Properties of Quaternary Alloy Magnetic Semiconductor (InGaMn)As Grown on InP

We have studied properties of quaternary alloy magnetic semiconductor (InGaMn)As grown on InP substrates by low-temperature molecular-beam epitaxy (LT-MBE). A large MCD peak whose intensity is larger than 500 mdeg for (InGaMn)As was observed. This peak intensity was about three times larger than that of typical (GaMn)As films. Relatively high Curie temperature of 83 K of [(In_0.53Ga_0.47)_0.88Mn_0.12]As was observed by Hall measurements. The carrier concentration of [(In_0.53Ga_0.47)_0.88Mn_0.12]As was estimated to be more than 1.0 × 10²¹ cm^–3 by using the Curie–Weiss fitting of the Hall coefficient R _H, indicating that more than 40% of Mn atoms are activated. This means that (InGaMn)As has a higher activation ratio of Mn as acceptors than (GaMn)As.     

立方相GaN的持续光电导

研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 .     

减少地下工程支护喷射混凝土回弹量的措施

介绍了水布垭地下厂房喷射混凝土室内试验结果和施工实践,总结了降低喷射混凝土回弹率的主要措施。     

平滑相位的π/4DQPSK调制及其在移动通信系统中的应用

本文详细介绍了一种新型π/ 4DQPSK调制解调方法 ,该方法将π/ 4DQPSK调制中的相位跳变改为平滑变化。仿真实验表明 ,与普通的π/ 4DQPSK相比 ,该方法使高次谐波分量大幅下降 ,可以有效降低功耗 ,压缩频带宽度。     

华北油田隐蔽油藏勘探实践与认识

随着勘探的不断深入,华北油田富油凹陷构造油藏的勘探程度越来越高,勘探对象日趋复杂,勘探难度越来越大。面临勘探现状,华北油田认真分析勘探形势,立足资源基础,解放思想,积极转变勘探观念,有意识地加强隐蔽油气藏的深入研究与勘探,先后在冀中坳陷的饶阳凹陷、二连盆地的巴音都兰凹陷、乌里雅斯太凹陷等发现了多个规模富集的隐蔽油藏。通过隐蔽油藏的勘探实践,取得了四点主要认识、六点重要启示,对今后深化华北油田隐蔽油藏的勘探具有重要的指导作用。     

IEEE802.11g研究综述

全面介绍了IEEE802.11g标准的WLAN，详细讲述了IEEE802.11g草案标准的概念、特点、构件及体系结构、发展前景等，并探讨了实现IEEE802.11g WLAN所需的几项关键技术，同时分析了IEEE802.11g标准的网络性能。其关键技术包括直序列扩频调制技术及补码键控技术，包二进制卷积，正交频分复用技术等。有关IEEE802.11g的兼容性，同频共存性，自身的OFDM问题分析将成为研究的热点。     

浅谈水闸安全检测

通过对华东沿海地区80年代以前修建的一些在役水闸工程的系统安全检测和分析,发现了水闸工程存在的安全隐患,同时也了解水闸工程尚有的潜在能力。提醒水闸管理部门,在役水闸满足目前社会发展需要的同时,还必须高度重视水闸的安全生产运行和管理。水闸安全检测就是利用先进的检测手段,为业主及时、高效、经济和高质量地解决水闸工程存在的实际问题。     

超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析

提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析.     

五轴铣削加工中心坐标转换数学模型的建立及应用

首先以 HERMLE C1200 U 为例分析了五轴铣削加工中心的基本结构,然后据此给出了涉及多轴铣削加工中心后置处理角度分配和坐标变换的数学模型,最后介绍了以此数学模型为核心,为UG 软件开发的后置处理软件 UG-HERP1.0的解决方案。     

掺Yb相移光纤光栅形成过程的分析

研究了用二次曝光法制作掺Yb相移光纤光栅的实验过程 ,并对相移光纤光栅制作过程中出现次峰的情况进行了理论分析。合理地解释了该现象