部分可渗透直立圆柱的消波作用研究

本文导出了线性波浪作用于上部可渗透的直立刚性圆柱体上的水动力的解析解。在线性有势流的假定下，用特征函数展开方法求出了内部和外部流场的解。给出了不同波浪要素及结构尺寸参数下的数值结果。由结果可知，提高可渗透性可以有效消减波幅。     

浅谈赣抚大堤樟防1标射水造墙的接缝技术和处理措施

介绍射水造墙的接缝原理，并把自己在施工过程中为确保接缝质量达到设计要求而总结出一些经验和处理措施提出为一起探讨。     

太阳能热管的研制和应用

介绍了太阳能热管发展的社会背景和历史沿革、太阳能热管单管的工质选择和管壳结构、热管式真空集热管的结构特点及太阳能热管在热水器中的应用     

新材料在汽车发动机上的应用探析

作为汽车重要组成部分的发动机 ,一直是人们研究的重点。汽车发动机性能的提高 ,在很大程度上依赖于材料的选用和加工工艺等因素。本文介绍了现代汽车发动机主要零部件新材料选用、结构设计及工艺现状 ,指出了未来汽车发动机新材料的发展趋势和应用前景     

基于Intel 87c196kc的某机载设备随动系统数字控制器的实现

介绍了某机载光电设备随动系统控制器的设计与实现。该控制器是基于Intel公司87c196kc的数字控制器，设计中充分利用了87c196kc较强的运算能力及其它片内功能，使得控制器设计简捷、调整灵活、体积小，提高了系统的可靠性。     

光隔离器及其相关的磁光材料

本文简要介绍了磁光隔离器的理论、结构和分类 ,并提出了该器件今后发展的几个问题 ,最后介绍了几种磁光材料     

碳掺杂β-FeSi2薄膜的电子显微学研究

本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜进行了对比研究.电镜观察结果表明,选择C作为掺杂元素,能够得到界面平直、厚度均一的高质量β相薄膜,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高.尤其在60kV、4×1017ions/cm2条件下注入直接形成非晶,在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的β-FeSi2薄膜.因此从微结构角度考虑,引入C离子有益于提高β-FeSi2薄膜的质量.     

单片机在监控同步电动机运行功率因数中的应用

介绍如何利用单片机自动控制同步电动机运行时的功率因数。     

带疏水泵加热器出口主凝结水焓的计算方法

以火电厂热力系统热力单元矩阵分析法为基础，提出了一种更为科学有效的带疏水泵加热器出口主凝结水焓分析计算的新方法，应用表明，其结论与常规算法完全一致，图2表1参3。     

A transmit/receive IF chip set for WCDMA mobiles in 0.35 /spl mu/m CMOS

An implementation of the IF section of WCDMA mobile transceivers with a set of two chips fabricated in an inexpensive 0.35-/spl mu/m two-poly three-metal CMOS process is presented. The transmit/receive chip set integrates quadrature modulators and demodulators, wide dynamic range automatic gain control (AGC) amplifiers, with linear-in-decibel gain control, and associated circuitry. This paper describes the problems encountered and the solutions envisaged to meet stringent specifications, with process and temperature variations, thus overcoming the limitations of CMOS devices, while operating at frequencies in the range of 100 MHz-1 GHz. Detailed measurement results corroborating successful application of the new techniques are reported. A receive AGC dynamic range of 73 dB with linearity error of less than /spl plusmn/2 dB and spread of less than 5 dB for a temperature range of -30/spl deg/C to +85/spl deg/C in the gain control characteristic has been measured. The modulator measurement shows a carrier suppression of 35 dB and sideband/third harmonic suppression of over 46 dB. The core die area of each chip is 1.5 mm/sup 2/.