基于特性模型与神经网络的乳腺图像肿块自动检测技术

钼靶X线摄影是最常用的乳腺癌早期诊断手段。该文针对乳腺图像中的肿块提出了一种基于特性模型与神经网络的计算机辅助诊断技术。它首先建立两种特性模型分别描述脂肪组织和腺体组织中的肿块;然后对脂肪中的肿块采用迭代阈值法进行检测,对腺体中的肿块采用小波域黑洞检索法进行标记;接着采用一种基于Canny算子和能量场约束以及ANFIS控制的填充膨胀方法分割疑似肿块;最后使用一种MLP分类器剔除假阳性。实验结果表明,该算法在面对特性迥异的多种肿块时可取得较高的检测精度,并保证较低的假阳性率。     

合成孔径雷达二维余弦调相转发干扰研究

该文提出一种新的SAR干扰方法：二维余弦调相转发干扰。该方法通过转发调制了余弦相位的SAR信号,使得SAR回波在距离向频域和方位向多普勒域成对扩展,实现了对SAR的多假目标干扰。理论研究表明,该干扰样式为二维相干干扰,能量利用率高,同时又具有非相干干扰的压制特点,通过优化设置干扰调制参数,可以形成紧凑的面假目标或网格状假目标串,达到掩护分布式目标的目的。仿真实验和基于实测数据的仿真验证了该方法的有效性。     

乘性噪声环境下基于局部最佳检测器的伪码捕获方法

扩频系统常常工作在多径环境中,伴随着加性噪声的同时往往还存在着乘性噪声。该文提出了一种乘性噪声环境下伪码捕获方法,将伪码捕获等价为假设检验问题,利用局部最佳检测算法推导出乘性噪声环境下的伪码捕获检测统计量,文中给出了基于局部最佳检测算法的捕获结构,并与传统的平方和检测器进行了性能仿真对比,结果表明该文所提出的捕获方法在乘性噪声环境下检测性能较平方和检测器有较大幅度的提高,而在无乘性噪声的环境下检测性能只较传统的平方和检测器检测性能稍有降低。     

非结构化P2P网络中稀缺资源的共享机制

非结构化P2P文件共享网络的应用日益广泛,当前的网络流量主要来自于此类网络中对各类文件资源的搜索。但是目前的搜索机制只适合获取流行资源,存在于个别节点上的稀缺资源很难被搜索到,而用户获取稀缺资源的收益并不小于流行资源,因此高效的搜索命中率将明显提高整个P2P网络的实用性。该文提出一种简单的分布式算法NLIR,使稀缺资源可以像流行资源一样具有较高的搜索命中率。新算法根据度数不同的节点,其处理查询的能力,存储能力,搜索命中率各不相同的特点将稀缺资源的索引副本均匀地扩散到网络中,体现了负载均衡的特性,并且在带宽费用和存储费用都有限的约束条件下,实现了稀缺资源高效的搜索命中率。     

基于非下采样Contourlet域高斯尺度混合模型的图像降噪

提出了一种图像去噪方法,将高斯尺度混合(GSM)模型引入非下采样Contourlet变换(NSCT)域,构造了基于NSCT分解系数的邻域模型,并利用Bayes最小均方(BLS)估计进行局部去噪。仿真实验结果表明,通过本文提出的方法能够有效去除高斯噪声,较完整地保持图像中的边缘等细节信息,在峰值信噪比(PSNR)提高与视觉效果上优于其它的去噪方法。实验结果验证了方法的正确性。     

应用于千兆以太网的1-Gb/s 零极点对消CMOS跨阻放大器

A zero-pole cancellation transimpedance amplifier（TIA）has been realized in 0.35μm RF CMOS technology for Gigabit Ethernet applications.The TIA exploits a zero-pole cancellation configuration to isolate the input parasitic capacitance including photodiode capacitance from bandwidth deterioration.Simulation results show that the proposed TIA has a bandwidth of 1.9 GHz and a transimpedance gain of 65 dB·Ωfor 1.5 pF photodiode capaci- tance,with a gain-bandwidth product of 3.4 THz·Ω.Even with 2 pF photodiode capacitance,the bandwidth exhibits a decline of only 300 MHz,confirming the mechanism of the zero-pole cancellation configuration.The input resis- tance is 50Ω,and the average input noise current spectral density is 9.7 pA/√ Hz.Testing results shows that the eye diagram at 1 Gb/s is wide open.The chip dissipates 17 mW under a single 3.3 V supply.     

用MOCVD在r面蓝宝石衬底上生长的a面GaN的独特电学性质研究

Nonpolar （1120） a-plane GaN films have been grown by low-pressure metal-organic vapor deposition on r-plane （1102） sapphire substrate. The structural and electrical properties of the a-plane GaN films are investigated by high-resolution X-ray diffraction （HRXRD）, atomic force microscopy （AFM） and van der Pauw Hall measurement. It is found that the Hall voltage shows more anisotropy than that of the c-plane samples; furthermore, the mobility changes with the degree of the van der Pauw square diagonal to the c direction, which shows significant electrical anisotropy. Further research indicates that electron mobility is strongly influenced by edge dislocations.