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141.
�غ���ܿ���ǿ�ȼ��㼰�ֳ�Ӧ�� 总被引:6,自引:1,他引:5
对于套管挤毁问题较为严重的油气水井,采用非API标准的特厚壁套管来提高其抗挤强度,是今后预防套管挤毁的重要发展方向。目前,特厚壁套管的抗挤强度计算和尺寸系列尚未形成工业标准,文章提出特厚壁套管的抗挤强度计算方法和尺寸系列,供设计者和厂家参考。API/ISO套管挤毁工作组曾对本文公式进行了测评,结果曼示具有较高的计算精度。大量计算表明,特厚壁套管的抗挤强度大大提高,约为加厚前原套管抗挤强度的1.5~4倍,甚至6倍。最后还介绍了特厚壁套管在中原油田的现场应用情况。 相似文献
142.
Development of a Tunable Multiband UWB Radar Sensor and Its Applications to Subsurface Sensing 总被引:1,自引:0,他引:1
Development of a new tunable multiband ultra-wideband (UWB) radar sensor is presented. The UWB sensor integrates the transmitter, receiver, and antennas completely in a single package using microwave integrated circuits and operates over multiple pulse durations or frequency bands. The sensor can transmit pulses with duration varying from 450 to 1170 ps and peak power from 200 to 400 mW and can detect signals with a conversion gain of 6.5-9.5 dB and a dynamic range of 50dB over a 5.5-GHz RF bandwidth. It has a range resolution of around 1 in. The sensor performs well through tests of various samples, demonstrating its success for subsurface sensing. The multipulse/multiband feature allows the sensor to achieve both fine-range resolution and long operating range and enhanced target detection and classification 相似文献
143.
采用SE 3 0为固定液进行色谱柱分离 ,用外标定量法测定泥土中的微量六氯环戊二烯 ,结果最小检知量为 0 .18× 10 - 6 ,相关系数为 0 .99992。 相似文献
144.
负载Pd的分子筛催化剂上烷烃的异构化反应 总被引:2,自引:1,他引:1
采用吡啶吸附红外光谱和氨程序升温脱附法对负载Pd的几种分子筛催化剂(Pd/,βPd/ZSM-22,Pd/SAPO-11)的表面酸性进行了测定,并以正十二烷为模型化合物,在连续流动固定床微型反应器上考察了这几种分子筛催化剂的异构化反应性能。实验结果表明,Pd/β催化剂的酸量大且具有强酸中心;Pd/SAPO-11和Pd/ZSM-22催化剂的酸强度分布类似,但前者的酸量较小,后者的酸量适中。在正十二烷的转化率为65%左右时,对于单、双甲基C12异构体的选择性,Pd/ZSM-22催化剂与Pd/SAPO-11催化剂相近,高于Pd/β催化剂,而催化活性的高低顺序为:Pd/β>Pd/ZSM-22>Pd/SAPO-11,说明Pd/ZSM-22催化剂比较适合于大分子烷烃的异构化反应。在100mL中试装置上,以大庆减四线糠醛精制油为原料,对实验结果进行了验证。 相似文献
145.
Onishi K. Rino Choi Chang Seok Kang Hag-Ju Cho Young Hee Kim Nieh R.E. Jeong Han Krishnan S.A. Akbar M.S. Lee J.C. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2003,50(6):1517-1524
Bias-temperature instabilities (BTI) of HfO/sub 2/ metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) have been systematically studied for the first time. NMOS positive BTI (PBTI) exhibited a more significant V/sub t/ instability than that of PMOS negative BTI (NBTI), and limited the lifetime of HfO/sub 2/ MOSFETs. Although high-temperature forming gas annealing (HT-FGA) improved the interface quality by passivating the interfacial states with hydrogen, BTI behaviors were not strongly affected by the technique. Charge pumping measurements were extensively used to investigate the nature of the BTI degradation, and it was found that V/sub t/ degradation of NMOS PBTI was primarily caused by charge trapping in bulk HfO/sub 2/ rather than interfacial degradation. Deuterium (D/sub 2/) annealing was found to be an excellent technique to improve BTI immunity as well as to enhance the mobility of HfO/sub 2/ MOSFETs. 相似文献
146.
147.
148.
149.
Wei-Hua Guo Yong-Zhen Huang Chun-Lin Han Li-Juan Yu 《Quantum Electronics, IEEE Journal of》2003,39(6):716-721
To improve the accuracy of measured gain spectra, which is usually limited by the resolution of the optical spectrum analyzer (OSA), a deconvolution process based on the measured spectrum of a narrow linewidth semiconductor laser is applied in the Fourier transform method. The numerical simulation shows that practical gain spectra can be resumed by the Fourier transform method with the deconvolution process. Taking the OSA resolution to be 0.06, 0.1, and 0.2 nm, the gain-reflectivity product spectra with the difference of about 2% are obtained for a 1550-nm semiconductor laser with the cavity length of 720 /spl mu/m. The spectra obtained by the Fourier transform method without the deconvolution process and the Hakki-Paoli method are presented and compared. The simulation also shows that the Fourier transform method has less sensitivity to noise than the Hakki-Paoli method. 相似文献
150.