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951.
本文用传输矩阵法分析了啁啾Bragg光纤光栅的反射谱特性及时延特性,同时给出了用142mm长相位掩模板和扩束技术研制的色散补偿线性啁啾Bragg光纤光栅的反射谱特性及传输实验结果.实验研制的线性啁啾Bragg光纤光栅样品带宽为0.56~0.84nm,可实现对普通光纤色散补偿100km以上. 相似文献
952.
信号时域积分性质的一个推广应用 总被引:1,自引:0,他引:1
对信号进行运算(卷积运算,傅氏变换,拉纸变换)时,应用时域积分性质,得出由函数导数的运算式求取原函数的相应运算结果的一般性计算公式,使时域积分性质的应用得到推广。 相似文献
953.
954.
铜电镀工艺后表面的不平整度通常取决于版图关键特征,包括线宽,线间距和金属密度。本文设计了一款测试芯片并在一家半导体厂加工制造。版图特征效应被真正的测试数据所检查和验证。通过分析金属蝶形、介质腐蚀、金属厚度和SEM照片,得出一些结论。线宽是决定表面形貌及产生铜金属蝶形和介质层腐蚀的最关键因素。经过铜电镀工艺发现,铜线越细铜生长的越厚,铜线越宽铜金属蝶形越大,发现了3种典型表面形貌。而且,通过测试数据,量化版图特征的影响并用曲率增强加速剂覆盖率的理论解释,这可以用于开发铜电镀工艺模型和开展可制造性设计研究。 相似文献
955.
956.
利用直流反应磁控溅射法,以N2O为N掺杂源,用Al-N共掺技术制备了p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射线衍射分析(XRD)、Hall测试仪和紫外可见(UV)透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁带宽度进行分析.XRD分析结果表明,Zn0.95Mg0.05O薄膜具有良好的晶格取向,Hall测试的结果所得p型Zn0.95Mg0.05O薄膜最低电阻率为58.5Ω·cm,载流子浓度为1.95×1017 cm-3,迁移率为0.546cm2/(V·s),UV透射谱所推出的薄膜禁带宽度中,纯ZnO,p型Zn0.95Mg0.05O和p型Zn0.9Mg0.1O分别为3.34,3.39和3.46eV,可以看出Mg在ZnO禁带宽度中起了调节作用. 相似文献
957.
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz~16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03~6.5 dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图. 相似文献
958.
优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V. 相似文献
959.
960.
提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V. 相似文献