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991.
吴琼  袁静 《现代电子技术》2009,32(20):60-62
H.264标准是压缩率和图像质量方面的关键新技术,研究H.264通过时传统的帧内预测、帧间预测、变换编码和熵编码等算法的改进来进一步提高编码效率和图像质量,给出了基于C代码的宏块编码流程与复杂度测试.仿真结果证明H.264具有更高的压缩比,更好的IP和无线网络信道的适应性.H.264的高压缩率是以复杂度为代价,其复杂度是以耗时为依据的.  相似文献   
992.
固态封装型的体声波谐振器的制备与性能分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
以Ti/Mo为布喇格反射层,在Mo底电极上沉积了高c轴择优取向的AlN薄膜,并采用微机电系统(MEMS)工艺制备了固态封装型体声波谐振器.用原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)测试了布喇格反射层的粗糙度和截面,用微波探针台和网络分析仪测试了以优化工艺参数条件制备的谐振器(FBAR)的频率特性,得到谐振器的谐振频率为2.51 GHz,有效机电耦合系数为3.89%,串并联品质因数为134.2和97.8.  相似文献   
993.
应用德国Micronas公司的CDC3207G微控制器开发了一款汽车仪表板系统。详细地介绍了该系统的硬件原理,以及步进电机,音频控制,LCD显示,LED指示灯和报警灯等几个模块的实现方法。应用μC/OS-II实时操作系统开发软件。着重介绍了启动代码的设计和任务的规划。  相似文献   
994.
频率特性测试仪的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
以89C51单片机和FPGA构成的最小系统为核心,实现了一定频带范围内对一个未知四端网络的幅频特性和相频特性的测量。该系统由扫频信号发生器,幅度测量模块,相位测量模块,示波器显示模块等构成。用数字频率合成技术设计扫频信号发生器。用户通过按键测量特定频率的频率特性。扫频测量时,可以选择扫频输出信号的下限和上限以及步进值。示波器显示出幅频和相频的曲线,界面友好。  相似文献   
995.
以单片机和FPGA为控制和处理核心,基于直接数字频率合成原理,利用DDS集成器件AD9851实现100 Hz~19 MHz输出的正弦信号发生器。通过自动增益控制(AGC)和功率放大,在50Ω负载情况下,100 Hz~19 MHz范围内,系统输出正弦波电压峰-峰值(6±1)V。系统硬件设计采用EDA工具,软件采用模块化的编程思想。  相似文献   
996.
研究一种用于组合秤和选别秤的高精度数据采集系统,采用具有24位分辨率的Σ-Δ模数转换器高性能片上系统(SoC)MSC1210和应变式称重传感器设计称重数据采集系统。该系统可应用于组合称重设备、选别设备,并具有精度较高,可靠性较强的特点。  相似文献   
997.
利用光纤Bragg光栅(FBG)中心反射波长对应力变化灵敏度高的特性,研制了一种新型的FBG公路车流量监视系统。该系统由2个FBG传感器按照一定的串接方式组合而成,利用光电转换器件与单片机的接口技术将系统前端输出的光信号转化成电信号,再用单片机编程实现数据的处理及分析。从理论上分析了该识别系统的工作原理,通过实验研究,证明该系统的车辆识别准确率达100%。该系统具有抗潮湿、抗粉尘和抗电磁干扰的优点,有望进一步推广,替代现有的电子类监测设备。  相似文献   
998.
赵硕  郭磊  王敬  许军  刘志弘 《半导体学报》2009,30(10):104001-6
Hole mobility changes under uniaxial and combinational stress in different directions are characterized and analyzed by applying additive mechanical uniaxial stress to bulk Si and SiGe-virtual-substrate-induced strained- Si(s-Si)p-MOSFETs(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors)along 110 and 100 channel directions. In bulk Si,a mobility enhancement peak is found under uniaxial compressive strain in the low vertical field.The combination of 100 direction uniaxial tensile strain and substrate-induced biaxial tensile strain provides a higher mobility relative to the 110 direction,opposite to the situation in bulk Si.But the combinational strain experiences a gain loss at high field,which means that uniaxial compressive strain may still be a better choice.The mobility enhancement of SiGe-induced strained p-MOSFETs along the 110 direction under additive uniaxial tension is explained by the competition between biaxial and shear stress.  相似文献   
999.
The accurate extraction of AlGaN/GaN HEMT small-signal models, which is an important step in largesignal modeling, can exactly reflect the microwave performance of the physical structure of the device. A new method of extracting the parasitic elements is presented, and an open dummy structure is introduced to obtain the parasitic capacitances. With a Schottky resistor in the gate, a new method is developed to extract Rg. In order to characterize the changes of the depletion region under various drain voltages, the drain delay factor is involved in the output conductance of the device. Compared to the traditional method, the fitting of S 11 and S 22 is improved, and fT and fmax can be better predicted. The validity of the proposed method is verified with excellent correlation between the measured and simulated S-parameters in the range of 0.1 to 26.1 GHz.  相似文献   
1000.
改进的迭代式TOD混沌跳频序列产生算法   总被引:2,自引:0,他引:2  
针对周期抽取法构造的混沌跳频序列在均衡性方面缺陷,提出了利用周期抽取与多比特抽取结合法产生迭代式TOD混沌跳频序列,理论分析及仿真结果表明,该方法构造的贝努利随机序列,具有很好的均衡性、动态特性、汉明相关性等性能,相对于多值量化与比特抽取相结合法减少了运算量,便于增加跳频序列的复杂度。  相似文献   
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