Autolisp在开发V画面体视图自生成系统中的应用

介绍了近年来体视投影技术的应用及发展，并提出了用AutoCAD的内嵌开发工具Autolisp语言结合Visualisp中的对话框控制语言DCL来开发体视图自动生成系统的新思路．根据V画面体视投影原理，推导出了V画面体视变换矩阵．给出了该系统的程序流程框图及相应的功能模块．并将该系统的界面和基本功能进行了展示，从而为体视自生成技术的研究开辟了新的道路．     

钢中氧氮的测定方法研究

主要介绍了ELTRAON900气体分析仪测量O,N的原理,并重点探讨了分析参数的改变对钢中测量结果的影响,确定了测量钢中O,N的最佳分析条件,在该条件下测定钢中O,N的相对标准偏差RSD分别为2.65%～5.07%,0.63%～28.3%,符合测量要求.     

关于Ada95变体部分等语法的修正意见

本文指出了Ａｄａ９５ 参考手册中记录变体部分、记录聚集、分情形语句与异常处理段等语法描述中存在的问题，并分别给出了它们的修正方案。     

多孔挡板流化床还原UO3反应器模型的研究

针对ＵＯ＿３的Ｎ＿２还原反应建立了多孔挡板流化床反应器模型。将多孔挡板床的每一级视为具有相似的流动状态，每一级的上、下段称为稀、密相段，分别用鼓泡床和活塞流模型描述。该模型的计算值与￠６３ｍｍ的多孔挡板床Ｈ＿２还原ＵＯ＿３的热态实验值能较好的吻合。还预计了还原温度、操作气速和挡板结构参数对固相转化率的影响，为该类反应器的工业设计、放大和优化提供了依据。     

含氚废水水泥固化实验研究

研究用水泥固化处理氚废水,并选择了最佳配方:水与灰的重量比=0.45～0.5,水泥与石膏重量比=5∶1。用IAEA推荐的方法做浸出实验。为了减少水泥固化体中氚的浸出量,实验了几种涂层材料。沥青涂层可将固化体氚的浸出率降低1～2个量级。     

基于知识的服装CAD

本文提出一种基于知识的计算机辅助服装设计系统，该系统运用了人工智能中产生式和框架思想，把服装设计中智能和各种常识和技能进行抽象，把服装按人体部位进行自上而下的分层，从而把一个很复杂的问题转变为简单问题。本文同时提出真实显示服装效果图的数学模型。     

一种碳－碳复合材料长寿命防氧化涂层的失效机制

用液相法联合ＣＶＤ法和硅化法制备了一种碳－碳复合材料复合梯度涂层，在此基础上对这种涂层在氧化过程中的失效机制进行了研究．结果表明：氧化层与液相层界面反应生成的气相产物是涂层失效的根本原因界面上气泡的不均匀形核、长大和破裂导致涂层表面出现孔洞．孔洞处气泡优先形核、长大和破裂并发展成为缺陷而使涂层失效     

松香及其衍生物在浮选分离中的应用

介绍了松香的来源、化学组成及理化性质；讨论了松香及其衍生物在非硫化物矿浮选分离、有色金属离子的浮选分离以及从水溶液中浮选分离有机物等方面的应用情况。     

铁电体尺寸对其开关特性的影响

应用铁电体极化反转的Orihara Ishibashi理论 ,讨论了圆形铁电薄膜和球形铁电体的开关电流以及开关时间对系统尺寸的依赖性。数值计算表明 ,不论是二维还是三维铁电系统 ,其铁电畴反转过程中产生的开关电流都随系统尺寸减少而下降 ,开关时间随系统尺寸减少而缩短     

Gate and drain currents in off-state buried-type p-channel LDDMOSFETs

The buried-type p-channel LDD MOSFETs biased at high positive gate voltage exhibit novel characteristics: (1) the ratio of the drain to gate currents is about 1×10^-3 to 5×10^-3; and (2) the gate and drain currents both are functions of only the gate voltage minus the n-well bias. Such characteristics are addressed based on the formation of the surface n ⁺ inversion layer due to the punchthrough of the buried channel to the underlying shallow p-n junction. The measured gate current is due to the Fowler-Nordheim tunneling of electrons from this inversion layer surface and the holes generated within the high-field oxide constitute the drain current. The n⁺ inversion layer surface potential is found to be equal to the n-well bias plus 0.55 V. As a result, both the oxide field and the gate and drain currents are independent of drain voltage