用数采器对空压机进行状态监测预报

通过几个典型事例的分析、判断和处理，介绍了该厂怎样利用９１ｌ型数采器对２Ｄ１２—１００／８型空压机运行状态进行监测，以预报早期故障，为设备检修提供指导．     

石油系油浆与煤系闪蒸油的焦化性能——I．热解条件的影响

通过偏光显微镜观察了石油系油浆（LH）与煤系闪蒸油（SN）焦化后所得焦块的光学结构。结果表明，在较宽条件下两种原料单独焦化均得不到取向度高的流线型结构。将两种原料以一定比例混合后先热解丙焦化所得焦块的光学结构明显好于二者混合后直接焦化所得焦块的光学结构，其中LH和SN以3：2的重量比混合后在440℃、1MPa下热解3．5h然后再在530℃、1MPa下焦化8h所得焦块为具有较高取向度的流线型结构，适合于作为针状焦的起始原料。     

基于Lotus Notes软件平台创建江铜办公自动化系统

本文介绍利用LotusNotes软件平台的电子邮件、复合文档数据库、工作流和完全的Client/Server技术 ,建立一个以开放、先进的Intranet/web及消息传递和工作流管理技术为核心的新一代全方位网络办公自动化系统。     

我国建筑涂料技术进步简评

从以下诸方面简述我国建筑涂料的技术进步:⑴新品种涂料的研制开发;⑵加强对配套材料及施工技术的研究;⑶超细填料在涂料中的应用;⑷计算机自动配色技术;⑸产品标准的修订;⑹建筑涂料的实用范围扩大。     

北京谱仪端盖簇射计数器工作气体的研究

为使北京谱仪端盖族射计数器更好地工作在自猝灭流光ＳＱＳ模式下，提高其能量分辨以及线性等指标，用Ａｒ，ＣＯ２，Ｌｓｏｂｕｔａｎｅ三元工作气体对探测器的工作性能进行了仔细研究，找出了一适合于主雇地数器的工作气体，此外，还研究了异丁的纯度对探测器性能的影响。     

转移法色交换

将图Ｇ的着色由一种变为中一种，通常用Ｋｅｍｐｅ法以交换。但是，对于某些情况，用此法无效。针对这个问题，本文提出了一种转移法色交换，它适用于平面图着色，方法直观，清晰且有效。     

辐射制备缓释抗癌药阿糖胞苷的研究

报告了甲基丙烯酸酯类在室温下进行辐射聚合制备缓释抗癌药阿糖胞苷（Ａｒａ－Ｃ）的研究结果。结果表明，不仅亲水性单体，而且疏水性单体（包括ＭＭＡ、ＥＭＡ和ＢＭＡ等）都可用于辐射固化。加入到亲水性基质中的疏水性单体可以延缓药物的离体释放，其顺序是ＭＭＡ＜ＥＭＡ＜ＢＭＡ，央ＭＭＡ－ＨＥＭＡ共聚物中，Ａｒａ－Ｃ释放率随着基质中的ＭＭＡ含量增加而降低。药物的离体释放还受许多困素的控制，结果显示：药物释放量随着     

~（60）Co辐照对聚四氟乙烯表面润湿性的影响

研究了具有低表面能的氟聚合物聚四氟乙烯（ＰＴＦＥ），经６０Ｃｏγ射线辐照后表面状态的变化，以及其对液体介质蒸馏水的润湿性。较详细地论述了辐照后表面粗糙度、结晶度以及表面化学基因等不同因素对ＰＴＦＥ表面润湿性的影响。通过对ＰＴＦＥ及其表面的红外、Ｘ光衍射，表面粗糙度的分析，弄清了辐照后ＰＴＦＥ表面化学基团的改变对有机氟聚合物表加的润湿性影响很大，而粗糙度和结晶度的变化对润湿性影响较小。     

Mechanism analysis of gate-induced drain leakage in off-state n-MOSFET

An analytical expression for both band-to-band and band-trap-band indirect tunnelings is used to study the gate-induced drain leakage (GIDL) current of MOSFETs measured before and after hot-carrier stress. The voltage and temperature dependence of GIDL are characterized. Both results show that interface traps situated near the midgap participate in the conduction of GIDL, and band-trap-band indirect tunneling could be the major mechanism. This is further supported by the fact that the percentage increase in GIDL induced by hot-carrier stress is about the same as the corresponding increase in interface-trap density. On the other hand, under low-field conditions, trap-assisted Poole–Frenkle emission dominates over tunneling for temperatures even well below room temperature.     

Ka-band solid-state pulsed Gunn oscillator and power combiner

GaAs Gunn diodes were fabricated for pulse source application at 8 mm wave band and operated with pulsewidths of 0.05 to 2.0 microseconds and duty cycles of 0.001 to 0.01. Peak pulse output power levels of 0.8–1.2W are achieved and the maximum available power is 1.6W with the highest efficiency of 6.5 percent. A simple and compact pulsed power combiner is also given in this paper.