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101.
本文提出一种基于实时几何测距的船桥主动防撞方法.该方法对船的改动量甚微,仅需维持多项距离矩阵,通过告警逻辑矩阵进行展示与告警,能起到很好的船桥防撞提示效果. 相似文献
102.
针对高清视频编码的高码率问题,提出一种基于人脸感兴趣区域(Region Of Interest,ROI)检测和运动区域检测的滤波预处理算法,在保持视频清晰度的同时,极大地降低视频码率.实验结果表明,所提算法实现了视频码率下降15%~25%的效果;和相同码率的视频相比,经过该算法预处理的视频清晰度有明显提高.该预处理算法... 相似文献
103.
基于ANSYS Icepak的密闭机箱散热仿真分析 总被引:1,自引:0,他引:1
根据机箱热载荷等边界要求,对密闭机箱中的电子功能模块的热功耗和机箱热稳态下散热表面的热流密度进行了分析和计算。通过计算机箱与外部空气自然对流冷却下的热流密度值来分析机箱的整体散热性能,并将计算结果与空气自然对流散热的热流密度阈值进行比较;在此基础上使用建模软件UG NX7.5完成机箱的CAD数字样机建模;使用ANSYS Icepak有限元热仿真分析软件进行CFD(计算流体动力学分析)和热仿真分析,完成了机箱参数设定、网格划分,对机箱进行精确的热仿真计算,验证机箱热设计的可靠性,为其他同类电子设备热仿真分析与散热优化设计提供了参考。 相似文献
104.
介绍了一种分布式多元胞集成半导体放电管的结构设计和工艺方法。在保持传统单元胞放电管器件表面总面积和放电管纵向剖面NPNPN五层结构不变的情况下,将放电管发射区等分成2(N+1)2个(N取0,1,2,3,4),构成在基区中心对称的多元胞结构。该结构优化了放电管阴极发射区的分布,使浪涌电流在整个芯片平面上趋于均匀,降低了发射区的热量集中效应;同时增加了电流放大系数,减少了放电管的开通时间。采用镓扩散、玻璃钝化等工艺流程,制作出分布式多元胞集成半导体放电管,解决了单元胞放电管散热不均匀、响应速度慢及可靠性差的问题。雷电波冲击电流测试表明,该结构提高了器件的抗电涌能力,可广泛应用于通信领域的雷电防护。 相似文献
105.
利用9,10-bis(2-naphthyl) anthracene(AND)掺杂rubrene作为器件单一发光层,研制成功单层白光器件。器件在电流密度为140mA/cm2时,电流效率达到5.93cd/A;当电压为21V时,该器件达到最高亮度9300cd/m2。器件发光色坐标为(0.32,0.40),且随着电压的变化发光色度始终处于白光区。这种器件的白色发射是来源于AND(蓝色发射)和rubrene(橙色发散)的混合发射。与此同时,AND和rubrene二者之间会发生Frster能量传递。 相似文献
106.
In the case of N-type solar cells,the anti-reflection property,as one of the important factors to further improve the energy-conversion efficiency,has been optimized using a stacked Al2O3/SiNx layer.The effect of SiNx layer thickness on the surface reflection property was systematically studied in terms of both experimental and theoretical measurement.In the stacked Al2O3/SiNx layers,results demonstrated that the surface reflection property can be effectively optimized by adding a SiNx layer,leading to the improvement in the final photovoltaic characteristic of the N-type solar cells. 相似文献
107.
本文主要针对无线网络中的大量用户和大量WAP网站的安全可信问题,提出了一种基于用户和业务的双向安全可信框架.在双向安全可信框架下,网络可以对用户和业务进行分级评价,进而决定是否允许用户访问业务或业务内容通过网络进行发布. 相似文献
108.
通过理论分析与模拟验证,设计和制作了一款采用双侧边光式白光LED作为背光源的26inch(1inch=2.54cm)液晶电视。选用的白光LED结构简单,性能优良。在实际制作中利用高效的驱动电路对白光LED单元进行驱动。模拟结果表明:此结构的白光LED背光源液晶电视亮度均匀性能够达到91%,色度均匀性达到85%,完全满足设计应用要求。 相似文献
109.
110.
Shen Xiaoming Wang Yutian Wang Jianfeng Liu Jianping Zhang Jicai Guo Liping Jia Quanjie Jiang Xiaoming Hu Zhengfei Y 《半导体学报》2005,26(4):645-650
GaN buffer layers (thickness ~60nm) grown on GaAs(001) by low-temperature MOCVD are investigated by X-ray diffraction pole figure measurements using synchrotron radiation in order to understand the heteroepitaxial growth features of GaN on GaAs(001) substrates.In addition to the epitaxially aligned crystallites,their corresponding twins of the first and the second order are found in the Xray diffraction pole figures.Moreover,{111} φ scans with χ at 55°reveal the abnormal distribution of Bragg diffractions.The extra intensity maxima in the pole figures shows that the process of twinning plays a dominating role during the growth process.It is suggested that the polarity of {111} facets emerged on (001) surface will affect the growth twin nucleation at the initial stages of GaN growth on GaAs(001) substrates.It is proposed that twinning is prone to occurring on {111}B,Nterminated facets. 相似文献