首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   312498篇
  免费   18780篇
  国内免费   9815篇
电工技术   13544篇
技术理论   24篇
综合类   16412篇
化学工业   50233篇
金属工艺   17925篇
机械仪表   17676篇
建筑科学   20089篇
矿业工程   8144篇
能源动力   7589篇
轻工业   17148篇
水利工程   4929篇
石油天然气   17328篇
武器工业   1712篇
无线电   34282篇
一般工业技术   43013篇
冶金工业   15497篇
原子能技术   2555篇
自动化技术   52993篇
  2024年   1019篇
  2023年   3865篇
  2022年   6652篇
  2021年   9328篇
  2020年   7244篇
  2019年   6161篇
  2018年   20214篇
  2017年   20052篇
  2016年   16118篇
  2015年   9641篇
  2014年   11729篇
  2013年   13773篇
  2012年   17497篇
  2011年   24677篇
  2010年   21533篇
  2009年   18165篇
  2008年   19056篇
  2007年   19553篇
  2006年   12764篇
  2005年   12180篇
  2004年   8490篇
  2003年   7492篇
  2002年   6113篇
  2001年   5118篇
  2000年   5735篇
  1999年   6630篇
  1998年   5601篇
  1997年   4609篇
  1996年   4322篇
  1995年   3594篇
  1994年   2882篇
  1993年   2017篇
  1992年   1584篇
  1991年   1270篇
  1990年   950篇
  1989年   753篇
  1988年   555篇
  1987年   344篇
  1986年   279篇
  1985年   199篇
  1984年   140篇
  1983年   116篇
  1982年   124篇
  1981年   98篇
  1980年   71篇
  1968年   47篇
  1966年   43篇
  1965年   48篇
  1955年   64篇
  1954年   68篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
As CMOS device dimensions scale down to 100 nm and beyond, the interface roughness between Si and SiO/sub 2/ has become critical to device performance and reliability. Si/SiO/sub 2/ interface roughness degrades channel mobility decreasing drive currents. The authors have used atomic force microscopy to study surface roughness in the processing of 0.16 /spl mu/m CMOS integrated circuits. All of the process steps that could potentially affect the interface roughness have been studied. The results show that oxidation is the major contributor to the interface roughness. The rms roughness is found to be linearly dependent on oxide thickness. Transistors with Si/SiO/sub 2/ interface rms roughness that has been reduced from 1.6 to 1.1 /spl Aring/ by reducing oxide thicknesses show improved device drive currents. This technique for interfacial smoothing and device performance improvement has the advantage of being easily implemented in today's technology.  相似文献   
82.
83.
A novel soft decision-based median subtraction filter is presented for clutter suppression and infrared (IR) point targets enhancement. The decision is made based on a jump Markov model and its state and parameter estimation using a particle filter. The scheme is compared with other conventional clutter background removal techniques and good results are obtained.  相似文献   
84.
85.
本文提出在安替比林存在下,以3,5-diBr-PADAP为显色剂,分光光度测定微量锆的新方法。在pH1~2的HCl介质中,锆(W)与试剂和安替比林形成配合比为1:1:1的红色三元配合物,最大吸收值在615nm波长处,摩尔吸光系数ε=1.35×10~5。锆(Ⅳ)量在0~25μg/25ml范围内,遵守比尔定律。方法简单、快速、准确。若采用钽试剂—苯萃取法分离共存离子,可适用于钽铌矿和合金中痕量锆的测定。  相似文献   
86.
本文阐述对贵冶动力车间二期反渗透进行改造的成功实践 ,主要从反渗透系统设计、反渗透系统中容易出现的问题及解决方法等进行介绍。  相似文献   
87.
因:用地为东西向长达470m的长条形,其北侧紧邻城市干道。  相似文献   
88.
A two‐phase flow CFD model using the volume of fluid (VOF) method is presented for predicting the hydrodynamics of falling film flow on inclined plates, corresponding to the surface texture of structured packing. Using the proposed CFD model the influence of the solid surface microstructure, liquid properties and gas flow rate on the flow behavior was investigated. From the simulated results it was shown that under the condition of no gas flow the liquid flow patterns are dependent on the microstructure of the plates, and proper microstructuring of the solid surface will improve the formation of a continuous liquid film. It was also found that liquid properties, especially surface tension, play an important role in determining the thin‐film pattern. However, there are very different liquid film patterns under the action of gas flow. Thinner liquid films break easily, but thicker liquid films can remain continuous even at higher gas flow rates, which demonstrates that all factors affecting the liquid film thickness will affect the liquid film patterns under conditions of counter‐current two‐phase flow.  相似文献   
89.
Parylene is an emerging material for MEMS. It is an organic material that is grown by using the chemical vapor deposition method at room temperature. The deposition thickness is commonly controlled by the amount of solid-phase dimer loaded in a sublimation chamber. In a conventional deposition machine, the end point of the process is designated by the moment the dimer is exhausted. However, this end-of-process criterion does not offer precise, repeatable control of film thickness. We present the results of the development of an in situ end-point detector for a Parylene chemical vapor deposition process. The detector is based on the thermal transfer principle and can be implemented on commercial parylene deposition systems with minimal system modification. Such a sensor enables a user to stop the deposition when a targeted thickness is reached. The end point detector is very simple to implement on existing parylene deposition systems. A series of such sensors with different target deposition thickness would allow extraction of the actual deposition rate within a deposition run.  相似文献   
90.
西气东输工程用X70热轧板卷屈服强度检测值波动大的探讨   总被引:3,自引:0,他引:3  
对西气东输工程用X70热轧板卷检验过程中出的屈服强度σ0.5波动大的情况进行了分析,认为拉伸试样弯曲是主要原因。这一问题可通过反复压平试样,确保试样的平直度以及适当提高钢的强度的方法加以解决。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号