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991.
992.
继电器的触头弹跳对于开关电器来说是无法避免的,它通常是引起电气磨损和材料侵蚀的主要原因.本文基于正交实验,对影响航天继电器的触头弹跳的多种因素进行了方差分析和敏感性分析.结果表明:动触头的最大动能主要受驱动力大小和推动杆位置的影响,与簧片长度和触头规格均有一定的关系;最大的动态接触力主要受驱动力大小的影响,与簧片材料有一定的关系;最大弹跳位移主要受簧片长度和厚度的影响,与触头规格有一定的关系;总的弹跳时间与簧片长度有一定的关系;最大冲击速度主要受驱动力大小、推动杆位置和触头规格的影响;返回系数与簧片系统的外形参数以及外力作用方式关系不大,主要是受触头表面状况的影响;接触状态与驱动力大小有一定的关系. 相似文献
993.
牙鲆生长激素基因的克隆及其在大肠杆菌中的融合表达 总被引:6,自引:0,他引:6
采用逆转录聚合酶链式反应(RT-PCR)方法,从牙鲆(Paralichthys olivaceus)脑垂体总RNA中扩增出编码牙鲆生长素(GH)成熟肽基因序列。重组至融合表达载体pGEX-4T-3中,构建成牙鲆GH基因融合表达载体pGEX-gh,转化大肠杆菌BL21(DF3),筛选阳性克隆,IVIG诱导表达。经SDS-PAGE电泳显示在45kD处有特异的蛋白条带出现,该蛋白的表达量随诱导时间的延长而增加,3h达最高值,达到细胞总蛋白的18.3%。该融合蛋白在胞内主要以包涵体状态存在,经优化表达条件,成功地获得了可溶性的融合蛋白,经Glutathione Sepharase 4B凝胶纯化后用Western-blotting检测表明其为牙鲆生长激素,并通过酶联免疫吸附受体法证实其具有生物学活性。 相似文献
994.
995.
996.
阐述了一种以三电极体系为基础,研究溶液体系特性的高性能传感器阵列的设计原理和方法。它涵括了循环伏安法扫描、差分脉冲伏安法扫描、常规脉冲伏安法扫描、多电位阶跃扫描等多种功能等,能够对溶液体系施加多种方式的激发信号,得到多种相应特性,从而实现对溶液的全面分析。对新鲜生乳、熟乳(巴氏乳)、酸败乳溶液进行循环伏安法、脉冲伏安法、多电位阶跃等扫描方法检测,并进行主成分分析表征。研究结果表明,传感器阵列对生乳、熟乳(巴氏乳)、酸败乳有明显的辨别能力,不同的工作电极通过不同的检测方法对乳样有不同的区分力。 相似文献
997.
The flavonoid composition of flavedos and juices from four Chinese pummelo cultivars (Citrus grandis ‘Shatianyu’, C. grandis ‘Guanximiyu’, C. grandis ‘Yuhuanyu’, and C. grandis ‘Cuixiangtianyu’) and one grapefruit cultivar (Citrus paradisi ‘Changshanhuyu’), was investigated using high-performance liquid chromatography diode array detection electrospray ionisation mass spectrometry (HPLC-DAD-ESI MS/MS). Twenty-eight flavonoids were identified. Naringin was the predominant flavanone in these pummelo varieties, whereas naringin and neohesperidin were the principal flavanones found in C. paradisi ‘Changshanhuyu’. The four pummelo cultivars had higher levels of flavones when compared with the grapefruit. Based on the flavonoid profiles in flavedos and juices, four pummelo cultivars and one grapefruit cultivar were well separated. 相似文献
998.
999.
Ke Yan Zang Davy W. C. Cheong Hong Fei Liu Hong Liu Jing Hua Teng Soo Jin Chua 《Nanoscale research letters》2010,5(6):1051-1056
The release and transfer of GaN epilayers to other substrates is of interest for a variety of applications, including heterogeneous
integration of silicon logic devices, III–V power devices and optical devices. We have developed a simple wet chemical etching
method to release high-quality epitaxial III-nitride films from their substrates. This method builds on a nanoepitaxial lateral
overgrowth (NELO) process that provides III-Nitride films with low dislocation densities. NELO is accomplished using a nanoporous
mask layer patterned on GaN substrates. Chemical removal of the SiO2 layer after growth of III-Nitride overlayers causes fracture at the interface between the GaN film and the original GaN substrate,
resulting in free-standing GaN films with nanostructured surfaces on one side. These layers can be transferred to other substrates,
and the nano-structured surface can be used in photonic devices, or planarized for power devices. 相似文献
1000.