模拟电子技术课程项目化教学改革探讨

在传统的模拟电子技术教学中,存在电子元件非线性、电子电路比较复杂、理论知识抽象繁琐、学生学习兴趣低且动手能力差等特点。在这种教学条件下,构建模拟电子技术的项目理实一体化教学,将理论知识寓于实际项目中,实现让学生在动手做实际电子产品中学会模拟电子技术的基础知识,提升动手能力,有利于真正实现高职院校应用型技能型人才的培养目标。     

碲镉汞液相外延薄膜的应力研究

用X射线衍射方法对液相外延(LPE)技术生长的碲镉汞(MCT)外延薄膜和CdTe衬底进行了观察与分析。研究表明:MCT薄膜中存在着不同程度的应力,主要表现为晶格的扭曲(300″～1200″范围),这种扭曲致使外延膜双晶回摆曲线宽化,宽化值为100″～150″,外延膜的晶格扭曲与CdTe衬底的不完整性有对应关系。研究还表明:LPE的生长条件对外延膜中的晶格扭曲也有较大影响。本文还讨论了CdTe衬底晶格扭曲形成的因素并探究了减少外延膜晶格扭曲的方法。     

直视芯式单模光纤熔接机微动机构

本文介绍了直视芯式单模光纤熔接机采用柔性铰链式微动机构的原理及构成,其调整精度可达到±0.1μm,使单模光纤熔接机的连接损耗大大降低。另外,还对其性能及指标与日本产品进行了比较。     

半导体激光器（LD）的大电流窄脉冲驱动源

本文介绍了一种不受开关管速度限制的,基于电容充电原理的,实现LD大电流窄脉冲的驱动电路。     

热退火对GaAs半导体晶片均匀性的影响

主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处理将改善GaAs晶片中缺陷密度、电阻率的大小及分布,从而得到均匀性较好的GaAs材料。     

利用PCB设计工具进行集成电路版图设计

如果EDA系统配置不全面,如何充分利用现有条件更好更快地完成集成电路的设计工作?本文介绍了我们利用PCB(印刷电路板)设计工具设计集成电路版图的方法,并以一个600门的数字电路为例加以说明。PCB设计与版图设计本是两种类型的工作,但在某些条件下,将它们结合在一起可以充分利用计算机资源高效率地完成设计工作。希望本文在集成电路设计方法及充分利用计算机资源方面起到抛砖引玉的作用。     

W阻挡层对Al/TiSi_2/Si接触系统热稳定性的影响

用X射线衍射及I—V测量技术研究了W在Al/TiSi_2/Si接触系统中的作用,并与不加W阻挡层的情况作了比较。热稳定性的研究表明:在高达100℃退火时,W阻挡层能够阻止Al与TiSi_2的完全反应。对Al/W/TiSi_2/Si接触二极管的I—V测试表明,在480℃以内退火,势垒高度变化不大。当退火温度达500℃时,Si通过TiSi_2层扩散至W阻挡层而使之失效.     

同时含有稀土元素La Ce Pr Nd的材料的电子探针定量分析方法

研制了稀土六硼化物单晶LaB_6、CeB_6、PrB_6和NdB_6电子探针分析标样。根据X-射线峰位表和实测的特征X-射线谱,考察分析了La、Ce、Pr和Nd元素谱线之间的干扰情况,发现分析谱线PrLα_1受到L_αLβ_1线严重的干扰。以混合稀土金属为试样,采用扣除谱线重叠强度的背底非对称测量等方法对L_n、Ce、Pr和Nd进行了电子探针定量分析,其结果与荧光X-射线光谱分析结果符合较好。     

中子辐射下双极IC放大性能的变化

文中从单个晶体管不同工作电流下中子辐射时损伤常数的预估着手,推出一套适用于计算机模拟的数学模型、实验方法,由辐射下的瞬时电流即时地计算出相应的损伤常数,计算出晶体管的β降低值,以此来预知双极ＩＣ在中子辐射时的性能变化。     

碳纤维复合材料天线反射面研制

碳纤维复合材料产品具有轻质、高强度、高刚度等特点。本文介绍了新型碳纤维复合材料天线反射面的研制过程,并详细叙述了该天线研制工艺中的关键技术。