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81.
研究了Al2O3、Al2o3/TiB2和Al2O3/TiB2/SiCW三处陶瓷材料在不同条件下的擦靡损特性。结果表明:三种陶瓷材料与硬质合金摩擦副的摩擦系数随温度温度的增加有不同的变化规律,摩擦表面的X射线衍射分析表明,摩擦系数的变化与陶瓷物膜的和结构有关,在高温下Al2O3/TiB2陶瓷材料摩擦表面形成了具有优良的高温润性的TiO2氧化膜,因而TiB2的加入明显改善了Al2O3陶瓷材料 摩擦磨损  相似文献   
82.
容量的需求是推动CDMA数字蜂窝移动通信开发的主要动力。系统的容量受许多因素的影响,本文针对IS-95CDMA系统在采用了功率控制、话音激活和扇区划分技术的情况下,对系统的容量进行了分析,同时也分析了功率控制精度对容量的影响。  相似文献   
83.
全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
张兴  李映雪 《微电子学》1996,26(3):160-163
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。  相似文献   
84.
GaN的MOVPE生长和m-i-n型蓝光LED的试制   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用自行研制的常压MOVPE设备和全部国产MO源,采用低温生长缓冲层技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上获得了高质量的GaN外延层。未掺杂的GaN外延层的室温电子迁移率已达114cm2/V.s,载流于浓度为2×1018。77K光致发光谱近带边发射峰波长为365nm,其线宽为4DmeV。X射线双晶衍射回摆曲线的线宽为360arcsec。用Zn掺杂生长了绝缘的i-GaN层。在此基础上研制了m-i-n型GaN的LED,并在室温正向偏压下发出波长为455nm的蓝光。  相似文献   
85.
86.
By means of X-ray diffraction and adiabatic scanning calorimeter,the specific heatsof five compounds in the Sm_2O_3-BaO--CuO system,such as Sm_2BaO_4,Sm_2CuO_4,BaCuO_4,Sm_2BaCuO_5,SmBa_2Cu_3O_(7-x),from -150℃ to 800℃ have been measured.It is found that the specific heats ofthese compounds increase smoothly with the increase of temperature.  相似文献   
87.
88.
着色型珠光颜料涂布纸的研制   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文论述了着色型珠光颜料涂布纸的研制工作,并对影响珠光涂料制备的几个因素进行探讨.优化结果表明,瓷土0~30%,珠光颜料70%~100%,胶粘剂25%~30%,固含量23%~25%,涂布量10~15g/m2时,其纸面呈现强烈的珠光光泽,适用于胶印.  相似文献   
89.
对包装工程教育的认识及其本科教育模式的探索   总被引:2,自引:2,他引:0  
吕新广  王经武  陈金周 《包装工程》2002,23(6):117-119,121
在对高等工程教育本质以及存在问题进行分析的基础上,针对包装工程教育进行了深入探讨。并结合郑州大学包装工程专业的特点,对复合型人才培养的教育模式进行了探索与实践。  相似文献   
90.
本文分析了通用寄存器型计算机和通用堆栈型计算机处理转子指令的不同方法,研究了类Cray-1转子机制的实现原理,提出了在类Cray-1通用寄存器型模型机上采用堆栈来处理转子指令的实现方法。  相似文献   
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