首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   23145篇
  免费   3437篇
  国内免费   1585篇
电工技术   2297篇
综合类   2458篇
化学工业   2810篇
金属工艺   1802篇
机械仪表   1648篇
建筑科学   1985篇
矿业工程   951篇
能源动力   551篇
轻工业   2874篇
水利工程   722篇
石油天然气   778篇
武器工业   401篇
无线电   2343篇
一般工业技术   1954篇
冶金工业   991篇
原子能技术   314篇
自动化技术   3288篇
  2025年   18篇
  2024年   487篇
  2023年   529篇
  2022年   933篇
  2021年   1191篇
  2020年   826篇
  2019年   596篇
  2018年   651篇
  2017年   700篇
  2016年   660篇
  2015年   1024篇
  2014年   1344篇
  2013年   1540篇
  2012年   1992篇
  2011年   2045篇
  2010年   1920篇
  2009年   1909篇
  2008年   1932篇
  2007年   1885篇
  2006年   1560篇
  2005年   1255篇
  2004年   865篇
  2003年   592篇
  2002年   547篇
  2001年   492篇
  2000年   372篇
  1999年   137篇
  1998年   36篇
  1997年   34篇
  1996年   18篇
  1995年   10篇
  1994年   9篇
  1993年   6篇
  1992年   3篇
  1991年   4篇
  1990年   8篇
  1989年   7篇
  1988年   7篇
  1987年   5篇
  1986年   1篇
  1985年   2篇
  1983年   1篇
  1981年   1篇
  1980年   5篇
  1979年   3篇
  1959年   3篇
  1951年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
An open-cell aluminum foam filled with silicate rubber (AFFSR) was fabricated by infiltration of the liquid silicate rubber into the open-cell aluminum foam. The experiments were carried out to investigate the compressive behavior and energy absorption characteristics of the material. It is found that the stress--strain response of the AFFSR exhibits five regions including two plateau regimes, which is quite different from the stress--strain curves of many unfilled metallic foams that usually exhibit three distinct regions. The plastic deformation of the AFFSR is prolonged because of the filled silicate rubber, compared with the aluminum foam without such a filler. The AFFSR also exhibits a higher energy capacity than the aluminum foam without filler. Additionally, for the prolonged plateau region in the stress--strain curve, the energy absorption efficiency of the AFFSR maintains a high level (above 0.6) over a wide strain range from 3% to 60%.  相似文献   
62.
目的: 研究盐酸戊乙奎醚外消旋体及其4 个光学异构体在小鼠脑中的分布及QNB 对其分布的影响。方法: 应用GC-MS SIM 定量方法测定了盐酸戊乙奎醚外消旋体与其4 个光学异构体在小鼠脑中药物浓度。结果: 盐酸戊乙奎醚外消旋体及其4 个异构体在小鼠脑中均存在较高的分布浓度, 各异构体在脑中的分布特点是, 与M 受体亲和力较大的R-2 异构体在脑中具有较高的选择性分布浓度。R 型异构体在脑中消除慢, 而S 型异构体在脑中消除快。给予一定剂量的QNB, 可明显降低各异构体在小鼠脑中的分布水平, 其中药效作用较大的R-2 异构体受QNB 的影响更大。说明R-2 异构体在脑中占据的M 受体位点多, R-2 异构体的分布主要与M受体的立体特异性结合有关。结论: 盐酸戊乙奎醚异构体在小鼠脑中的分布与mAChR 的亲和力存在相关性,QNB 对盐酸戊乙奎醚外消旋体及其4 个异构体在小鼠脑中的分布有显著影响。  相似文献   
63.
