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121.
基于多线程技术的监控系统的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
详细介绍在32位操作系统Windows95/98下,用C Builder3.0开发基于多线程技术的监控系统的有关方法。 相似文献
122.
主要对各国3G许可证与使用技术标准的抽绑政策.各国对2G/3G网络漫游的管制规定。以及3G网络之间共享的种类及实施方式等方面做了详尽的讲解,并进行比较和分析。 相似文献
123.
The structure and properties of high density polyethylene (HDPE) functionalized by ultraviolet irradiation at different light intensities in air were studied by electron analysis, FTIR spectroscopy, contact angle with water, differential scanning calorimetry and mechanical properties measurement. The results show that oxygen‐containing groups such as C?O, C—O and C(?O)O were introduced onto the molecular chain of HDPE following irradiation, and the rate and efficiency of HDPE functionalization increased with enhancement of irradiation intensity. After irradiation, the melting temperature, contact angle with water and notched impact strength of HDPE decreased, the degree of crystallinity increased, and their variation amplitude increased with irradiation intensity. Compared with HDPE, the yield strength of HDPE irradiated at lower light intensity (32 W m?2 and 45 W m?2) increases monotonically with irradiation time, and the yield strength of HDPE irradiated at higher light intensity (78 W m?2) increases up to 48 h and then decreased with further increase in irradiation time. The irradiated HDPE behaved as a compatibilizer in HDPE/polycarbonate (PC) blends, and the interface bonding between HDPE and PC was ameliorated. After adding 20 wt% HDPE irradiated at 78 W m?2 irradiation intensity for 24 h to HDPE/PC blends, the tensile yield strength and notched Izod impact strength of the blend were increased from 26.3 MPa and 51 J m?1 to 30.2 MPa and 158 J m?1, respectively. Copyright © 2003 Society of Chemical Industry 相似文献
124.
油气吸收回收系统的研究及工业应用——(Ⅰ)中型试验及结果分析 总被引:12,自引:1,他引:11
在蒸发油气吸收回收技术小试研究的基础上,开发出常温常压吸收法油气回收中试装置,并利用已开发的吸收剂AbsFOV-97进行了中试试验。结果表明,当系统进料气、吸收剂AbsFOV-97、汽油的体积流量比为10.0:1.0:0.5、真空泵解吸压力小于13.3kPa时,系统回收率高达97%以上,高于设计指标,且回收汽油的质量满足使用要求。统计数据表明,油气回收系统进料气、尾气中平均油气摩尔质量分别为65.51、48.97g/mol,该值可为油品蒸发损耗及其控制技术的评价提供参考。 相似文献
125.
容灾系统中存储方案选择的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
论文首先阐述了在容灾系统中存储方案的重要性,讨论了存储方案需要考虑的衡量指标,然后介绍了主要的存储方式,根据衡量指标划分了存储方式的特性范围,最后着重研究了容灾系统中存储方案的选择流程,并使用一个实例说明容灾系统中存储方案的选择流程。 相似文献
126.
127.
在陷阱电荷限制电流传导理论的基础上,提出了双层有机电致发光器件的数值模型,研究了结构为"阳极/空穴输运层(HTL)/发光层(EML)/阴极"的器件中电流密度和量子效率随有机层的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率的依赖关系. 研究发现,对于给定的HTL和EML的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率,存在一个最优的HTL和EML之间的厚度比率,在此最优厚度比下,器件的电流密度和量子效率达到最大.通过有机层厚度的优化,器件的电流密度和量子效率可提高多达两个数量级.另外,还研究了最优厚度比随有机层特征陷阱能量、总陷阱密度和载流子迁移率之间的定量关系. 相似文献
128.
We have improved the electronic properties of narrow-bandgap (Tauc gap below 1.5 eV) amorphous-silicon germanium alloys (a-SiGe:H) grown by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD) by lowering the substrate temperature and deposition rate. Prior to this work, we were unable to grow a-SiGe:H alloys with bandgaps below 1.5 eV that had photo-to-dark conductivity ratios comparable with our plasma-enhanced CVD (PECVD) grown materials [B.P. Nelson et al., Mater. Res. Soc. Symp. 507 (1998) 447]. Decreasing the filament diameter from our standard configuration of 0.5 mm to 0.38 or 0.25 mm provides first big improvements in the photoresponse of these alloys. Lowering the substrate temperature from our previous optimal temperatures (Tsub starting at 435 °C) to at 250 °C provides additional photo-to-dark conductivity ratio increasing by two orders of magnitude for growth conditions containing 20–30% GeH4 in the gas phase (relative to the total GeH4+SiH4 flow). 相似文献
129.
用CMOS工艺实现非接触IC卡天线的集成化设计 总被引:2,自引:0,他引:2
论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为2 2 .5 MHz、感应强度为6×10 - 4 T的磁场中,面积为2 m m×2 mm的集成天线可以为10 kΩ的负载提供1.2 2 5 m W的能量. 相似文献
130.
F. M. Xu S. J. Zhu J. Zhao M. Qi F. G. Wang S. X. Li Z. G. Wang 《Materials Science and Engineering: A》2003,360(1-2):191-196
The SiC/Al graded composite was fabricated by powder metallurgy processing and its fatigue crack growth behavior was studied. The volume percentage of SiC particulates was distributed from 5 to 30% layer by layer on the cross section. Since the aluminium was dissolved together, there was no evident interface between the two layers with different volume fraction of SiC particulates. Fatigue crack growth was in direction of from 5 to 30% SiC layers under sinusoidal wave-form. The retardation of fatigue crack growth was found when crack propagated from low volume fraction of SiC to high volume fraction of SiC. The crack deflection and branching between two layers were observed, which decreased crack growth rates. In view of crack tip driving force, the plasticity mismatch between the layers shielded crack tip driving force, i.e. decreased the effective J-integral at the tip of the crack as the plastic zone of the crack tip spread from the weaker material into the stronger material. 相似文献