Nb镀层对c－BN－玻化陶瓷结合剂界面成分结构的影响

用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ等研究了Ｎｂ镀层与ｃ－ＢＮ晶体在６０－１０００℃范围的界面反应过程、界面成分和结构特征，讨论了烧结时Ｎｂ镀层与ＳｉＯ２—Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３玻化结合剂的作用．结果表明：Ｎｂ镀层与ｃ—ＢＮ晶体在６００℃以上发生界面反应，外延生长形成ＮｂＮ，８００℃以上形成ＮｂＢ２，它们使Ｎｂ镀层与ｃ－ＢＮ牢固结合并阻止结合剂中的磁性组分对ｃ－ＢＮ的侵蚀，镀Ｎｂ的ｃ－ＢＮ表层的Ｎｂ则作为活性金属实现与玻化结合剂的化学健合．     

大型离心复合球墨铸铁轧辊的生产

简述了我公司为舞阳铜厂试制４２００ｍｍ厚板轧机离心复合球墨铸铁轧辊的性能要求、内外层双重金属铸造工艺参数的选择及整个铸造生产工艺过程。     

High-transconductance n-type Si/SiGe modulation-doped field-effecttransistors

The authors report on the fabrication and the resultant device characteristics of the first 0.25-μm gate-length field-effect transistor based on n-type modulation-doped Si/SiGe. Prepared using ultrahigh vacuum/chemical vapor deposition (UHV/CVD), the mobility and electron sheet charge density in the strained Si channel are 1500 (9500) cm²/V-s and 2.5×10¹² (1.5×10¹² ) cm^-2 at 300 K (77 K). At 77 K, the devices have a current and transconductance of 325 mA/mm and 600 mS/mm, respectively. These values far exceed those found in Si MESFETs and are comparable to the best results achieved in GaAs/AlGaAs modulation-doped transistors     

Ti－15－3合金的性能数据

研究了可冷成形的Ｔｉ－１５－３高强钛合金两种时效制度的全面力学性能，为该合金的扩大应用提供了依据。     

Hg_（1－x）Cd_xTe的扫描光致发光研究

用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体单晶样品，该方法可直接得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分的二维平面分布，并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布，以及晶体中非平衡载流子寿命的分布     

ZrO_2与40Cr钢钎焊中的缓冲层

本试验研究了ＺｒＯ２与４０Ｃｒ钢在加入缓冲层前后的钎焊连接，结果表明：插入缓冲层Ｃｕ和Ｔｉ可以提高接头强度。对每一种缓冲层，存在一最佳厚度，对应的钎焊强度最大。此最佳厚度对Ｃｕ为０．４ｍｍ左右，对Ｔｉ为１ｍｍ左右。作者认为这是由缓冲层的力学性能和热膨胀系数对残余应力释放产生的两种相反影响而造成的。钎焊时，缓冲层Ｃｕ和Ｔｉ向钎料中均有程度不同的溶解，但不影响钎料对ＺｒＯ２的浸润和反应结合。ＺｒＯ２－４０Ｃｒ钢连接的所有接头均断在陶瓷的近缝区，其断裂方式有三种。     

兴安岭山地低信噪比地震资料处理技术分析

大、小兴安岭山地地表大多被火山岩、火山岩风化形成的残余物和腐植土所覆盖，地震资料中普遍存在较强的折射波和多次折射波，资料的信噪比很低；此外，该区低、降速层厚度和速度横向变化剧烈，静校正问题突出，为此，开展了有针对性的处理方法研究。针对山地地表起伏大的特点，采用了浮动基准面方法；针对低、降速层厚度和速度横向变化剧烈的特点，采用了折射静校正和微测井静校正相结合的方法；针对折射波强的特点，采用了t—x域叠前相干压制方法；针对叠加剖面随机噪声严重的特点，采用了f—x域随机噪声衰减方法。实际资料处理表明，采用上述处理手段，提高了资料的信噪比，增强了同相轴的连续性，突出了反射波组特征。     

Microring resonator channel dropping filters

Microring resonators side coupled to signal waveguides provide compact, narrow band, and large free spectral range optical channel dropping filters. Higher order filters with improved passband characteristics and larger out-of-band signal rejection are realized through the coupling of multiple rings. The analysis of these devices is approached by the novel method of coupling of modes in time. The response of filters comprised of an arbitrarily large dumber of resonators may be written down by inspection, as a continued fraction. This approach simplifies both the analysis and filter synthesis aspects of these devices