温度对电沉积氢氧化镍电化学性能的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
薛雷  王为 《电镀与涂饰》2007,26(4):8-10
在0.1mol/L的Ni(NO3)2溶液中,采用电化学沉积法制备出适用于锌镍微电池的氢氧化镍电极,研究了电沉积温度对Ni(OH)2电极的电化学循环伏安性能以及充放电性能的影响。测试结果表明,电沉积方法制备的Ni(OH)2电极适合于微电池的制作。30°C下电沉积制备的Ni(OH)2电极具有优异的电化学性能,其质子扩散系数为7.71×10-12cm2/s,放电比容量为1285μAh/cm2,利用率达91.4%。  相似文献   
64.
采用电化学恒电位沉积方法在ITO导电玻璃上和在ZnO薄膜上沉积氧化亚铜(Cu2O),并通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对晶体的微观结构和表面形貌进行了分析.在ZnO基底上沉积得到了纳米级的Cu2O粒子并且具有明显择优取向,而在ITO导电玻璃上仅得到粒径为2—5胛的Cu2O粒子,没有明显的择优取向,对薄膜的生长机理进行了讨论.  相似文献   
65.
离子液体独特的全离子结构会导致良好的导电性,成为有潜力的绿色电化学材料.离子液体热稳定性好,不挥发,不燃烧,离子电导率高,电化学窗口宽,适合应用在电化学中.简单介绍了离子液体,并综述了离子液体在电有机合成中的应用研究进展.在电合成中,离子液体由于自身较高的电导而避免了加入电解质对电化学反应的干扰.离子液体在电有机合成中的应用分为有机氧化还原反应、电聚合反应、电解氟化反应.然而,离子液体在电有机合成方面研究的较少,它们作为反应介质应用于电有机合成仍然无法摆脱前人的成果.  相似文献   
66.
葫芦脲[6]与胭脂红配合物的稳定常数   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用分光光度法研究了葫芦脲与胭脂红所形成配合物的可见吸收光谱变化,推导出吸光度与浓度变化的相关方程,确定出葫芦脲与胭脂红形成配合物的稳定常数为K=1056.1.  相似文献   
67.
白云石中钙镁的有效分离   总被引:1,自引:0,他引:1  
目前生产镁化合物的工艺存在着设备投资高、收率低和纯度低等问题,镁资源没有得到充分利用,其中钙镁分离是影响产品纯度的关键。首次采用填料塔代替传统的碳化塔,获得了白云石钙镁分离的最佳工艺条件,即碳化温度为50℃~60℃,碳化时间为15 min。  相似文献   
68.
环烷基油——一种理想的橡胶增塑剂   总被引:2,自引:0,他引:2  
在欧洲,对芳烃油使用的限制已经成为轮胎和橡胶制品生产商的热门话题。出于环保和健康考虑。选择合适的替代增塑剂已经势在必行。环烷基油的技术和环保优势从而得以体现。尼纳斯石油是世界上最大的环烷基油公司。文中就其产品在橡胶加工中的应用作了深入的研究和对比。  相似文献   
69.
有机改性蒙脱土/木粉/PVC复合材料的阻燃性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
将有机改性蒙脱土(OMMT)加入PVC木塑体系,制备了有机蒙脱土/木粉/聚氯乙烯(OMMT/WF/PVC)纳米复合材料。采用锥形扫描量热测试法研究了OMMT用量对WF/PVC复合材料阻燃性能的影响。结果表明,添加OMMT可明显降低木塑的初始热失重率,但使快速热分解的开始时间提前,大大提高样品的燃烧残余率,显著延迟木塑的点燃时间和燃烧热峰值产生时间,OMMT起到了有效的阻燃作用。OMMT的加入还降低了总燃烧热,但燃烧热峰值有所增加,并使发烟量有所增加,CO和CO2产率也随之提高,增加了木塑燃烧的烟气危害性。  相似文献   
70.
薛福连 《腐蚀与防护》2007,28(9):486-487
介绍了一组冷凝管表面脱脂、酸洗、钝化的试剂及配方,试剂稳定、污染小,操作安全,使用寿命长,生产成本低,清洗效果明显。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号