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31.
Different NMR techniques were combined to obtain the structure and velocity information for a systematic investigation of fixed beds with low aspect ratio (tube diameter to particle diamter, dt/dp) in the range 1.4 to 32. The structure of the void space was determined for a variety of packed beds of glass beads or regular and irregular porous pellets by magnetic resonance imaging (MRI). Based on the images the radial distribution of the voids within the bed was obtained. Ordering effects were found even for non‐spherical and polydisperse particles, and a maximum of the fluid density near the tube wall was confirmed for all pellet geometries and sizes. By combining MRI with velocity encoding, velocity profiles and distributions of flow velocity components of a single fluid phase through packed beds have been acquired. The radial velocity distribution follows an oscillatory pattern which largely reflects the ordering of the particles, which can be accessed from the density distribution of the interparticle fluid. Maximum velocities of up to four times the average value were found to occur near the tube wall. This wall effect was observed for all but the smallest particles, where the aspect ratio was dt/dp = 32. Moreover, a visualisation of flow pattern in the presence of packed particles was achieved by using a tagging technique, and the stationary flow field could be identified for an experimental time of several hours. 相似文献
32.
33.
无氢类金刚石碳膜的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了无氢类金刚石碳膜的制备方法 ,它们的机械、光学、电学性能 ,将无氢与含氢的类金刚石碳膜进行了简单比较 ,总结及探讨了它们的应用 相似文献
34.
长链烯烃-苯烷基化反应的分子筛催化剂再生性能的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
通过热重分析和活性稳定性评定考察催化剂的再生性能。研究结果表明,进行氯气吹扫以及苯抽提后进行氮气吹扫两种预处理,导致失活催化剂的起燃点和烧焦反应活化能均有所提高,有利于控制烧焦反应速度。按苯抽提、氮气吹扫、烧焦的顺序,分三个阶段进行催化剂再生,再生催化剂的活性稳定性得到更充分的恢复。 相似文献
35.
对37名骨密度(BD)低下的飞行员(实验组)和BD正常的48名飞行员、100名地面人员(正常对照组)进行了BD和血清TT_3、TT_4、TSH IRMA、CT、PTH、E_2和T放射免疫测定。结果显示,实验组BD均值明显低于对照组(p<0.01),血清TT_3、TT_4、CT、E_2(女性)和T(男性)均值与对照组比较,大多数年龄存在着显著或非常显著差异(p<0.05或p<0.01)。同时对飞行人员BD与几种内分泌激素关系进行了探讨。 相似文献
36.
37.
38.
39.
Gillespie J.K. Fitch R.C. Sewell J. Dettmer R. Via G.D. Crespo A. Jenkins T.J. Luo B. Mehandru R. Kim J. Ren F. Gila B.P. Onstine A.H. Abernathy C.R. Pearton S.J. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(9):505-507
The low temperature (100°C) deposition of Sc2O3 or MgO layers is found to significantly increase the output power of AlGaN/GaN HEMTs. At 4 GHz, there was a better than 3 dB increase in output power of 0.5×100 μm2 HEMTs for both types of oxide passivation layers. Both Sc2 O3 and MgO produced larger output power increases at 4 GHz than conventional plasma-enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiNx passivation which typically showed ⩽2 dB increase on the same types of devices. The HEMT gain also in general remained linear over a wider input power range with the Sc2O3 or MgO passivation. These films appear promising for reducing the effects of surface states on the DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs 相似文献
40.