用各向异性介质构造的一维光子晶体的特性分析

本文根据单轴晶体的传输矩阵，研究了一种由各向异性介质周期排列构成的一维光子晶体，分析了在不同入射角度和折射率条件下，该周期结构的反射和偏振的光学特性。分析结果表明，各向异性介质在折射率比值较大或与高折射率同性介绍结合使用，可获得较宽的禁带，并可实现在可见光范围内的全偏振全角度反射。     

电容位移法精确测量磁性薄膜的磁致伸缩系数

介绍了一种精确测量磁性薄膜磁致伸缩系数方法－电容位移法，并自行研制组装了一套测量装置，通过误差分析，仪器的精确标定，对稀土－铁超磁致伸缩薄膜的磁致伸缩系数进行了测量，获得满意的结果。     

大型钢制焊接双层低温储罐设计建造

介绍了大型钢制焊接双层低温储罐的结构形式、选材、建造、检验及保冷要求 ,结合所设计的低温液氨储罐 ,对设计建造这类储罐必须考虑的一些问题作了分析     

防洪物资调度决策分析

防洪物资调度是防洪抢险调度的重要组成部分,当发生较大洪水时,常伴随着不同程度险情的发生。每一次及时而有效的成功抢险,对防洪减灾往往起着决定性的作用。显然,每一个抢险措施,都涉及到抢险物资的调度与运输。因此,防洪物资调度具有重要的理论与应用价值。     

砂岩气藏水基欠平衡钻井逆流自吸效应实验研究

采用水基钻井液欠平衡钻开砂岩气层时，欠平衡压差往往并不能完全抵消岩石的自吸毛细管力，从而产生逆流自吸效应。这种自吸效应可能对砂岩气藏水基欠平衡钻井的储层保护效果产生影响，但目前与之有关的实验研究还很缺乏。为此，设计了一套实验装置，模拟水基欠平衡条件，研究了砂岩基块孔隙逆流自吸规律及其影响因素。结果表明，水基欠平衡钻井过程的逆流自吸效应引起岩石气相渗透率降低，削弱欠平衡钻井的储层保护效果；欠平衡压差越小，逆流自吸作用越强，过小的欠压值不能起到欠平衡钻井保护储层的作用；随着逆流自吸时间延长、围压增加和黏土矿物膨胀，逆流自吸导致气相渗透率下降的程度加剧；逆流自吸引起的气相渗透率下降速率可以表示成时间的幂函数。     

四方向上的任意角度扇形数字滤波器的设计

具有任意角度（扇形所围成的角度）和任意方向（扇形所取方向）的扇形数字滤波器在图像数据压缩和地质、地震等方面的数据处理中有着广泛的应用。目前，大多数的工作多集中于水平及垂直方向的９０°扇形数字滤波器的设计，因而有必要研究任意方向上的任意角度的扇形数字滤波器的设计。本文介绍利用ＭｃＣｌｅｌｌａｎ交换法设计具有垂直，水平及±４５°方向上的任意角度的扇形数字滤波器的设计方法，垂直水平方向上的扇形滤波器的设     

浅谈电动潜油单螺杆采油系统的研究开发

介绍了国内外各种螺杆泵采油系统的发展现状，并对电动潜油螺杆泵采油系统中齿轮减速器这一关键部件的方案选择进行了分析，旨在为研制开发国产高性能电动潜油螺杆采油系统提供参考。     

绿色蕨菜贮藏加工的研究

概述了在pH8.0的烫漂液中加锌盐对绿色蕨菜进行贮藏加工的技术,结果非常满意,克服了传统腌制蕨菜营养损失以及钠离子含量过高问题。     

Physical model of drain conductance, gd, degradation ofNMOSFET's due to interface state generation by hot carrierinjection

Degradation of analog device parameters such as drain conductance, g_d, due to hot carrier injection has been modeled for NMOSFET's. In this modeling, mobility reduction caused by interface state generation by hot carrier injection and the gradual channel approximation were employed. It has been found that g_d degradation can be calculated from linear region transconductance, g_m, degradation which is usually monitored for hot carrier degradation of MOSFET's. The values of g_d degradation calculated from g_m degradation fit well to the measured values of g_d degradation The dependence of the g_d degradation lifetime on L_eff has been also studied, this model also provides an explanation of the dependence on L_eff. The model is then useful for lifetime predictions of analog circuits in which g_d degradation is usually more important than g_m degradation