全文获取类型
收费全文 | 74709篇 |
免费 | 6929篇 |
国内免费 | 4388篇 |
专业分类
电工技术 | 4666篇 |
技术理论 | 4篇 |
综合类 | 5981篇 |
化学工业 | 11076篇 |
金属工艺 | 4492篇 |
机械仪表 | 4321篇 |
建筑科学 | 4492篇 |
矿业工程 | 2466篇 |
能源动力 | 2303篇 |
轻工业 | 7026篇 |
水利工程 | 1798篇 |
石油天然气 | 2586篇 |
武器工业 | 734篇 |
无线电 | 9466篇 |
一般工业技术 | 8360篇 |
冶金工业 | 4538篇 |
原子能技术 | 1157篇 |
自动化技术 | 10560篇 |
出版年
2024年 | 369篇 |
2023年 | 1104篇 |
2022年 | 2578篇 |
2021年 | 3288篇 |
2020年 | 2473篇 |
2019年 | 1831篇 |
2018年 | 2039篇 |
2017年 | 2234篇 |
2016年 | 2012篇 |
2015年 | 2903篇 |
2014年 | 3664篇 |
2013年 | 4887篇 |
2012年 | 5347篇 |
2011年 | 5774篇 |
2010年 | 5041篇 |
2009年 | 4931篇 |
2008年 | 5144篇 |
2007年 | 4700篇 |
2006年 | 3957篇 |
2005年 | 3209篇 |
2004年 | 2626篇 |
2003年 | 2288篇 |
2002年 | 2491篇 |
2001年 | 2127篇 |
2000年 | 1494篇 |
1999年 | 1001篇 |
1998年 | 1105篇 |
1997年 | 776篇 |
1996年 | 639篇 |
1995年 | 524篇 |
1994年 | 426篇 |
1993年 | 366篇 |
1992年 | 279篇 |
1991年 | 245篇 |
1990年 | 242篇 |
1989年 | 224篇 |
1988年 | 175篇 |
1987年 | 162篇 |
1986年 | 144篇 |
1985年 | 129篇 |
1984年 | 114篇 |
1983年 | 89篇 |
1982年 | 73篇 |
1981年 | 68篇 |
1980年 | 97篇 |
1979年 | 62篇 |
1978年 | 65篇 |
1977年 | 61篇 |
1976年 | 81篇 |
1975年 | 45篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 10 毫秒
991.
重点讨论了干涉法测试单模光纤偏振模色散 ( PMD)的原理、方法 ,并对长飞光纤光缆有限公司生产的 G.65 2、G.65 5单模光纤进行了在线测试 ,根据测试数据 ,分别计算出了这两种光纤 PMD的链路值 .结果表明 ,长飞光纤光缆有限公司生产的这两种光纤的 PMD值均在标准范围之内 相似文献
992.
稳腔固体激光器运转时热透镜焦距的测量 总被引:7,自引:1,他引:7
给出一测量激光二极管 (LD)端面抽运固体激光器稳态运转时腔内激活介质热透镜焦距的简便方法。采用混合模类高斯光束描述激光器输出镜后的光场分布 ,通过一狭缝在不同位置横向扫描光场来测得光束的光斑尺寸和描述光束的质量因子M2 ,根据混合模类高斯光束传播规律推导出光束的束腰及在相同激光器参数下对应的基模高斯光束束腰的大小 ,由此利用稳定谐振腔标准传输矩阵理论可得到相应的激光介质的热透镜焦距。基于上述测量原理 ,对LD端面抽运Nd∶YVO4 固体激光器热透镜焦距进行了测量 ,实验结果和理论分析相符。 相似文献
993.
