首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   580篇
  免费   20篇
  国内免费   1篇
电工技术   9篇
综合类   7篇
化学工业   146篇
金属工艺   6篇
机械仪表   3篇
建筑科学   65篇
能源动力   17篇
轻工业   107篇
水利工程   3篇
无线电   20篇
一般工业技术   88篇
冶金工业   33篇
原子能技术   3篇
自动化技术   94篇
  2023年   8篇
  2022年   15篇
  2021年   24篇
  2020年   9篇
  2019年   16篇
  2018年   21篇
  2017年   19篇
  2016年   19篇
  2015年   23篇
  2014年   34篇
  2013年   40篇
  2012年   41篇
  2011年   45篇
  2010年   35篇
  2009年   36篇
  2008年   30篇
  2007年   32篇
  2006年   29篇
  2005年   16篇
  2004年   20篇
  2003年   10篇
  2002年   9篇
  2001年   5篇
  2000年   6篇
  1999年   5篇
  1998年   5篇
  1997年   6篇
  1996年   3篇
  1995年   4篇
  1994年   5篇
  1993年   5篇
  1992年   1篇
  1991年   4篇
  1990年   1篇
  1989年   2篇
  1988年   2篇
  1987年   5篇
  1985年   2篇
  1984年   1篇
  1983年   2篇
  1982年   1篇
  1981年   1篇
  1980年   1篇
  1977年   1篇
  1975年   2篇
排序方式: 共有601条查询结果,搜索用时 0 毫秒
601.
In the search of low cost and more efficient electronic devices, here the properties of SrVO3 transparent conductor oxide (TCO) thin film are investigated, both visible-range optically transparent and highly conductive, it stands as a promising candidate to substitute the standard indium-tin-oxide (ITO) in applications. Its surface stability under water (both liquid and vapor) and other gaseous atmospheres is especially addressed. Through the use of spectroscopy characterizations, X-ray photoemission and operando X-ray absorption measurements, the formation of a thin Sr-rich V5+ layer located at the surface of the polycrystalline SrVO3 film with aging is observed, and for the first time how it can be removed from the surface by solvating in water atmosphere. The surface recovery is associated to an etching process, here spectroscopically characterized in operando conditions, allowing to follow the stoichiometric modification under reaction. Once exposed in oxygen atmosphere, the Sr-rich V5+ layer forms again. The findings improve the understanding of aging effects in perovskite oxides, allowing for the development of functionalized films in which it is possible to control or to avoid an insulating surface layer. This constitutes an important step towards the large-scale use of V-based TCOs, with possible implementations in oxide-based electronics.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号