星载SAR方位模糊研究

本文根据方位模糊产生机理详细分析了方位向成像处理参数、波长、方位方向图副瓣对方位模糊的影响.通过分析可知:方位分辨率相同时,低频段SAR系统模糊问题更严重,但可通过提高重频、压低方向图副瓣电平等方法可改善方位模糊,最后仿真验证了上述结论并给出改善方位模糊的设计考虑.     

热分析在光电模块可靠性设计上的应用研究

元器件计数法是目前国内外针对光电模块可靠性设计的通用方法,为了改善没有成熟光电模块产品就无法有效进行可靠性预计的问题,在产品设计阶段通过运用流体仿真分析软件以XFP(10 G小型可插拔)模块为例模拟分析其在不同温度条件下的工作状态.完成了XFP模块的热分析,给出了XFP模块可靠性设计的优化办法,得到了XFP模块可靠性预...     

镍基合金激光熔覆层组织特征研究

利用同步送粉法在Q235低碳钢表面激光熔覆了镍基合金涂层.用扫描电镜、X射线衍射仪、能谱仪、显微硬度计对熔覆层的微观组织、物相组成、成分分布及显微硬度进行了测定与分析.结果表明:在激光功率3kW,扫描速度300mm/min,光斑直径3mm等工艺条件下的激光熔覆质量良好,无气孔、裂纹等缺陷,且与基材呈良好的冶金结合;熔覆...     

Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes

Material growth and device fabrication of the first 1.3μm quantum well (QW) edge emitting laser diodes in China are reported.Through the optimization of the molecular beam epitaxy (MBE) growth conditions and the tuning of the indium and nitrogen composition of the GaInNAs QWs,the emission wavelengths of the QWs can be tuned to 1.3μm.Ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated.The lasing wavelength is 1.3μm under continuous current injection at room temperature with threshold current of 1kA/cm2 for the laser diode structures with the cleaved facet mirrors.The output light power over 30mW is obtained.     

无线网规划中的传播模型校正

本文简要介绍了移动通信中传播模型的概念和几种常用的传播模型,论述了模型校正的必要性,并详细介绍了模型校正的步骤,同时对模型校正中可能出现的误差进行了分析.     

单小区模型的掉话率分析

掉话率是无线通信网络中最重要的关键性能指标(KPI)之一,本文分析了中国移动在讨论网络性能评估方法时提出的3个不同的掉话率计算公式,通过建立一个单小区的模型,使用一些合理的假设和分析,从理论上确定了一个最为准确的计算公式.     

幅频特性的数学分析

根据数控装置检测系统中传感器信号电路工作要求,以共射电压放大电路为例,分别考虑耦合电容、旁路电容、结间电容和分布电容对不同信号频率的作用,分析了电路的低频特性和高频特性,给出了上下限截止频率的解析式.由此得出,电路其他参数一定时,在低频段,下限截止频率与耦合电容、旁路电容成反比,在高频段,上限截止频率与等效输入输出电容成反比,从而为传感器系统设计提供理论依据.     

基于单片机和AD9858的4频点快速跳频设计

在分析了DDS基本原理以及AD9858基本特点的基础上，介绍了AD9858的送数方式及单片机接口程序。给出了利用AD9858内部寄存器来实现跳频时间小于50ns的4频点快速跳频的具体方法。     

神经网络在缺陷识别中的应用

为了准确、快速地进行缺陷识别，介绍了一种新型的前馈神经网络模型，即径向基概率神经网络。与以往的算法相比，该方法具有分类识别精度高且速度快的优点。仿真获得了很好的结果。     

磁控溅射生长Cu/Si薄膜

用溅射方法在Si(111)上生长Cu/Si,Ti/Si,Cu/Ti/Si薄膜。用XRD,红外吸收光谱,台阶仪对薄膜进行分析和测量。结果表明:在150℃溅射生长出的Cu/Ti/Si薄膜的缓冲层为硅化物TiSi2(311);Cu薄膜的主要成分是晶粒大小为17nm的Cu(111);Cu/Ti/Si(111)平均厚度为462nm,粗糙度为薄膜厚度的3%。在以TiSi2薄膜为缓冲层的Si(111)衬底上生长出的Cu薄膜抗氧化性较强、薄膜均匀性和致密性较好。