铒镱共掺铋磷酸盐玻璃光谱性能的研究

基于光通信技术发展对光放大器材料的带宽要求,研究了掺铒铋磷酸盐玻璃的结构、熔制性能,以及其光谱性能,并且用Judd-Ofelt理论进行了光谱计算分析。得到了一种以铋磷酸盐为基质的光放大器玻璃材料,其折射率为1.778,荧光半峰全宽为54nm,发射截面为0.61×10-20cm2,其荧光寿命达到了8ms。结果表明,铒镱共掺铋磷酸盐玻璃是一种良好的宽带放大器材料。     

扩频数字接收机匹配滤波器的设计与实现

介绍了扩频数字接收机中利用匹配滤波器捕获伪码的原理。就某型号接收机对匹配滤波器的原理进行了理论分析．给出了在FPGA中匹配滤波器的软、硬件设计与算法实现。通过对设计电路的实时仿真表明：该匹配滤波器具有设计合理、捕获精度高、使用灵活方便等特点，可应用于其他扩频系统的数字接收机中。     

基于XML技术数据库优化接入设计

鉴于用户对目前数据库接入技术要求的提高，一种基于XML技术对数据库接入进行优化的技术出现了。这种技术利用了基于XML传输时的可扩展、高度结构化等特性，在JavaBean，JDBC，Apache，Tomcat等设计组件及Linux体系结构的配合使用下．为用户提供了一个安全、高效、可扩展且访问灵活的数据库接入方式。     

基于随机相位误差Tikhonov分布的MC-DS-CDMA系统性能分析

本文针对工作于慢变频率选择性Rayleigh衰落信道中的部分相干的MC-DS-CDMA系统，基于随机相位误差的Tikhonov密度分布提出了误码率上边界的一种分析方法。仿真结果表明，随着环路信噪比的增加，相位误差损耗所产生的系统误码率性能损失变得越来越小，当环路信噪比高于系统信噪比(Eb/N0)20dB时，系统误码率性能损失小于0．2dB。在MC-DS-CDMA系统中，由于能用频率分集取代路径分集，因而接收机结构更易实现。     

榆林气田含油含醇污水预处理工艺改造效果评价

污水预处理直接关系到后续处理能否正常运行。榆林天然气处理厂污水预处理系统自投产以来经常出现过滤器、换热器堵塞,无法加入药剂等现象,致使污水处理效果不理想。为此,通过深入分析该厂含油含醇污水预处理工艺存在的问题,进行了工艺改造,优化了工艺流程和加药方案,变原来的两级沉降两级除油为三级沉降三级除油,并在加药流程前增加蒸气混合加热器,使预处理药剂絮凝反应效果达到最佳。改造取得了满意的效果,预处理后的含醇污水油含量降至20 mg/L,铁离子含量降至0.5～1.0 mg/L,悬浮杂质浓度小于5 mg/L,含油含醇污水透光率在95%以上,既可以满足甲醇回收装置的进料要求,又有效缓解了后续设备、管线堵塞的问题,达到了预期目标。     

直流锅炉水化学工况的研究

国民经济的持续稳定增长有力地促进了火力发电行业的发展,随着火电行业规模的扩大,机组参数容量的增大,直流锅炉的水化学工况得到了人们的普遍关注和重视.介绍了直流机组常用的水化学工况,并着重分析了直流机组联合调节水处理法的主要优点.     

某硅铁余热锅炉蒸发器改造对锅炉性能的影响

某铁合金余热锅炉烟气温度长期过高导致蒸发器变形、锅炉传热恶化。通过在一、二级蒸发器间增加强制循环泵后锅炉余热利用率提高10%。通过对改造前后运行记录数据的分析,提出在缺失蒸汽流量测点和烟气流量测点的条件下评价锅炉换热性能的方法。分析结果表明此次改造的静态投资回收期为1.4个月。     

卫星覆盖区测试方法及工程应用

卫星覆盖区是卫星系统为用户提供服务能力的重要指标之一,也是卫星系统测试的重要内容。研究通过几个主要评判参数:出站链路卫星发射EIRPs、用户接收误码率,入站链路卫星G/T值的测试评判卫星覆盖区范围。同时介绍并对比了目前卫星覆盖区测试的2种测试方法:移动测试法和卫星姿态偏置测试法,以及测试所需测试设备组成和测试流程,并通过卫星覆盖区测试的工程实践说明了测试的可行性和有效性。     

量子线路仿真的分治算法

本文将通用量子线路分为两类,给出了每类中两种线路的酉算子表达式;根据矩阵张量积转置相似定理,实现了两类线路酉算子间的转换. 引入矩阵的直和运算并将其扩展到向量上,以简洁的形式直观地表示出量子线路对输入向量的作用. 在将量子线路抽象为受控酉运算嵌套的基础上,提出了仿真量子线路的分治算法. 相较于其他基于状态向量的仿真算法,该算法避免了通过张量积运算生成酉矩阵,从而节省了存储空间; 并且在仿真非平凡的量子线路时具有更好的时间复杂度.     

磁控溅射AIN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT

报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的A1N介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8 GHz、55 V的工作电压下,研制的1 mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4 W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56 dB和39.2%.