si/Si1- xGex/Si heterostructure was investigated by Photoreflectance spectroscopy (PR). The principle of PR used in semiconductor film was thoroughly described. According to the E1 transition energy in the Si1- xGex alloy, the Ge content in SiGe film with constant composition can be accurately characterized. In this study, determine the composition uniformity of larger diameter SiGe epiwafer by PR mapping technique was determined. These results show PR is very promising for Si1- xGex epilayer characterization with constant Ge content and can provide film measurements for production-worthy line monitor. 相似文献
70.
CHEN Changchun Liu Zhihong HUANG Wentao Dou Weizhi Xiong Xiaoyi Zhang Wei TSIEN Peihsin CAO Jianqing 《中国稀土学报(英文版)》2004,22(Z2)
Thin strain-relaxed Si0.8Ge0.2 films (57.6 nm) on the 30 keV Ar ion implantation Si substrates for different dose (1 × 1014, 5 × 1014, 3 × 1015 cm-2) were grown by ultra high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) system.Rutherford backscattering/ion channeling (RBS/C), high resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman spectra as well as atomic force microscopy (AFM) were used to characterize these SiGe films. Investigations by RBS/C as well as HRXRD demonstrate that these thin Sio.8Geo.2 films could indeed epitaxially grow on the Ar ion implantation Si substrates. Under low dose ( 1 × 1014 cm-2) and medium dose (5 × 1014 cm-2) implantation conditions, the relaxation extents of SiGe films are 60.6% and 63.6%, respectively. However, high dose implantation (3 × 1015 cm-2) prompt the strain in epitaxial SiGe film to be close to full relaxation status (relaxation extent of 96.6% ). On the other hand, determinations of RBS/C also indicate the crystalline quality of SiGe film grown on high dose implantation Si substrate is nearly identical to that grown on low dose (1 × 1014 cm-2) implantation Si substrate. 相似文献