连续和脉冲CO2激光器频率稳定度的测量

采用拍频法测量CO2激光器频率稳定度。计算机通过IEEE488接口直接从计数器上接收数据,并通过程序计算得出激光器的频率稳定度。采用脉冲外差法测量脉冲CO2激光器频率稳定度。     

一种基于人眼图像灰度分布特征的虹膜定位算法

提出了一种基于人眼图像灰度分布特征的虹膜定位算法。该算法不必检测到所有的虹膜边界点,只需要分别在虹膜的内外边界上各检测到3个点即可。然后利用落在同一个边界上的3个点,根据“非共线的3点确定1个圆”的几何原理,计算出边界圆的参数,从而确定虹膜内外边界。对CASIA虹膜图像数据库进行了大量的实验,结果表明,该算法与经典的虹膜定位算法（如Daugman的算法和边缘检测算子结合Hough变换的算法）相比,定位结果更加准确,定位速度大幅度提高。     

啁啾镜与棱镜对混合色散补偿产生8 fs光脉冲

利用宽带啁啾镜（CM）与熔石英棱镜对结合优化色散补偿,从掺Ti蓝宝石振荡器中获得具有带宽大于100nm、光谱结构光滑的亚4个光学周期脉冲。该激光器输出脉冲的中心波长在780nm处,最短脉冲宽度为8fs,最宽的光谱半宽度为180nm。在3．5W泵浦下,输出功率为280mW。更重要的是该激光器能够稳定地运转在“马鞍型”的光谱状态,这对于作为啁啾脉冲放大器种子激光源,克服放大过程的“增益窄化”效应有实际意义。     

基于均匀圆阵的幅相误差自校正算法

针对实际应用中普遍存在的阵列幅相误差扰动问题,结合子空间类波达方向估计算法,以均匀圆阵为基础,提出了一种幅相误差的自校正算法。先利用均匀圆阵协方差矩阵的结构特点对幅相误差进行初步估计,再通过迭代方法得到更精确的估计值,自校正方法无需任何参数初始值,实现比较简单。仿真实验验证了算法具有良好的误差校正效果,能够比较准确的估计出波达方向角和幅相误差值。     

GaN基肖特基二极管的场板工程

The practical design of GaN-based Schottky barrier diodes（SBDs） incorporating a field plate（FP） structure necessitates an understanding of their working mechanism and optimization criteria.In this work,the influences of the parameters of FPs upon breakdown of the diode are investigated in detail and the design rules of FP structures for GaN-based SBDs are presented for a wide scale of material and device parameters.By comparing three representative dielectric materials（SiO₂,Si₃N₄ and Al₂O₃） selected for fabricating FPs,it is found that the product of dielectric permittivity and critical field strength of a dielectric material could be used as an index to predict its potential performance for FP applications.     

A low-phase-noise K-band CMOS VCO

A novel circuit topology for low-phase-noise voltage controlled oscillators (VCOs) is presented in this letter. By employing a PMOS cross-coupled pair with a capacitive feedback, superior circuit performance can be achieved especially at higher frequencies. Based on the proposed architecture, a prototype VCO implemented in a 0.18-/spl mu/m CMOS process is demonstrated for K-band applications. From the measurement results, the VCO exhibits a 510-MHz frequency tuning range at 20GHz. The output power and the phase noise at 1-MHz offset are -3dBm and -111dBc/Hz, respectively. The fabricated circuit consumes a dc power of 32mW from a 1.8-V supply voltage.     

ZnO单晶薄膜光电响应特性

对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.     

抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的模拟研究

针对发射到衬底中的光子,提出了一种具有抛物线型衬底结构的InGaN/GaN发光二极管,并对平面衬底和抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的光子运动轨迹、发射功率角度分布和外量子效率进行了模拟计算.结果表明:相对于平面衬底发光二极管,抛物线型衬底发光二极管可以充分利用发射到衬底中的光子,使其正向光子发射功率增加12.6倍,外量子效率提高1.22倍,同时具有发射准平行光的功能.     

AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟

考虑AlGaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性,并对模拟结果进行了分析与讨论.     

网络安全策略分析

网络安全策略是建立网络系统安全的指导原则。介绍了计算机网络当前所面临的安全威胁，对网络安全策略做了分析。