直通链路技术的发展与展望

直通链路技术己广泛应用于车联网场景。对于直通链路技术的潜在技术方向给出可行的建议，包括传统直通链路技术的增强方向，如载波聚合、使用非授权频谱等；侧行链路对于中继场景的应用扩展，包括终端到终端之间的中继，以及中继的多链接场景；在高精度定位场景使用直通链路技术。并且，给出直通链路技术与各种新技术的融合应用，如智能反射面与区块链技术，从而解决直通链路技术自身的缺陷。     

道路约束在Kalman滤波中的应用

研究把道路约束引入Kalman滤波的新方法,分析了道路对过程噪声和目标速度的约束,给出了道路约束条件下目标的运动方程以及过程噪声方差调整的方法;将道路对目标速度的约束以伪测量的形式引入测量方程并给出了对应的滤波方程。两个不同场景的蒙特卡罗仿真结果验证了上述新算法带来的性能改善。     

快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.     

快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响

研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度.     

Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示

采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子-空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头).优化了KOH溶液的腐蚀条件.     

利用EDA技术改革电子学实践教学

本文总结了EDA技术改造"电子学"课程的实践教学环节工作思路,通过搭建学生自主学习平台夯实理论知识和EDA基础知识,通过案例教学和网络学习平台激发学习兴趣、培养自学能力,教学中应用EDA技术引入实际工程培养学生研究能力,以课外科技问题研究实现创新意识的培养,实践教学改革收到了预期效果。     

A 3–10 GHz Ultra Wideband Receiver LNA in 0.13 \mu m CMOS

A fully integrated low-power, low-complexity ultra wideband (UWB) 3–10 GHz receiver front-end in standard 130 nm CMOS technology is proposed for UWB radar sensing applications. The receiver front-end consists of a full UWB band low-noise amplifier and an on-chip diplexer. The on-chip diplexer has a 1 dB insertion loss and provides a \(-\) 30 dB isolation. The diplexer switch was co-designed with the receiver input matching network to optimize the power matching while simultaneously achieving good noise matching performance. The receiver low-noise amplifier provides a 3–10 GHz bandwidth input matching and a power gain of 17 dB. The overall receiver front-end consumes an average power of 13 mW. The core area of the transceiver circuit is 500 \(\mu \) m by 700 \(\mu \) m.     

单片集成式氮化镓基发光二极管的设计与制造

We report a new monolithic structure of GaN-based light-emitting diode(LED) which can be operated under high voltage or alternative current. Differing from the conventional single LED chip, the monolithic lightemitting diode(MLED) array contains microchips which are interconnected in series or parallel. The key chip fabrication processing methods of the monolithic LED array include deep dry etching, sidewall insulated protection, and electrode interconnection. A 12 V GaN-based blue high voltage light emitting diode was designed and fabricated in our experiment. The forward current-voltage characteristics of MLEDs were consistent with those of conventional single junction light emitting diodes.     

高精度河砂同期展示的关键技术与应用效果

油田开发阶段,同期展示河、砂、泥的关系对于理清砂体的内部结构、点砂坝之间的关系及部署注采井位都非常重要。文中以渤海海域A油田B砂层为靶区,使用90°相移数据体,在多种刻画河道、砂体算法优选的基础上,实现河砂数据体融合,并展示河、砂、泥同期关系。通过与井资料结合研究证实,数据体反映的河、砂、泥关系等与井数据吻合。运用该方法,研究了河道发育演化、点砂坝内部结构,实现了从成因、过程视角来恢复和重建曲流河道历史演化过程,为剩余油的挖潜及高产调整井的部署提供了有力依据。     

缝洞型碳酸盐岩油藏CO2注入方式及部位优化

缝洞型碳酸盐岩油藏以大型溶洞、溶蚀孔洞及裂缝为主要储集渗流空间,连通方式复杂,非均质性强。CO_2吞吐及CO_2驱替可通过补充地层能量及溶解降粘作用来改善油田开发效果,是一种有效的开发方式。根据现场地质资料,设计并制作室内三维仿真物理模型以模拟典型缝洞油藏单元,通过室内实验模拟CO_2吞吐及CO_2驱替过程,分析生产动态,考察高、低部位井CO_2吞吐的增产效果,并对比高、低部位井CO_2吞吐与驱替对采出程度的影响,在此基础上分析缝洞型碳酸盐岩油藏注气替油机理。实验结果表明:利用底水与次生气顶间的相互作用及井位优势,高部位井CO_2吞吐比低部位井CO_2吞吐采收率高16.09%;利用吞吐与驱替过程中不同的气体控制范围,高、低部位井CO_2吞吐采收率比CO_2驱替采收率分别高8.07%和5.01%,CO_2吞吐效果优于CO_2驱替效果。