Sub-50 nm P-channel FinFET 总被引:6,自引:0,他引:6
Xuejue Huang Wen-Chin Lee Kuo C. Hisamoto D. Leland Chang Kedzierski J. Anderson E. Takeuchi H. Yang-Kyu Choi Asano K. Subramanian V. Tsu-Jae King Bokor J. Chenming Hu 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2001,48(5):880-886
High-performance PMOSFETs with sub-50-nm gate-length are reported. A self-aligned double-gate MOSFET structure (FinFET) is used to suppress the short-channel effects. This vertical double-gate SOI MOSFET features: 1) a transistor channel which is formed on the vertical surfaces of an ultrathin Si fin and controlled by gate electrodes formed on both sides of the fin; 2) two gates which are self-aligned to each other and to the source/drain (S/D) regions; 3) raised S/D regions; and 4) a short (50 nm) Si fin to maintain quasi-planar topology for ease of fabrication. The 45-nm gate-length p-channel FinFET showed an Idsat of 820 μA/μm at Vds=Vgs=1.2 V and T ox=2.5 mm. Devices showed good performance down to a gate-length of 18 nm. Excellent short-channel behavior was observed. The fin thickness (corresponding to twice the body thickness) is found to be critical for suppressing the short-channel effects. Simulations indicate that the FinFET structure can work down to 10 nm gate length. Thus, the FinFET is a very promising structure for scaling CMOS beyond 50 nm 相似文献
994.
This paper presents the analysis and design of a single-phase voltage regulator (VR) and its multinodule parallel control. The VR employs the pulsewidth modulation three-arm rectifier-inverter topology. The inverter side adjusts the load voltage with the series regulating structure aiming to minimize converter capacity and attain higher efficiency. The rectifier side regenerates the load power and executes the active power filter function to achieve unity power factor. Based on such high-performance VR, a resistive droop method combined with the P-V droop and Q-δ shift scheme is then proposed to control the current sharing such that multiple VRs can be paralleled directly without any control interconnection. The proposed parallel control technique possesses the features of fast response, precise voltage regulation, equal fundamental and harmonic current sharing, tolerance for parameter mismatch, and so on. Two prototype 1 KVA VRs are implemented, and the effectiveness is demonstrated by some simulation and experimental results 相似文献
995.
Novel GaAs-AlGaAs heterojunction phototransistors with a δ-doped base have been fabricated. Very high gain and low output noise have been measured. The measured noise is composed of shot noise associated with collector quiescent bias current and amplified shot noise due to collector leak current for nonpassivated devices. The high gain and low intrinsic noise characteristics of these transistors make them very promising in weak light detection 相似文献
996.
基于VO_2薄膜非致冷红外探测器性能研究 总被引:1,自引:2,他引:1
用微电子工艺制备了 V O2 溅射薄膜红外探测器 ,在 2 96 K的环境温度中测试了该探测器对 8- 12 μm红外辐射的黑体响应率和噪声电压 ,结果显示该探测器在调制频率为 30 Hz时可以实现探测率 D*=1.89× 10 8cm H z1 /2W- 1 ,热时间常数 τ=0 .0 11s的非致冷红外探测 相似文献
997.
998.
999.
提出了一种基于图像兴趣点方向梯度直方图的检索方法.为了提高检索准确度,首先采用直方图均衡化增强图像对比度,然后利用SURF(Speeded Up Robust Features)检测子检测图像中的兴趣点,以兴趣点为中心,对兴趣点邻域内分块方向梯度直方图进行图像特征描述,最后进行相似性度量.该算法通过直方图均衡化,提取到图像中更丰富的细节信息尤其对于颜色单一与颜色较深的图像,而且算法中充分利用了图像中包含信息量较多的图像兴趣点.实验证明,该算法提高了图像检索的准确度,相比其他算法取得了更好的检索结果. 相似文献
1000.
基于马尔可夫决策理论研究理性密码共享系统模型和秘密重构方法。首先利用马尔可夫决策方法,提出适合于理性秘密共享的系统模型,该模型包括参与者集合、状态集合、风险偏好函数、状态转移函数、回报函数等。在模型中,引入秘密重构中的参与者的风险偏好函数刻画秘密共享模型的状态集合和状态转移函数。其次,基于所提出的系统模型构造相应的理性秘密共享方案,基于马尔可夫策略解决各理性参与者在秘密共享方案中的秘密重构问题。最后对方案进行理论分析证明,给出理性秘密重构方案中折扣因子、回报函数、参与者风险偏好函数间的函数关系,其结果表明所提系统模型方法的合理性和有效性。 相似文献