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Yuhua Cheng Min-Chie Jeng Zhihong Liu Jianhui Huang Mansun Chan Kai Chen Ping Keung Ko Chenming Hu 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1997,44(2):277-287
A new physical and continuous BSIM (Berkeley Short-Channel IGFET Model) I-V model in BSIM3v3 is presented for circuit simulation. Including the major physical effects in state-of-the art MOS devices, the model describes current characteristics from subthreshold to strong inversion as well as from the linear to the saturation operating regions with a single I-V expression, and guarantees the continuities of Ids, conductances and their derivatives throughout all Vgs, Vds, and Tbs, bias conditions. Compared with the previous BSIM models, the improved model continuity enhances the convergence property of the circuit simulators. Furthermore, the model accuracy has also been enhanced by including the dependencies of geometry and bias of parasitic series resistances, narrow width, bulk charge, and DIBL effects. The new model has the extensive built-in dependencies of important dimensional and processing parameters (e.g., channel length, width, gate oxide thickness, junction depth, substrate doping concentration, etc.). It allows users to accurately describe the MOSFET characteristics over a wide range of channel lengths and widths for various technologies, and is attractive for statistical modeling. The model has been implemented in the circuit simulators such as Spectre, Hspice, SmartSpice, Spice3e2, and so on 相似文献
996.
Hu C. Anselm K.A. Streetman B.G. Campbell J.C. 《Quantum Electronics, IEEE Journal of》1997,33(7):1089-1093
It is well known that the gain-bandwidth product of an avalanche photodiode can be increased by utilizing a thin multiplication region. Previously, measurements of the excess noise factor of InP-InGaAsP-InGaAs avalanche photodiodes with separate absorption and multiplication regions indicated that this approach could also be employed to reduce the multiplication noise. This paper presents a systematic study of the noise characteristics of GaAs homojunction avalanche photodiodes with different multiplication layer thicknesses. It is demonstrated that there is a definite “size effect” for multiplication regions less than approximately 0.5 μm. A good fit to the experimental data has been achieved using a discrete, nonlocalized model for the impact ionization process 相似文献
997.
UV-LIGA光刻设备研究 总被引:3,自引:0,他引:3
近几年来微型机电系统 (MEMS)的研究得到了高速的发展 ,而MEMS的工艺基础是微细加工技术。针对电铸 (LIGA)技术所存在的缺点提出了紫外光电铸(UV -LIGA)技术 ,并研制了用于UV -LIGA技术的光刻设备。其中介绍了整机的设计要点、所解决的关键单元技术和实验结果。 相似文献
999.
对于输入缓冲和输出缓冲ATM组播交换系统,目前主要有两种信元调度算法:窗口调度算法和输出缓冲算法。这两种算法分别用于输入缓冲和输出缓冲系统中,其缺点是对处理器速度和存储器访问速度要求较高。笔者给出的算法对交换网络的处理速度和存储器访问速度要求不高。可以大大改善了交换机的延迟-吞吐率性能。 相似文献
1000.
胡先志 《电信工程技术与标准化》2002,(3):37-40
本给出了在不同的外界条件下的一些光纤和光缆的偏振模色散系数的测量值,而且对测量结果进行了讨论和分析。 相似文献