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71.
We studied the long-term clinical course of five patients with chronic manganese intoxication. The mean scores of the King's College Hospital Rating Scale for Parkinson's disease increased from 15.0 +/- 4.2 in 1987 to 28.3 +/- 6.70 in 1991 and then to 38.1 +/- 12.9 in 1995. The deterioration was most prominent in gait, rigidity, speed of foot tapping, and writing. Tissue concentrations of manganese in blood, urine, scalp hair, and pubic hair returned to normal. Follow-up MRIs did not show paramagnetic high-signal intensity on T1-weighted images. The data indicate that clinical progression in patients with manganese parkinsonism continues even 10 years after cessation of exposure. 相似文献
72.
73.
74.
大型离心复合球墨铸铁轧辊的生产 总被引:1,自引:0,他引:1
简述了我公司为舞阳铜厂试制4200mm厚板轧机离心复合球墨铸铁轧辊的性能要求、内外层双重金属铸造工艺参数的选择及整个铸造生产工艺过程。 相似文献
75.
Li Shihui Wu Xiangyang Ma Fengshan 《International Journal of Rock Mechanics and Mining Sciences》1998,35(6):787-795
Precedent type analysis (PTA) emerged in China in the 1980s. It is a principle and method used for rapid analysis and prediction of rock stability in tunnelling projects. In this paper, PTA is formally defined and emphasis is placed on the application of PTA to the assessment of designs for diversion tunnels at the Ertan hydro-electric station. It compares PTA with the conventional analysis of rock mechanics; it also contrasts their applications and conclusions. 相似文献
76.
From the corrosion fatigue test under intermit-tent wetting condition for offshore structural steelof A537 cl.l and data analysis,some results associ-ated with the role of pits in fatigue process havebeen discussed. 相似文献
77.
Ismail K. Meyerson B.S. Rishton S. Chu J. Nelson S. Nocera J. 《Electron Device Letters, IEEE》1992,13(5):229-231
The authors report on the fabrication and the resultant device characteristics of the first 0.25-μm gate-length field-effect transistor based on n-type modulation-doped Si/SiGe. Prepared using ultrahigh vacuum/chemical vapor deposition (UHV/CVD), the mobility and electron sheet charge density in the strained Si channel are 1500 (9500) cm2/V-s and 2.5×1012 (1.5×1012 ) cm-2 at 300 K (77 K). At 77 K, the devices have a current and transconductance of 325 mA/mm and 600 mS/mm, respectively. These values far exceed those found in Si MESFETs and are comparable to the best results achieved in GaAs/AlGaAs modulation-doped transistors 相似文献
78.
油脂氢化理论研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
本文从下列几个方面阐明油脂氢化理论的研究状况:(1)氢化机理的研究;(2)氢化反应动力学处理;(3)氢化反应活化能的确定;(4)氢化选择性的研究。 相似文献
79.
用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Hg1-xCdxTe体单晶样品,该方法可直接得到HgCdTe晶片组分的二维平面分布,并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布,以及晶体中非平衡载流子寿命的分布 相似文献
80.
本试验研究了ZrO2与40Cr钢在加入缓冲层前后的钎焊连接,结果表明:插入缓冲层Cu和Ti可以提高接头强度。对每一种缓冲层,存在一最佳厚度,对应的钎焊强度最大。此最佳厚度对Cu为0.4mm左右,对Ti为1mm左右。作者认为这是由缓冲层的力学性能和热膨胀系数对残余应力释放产生的两种相反影响而造成的。钎焊时,缓冲层Cu和Ti向钎料中均有程度不同的溶解,但不影响钎料对ZrO2的浸润和反应结合。ZrO2-40Cr钢连接的所有接头均断在陶瓷的近缝区,其断裂方式有三种。 相似文献