现代电子工业Cpk评价中的特殊问题

现代电子工业生产具有许多新的特点，如果不针对具体情况，均采用传统工业生产中广泛使用的常规方法计算其工序能力指数，评价生产工艺水平，将可能导致错误的结论。总结了电子工业生产中工艺参数的典型特点，并讨论了工序能力指数的正确计算方法。     

下一代无线通信概念和技术

下一代无线通信(NextG:Next-generationwireless)的主流是随时随地的无线通信系统和无缝的高质量无线业务。概述了随时随地的无线通信和业务发展情况,并且介绍了为下一代无线通信的发展提供基础的关键技术。     

分布式光纤拉曼放大器的增益平坦设计

介绍了在波分复用（WDM）系统中分布式光纤拉曼放大器（FRA）的理论分析模型。在此基础上，对增益平坦设计所需考虑的因素进行了分析；最后通过试验证明了它的有效性。     

MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法,阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理,并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜.     

CRL与OCSP相结合的证书撤销方案

提出了一个基于CRL和OCSP策略的新的证书撤销方案。首先分析比较了CRL和OCSP协议的优缺点,然后结合两者的优点通过建立一个请求处理服务器提出了一个新的证书撤销方案,最后对改进方案的优劣做了分析总结。     

一种用于三电平逆变器的SVPWM调制方法研究

本文从二极管箝位型三电平逆变器的基本结构出发，分析其输出状态，推导出六角形空间电压矢量图。然后从一种改进的，可以减小开关损耗，避免高的dv／dt三电平空间矢量PWM调制策略出发，建立了基于Matlab的详细仿真方案，验证了方案的可行性。文章给出了扇区判断的算法流程图，脉冲生成模块的内部结构图，其中的扇区判断的算法和脉冲生成方法对于用DSP实现三电平SVPWM具有重要的参考价值。     

衍射法细丝直径的精密测量

分析了激光衍射法测量细丝直径技术中影响精度的几个主要因素，研究了一种微弱衍射条纹的精密处理及识别技术，有效地提高了测量精度，实测结果表明，文中讨论的技术能在１０￣５０μｍ的范围内实现正负０．１μｍ的重复精度，分辨力优于０．０１μｍ。     

瞬态瑞利面波技术在地震勘探方面的应用研究

运用瞬态瑞利面小勘探方法可以在寻找激发岩性和提供静校正所需参数方面取得好的效果。     

Normal-incidence InAs self-assembled quantum-dot infrared photodetectors with a high detectivity

An InAs/AlGaAs quantum-dot infrared photodetector based on bound-to-bound intraband transitions in undoped InAs quantum dots is reported. AlGaAs blocking layers were employed to achieve low dark current. The photoresponse peaked at 6.2 /spl mu/m. At 77 K and -0.7 V bias, the responsivity was 14 mA/W and the detectivity, D*, was 10/sup 10/ cm/spl middot/Hz/sup 1/2//W.     

碳纳米管(CNT)场发射显示器的关键技术的研究

对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力.