水平井化学机械组合堵控水工艺及管柱分析

筛管完井方式下的水平井出水治理一直是油田开发生产中的难点。常用的化学堵水工艺成功率低,中心管柱控水能力有限且有效期短。综合考虑化学堵水与中心管柱控水的特点,提出一种集成ACP环空化学封隔、定点化学封堵、中心管控水3种工艺技术于一体的堵、控水新工艺。针对目标井实际情况改进工艺管柱,可利用一趟管柱实现ACP管外化学环空封堵分段,化学堵剂定点封堵及中心管控水的组合治水方式,既能大幅降低现场作业时间及成本,又能有效确保工艺效果。现场试验效果显著,有效期超过8个月。     

Role of interfacial-charge in the growth of GaN on α-SiC

The growth of GaN and A1N films on (0001) substrates of 6H-SiC has produced high-quality opto-electronic films. The SiC surface at the interface with GaN or A1N is either Si-terminated or C-terminated, and the Si-terminated interface is known to be the better substrate, producing higher-quality films. The polarity of the interface is important, as recognized by Sasaki and Matsuoka. We propose that the main relevant parameter for characterizing the interface and its potential for producing high-quality opto-electronic GaN or A1N films is the interfacial charge, which leads to the best films when the charge is positive and relatively large. The positive charge reduces the size of the Nions at the interface and hence improves the local lattice match. (The charges are approximately −0.45 lei and +0.55 lei on the interfacial N and Si atoms, respectively.) Therefore, while the polarity of the interface is important, the polarity's effect on the local lattice mismatch is what leads to a high-quality interface. These ideas are consistent with XPS data and are supported by electronegativity arguments, by calculations for ordinary mono-bonded GaN/SiC superlattices (with N-Si and Ga-C interfaces) and by computations for superlattices with tri-bonded interfaces. We predict that the tri-bonded N-Si interface of GaN/SiC should produce excellent GaN and AIN films.     

双膦胺镍-甲基铝氧烷体系催化苯乙烯聚合

研究了具有新型结构的双膦胺镍配合物N,N-双(二苯膦基)-对甲氧基苯胺二氯化镍-甲基铝氧烷(PNP-N i-MAO)催化体系对苯乙烯聚合的催化性能,考察了聚合温度、n(A l)∶n(PNP-N i)、PNP-N i的浓度和苯乙烯的浓度对催化活性、苯乙烯转化率、聚苯乙烯相对分子质量及其分布的影响,并用核磁共振和凝胶色谱对聚苯乙烯的结构进行了表征。实验结果表明,在聚合温度25℃、聚合时间1h、n(A l)∶n(PNP-N i)=300、c(苯乙烯)=2.3m ol/L、c(PNP-N i)=0.4mm ol/L、甲苯为溶剂的适宜条件下,苯乙烯的转化率可达95%以上,催化活性达到5×105g/(m ol.h)左右。核磁共振和凝胶色谱表征结果显示,所得聚苯乙烯为无规结构,重均相对分子质量约为1×104,相对分子质量分布Mw/Mn约为2。     

不压井更换闸阀技术在气井维护中的应用

高压气井采气井口的1号主控闸阀若产生泄漏、开关不动等问题，将影响气井的正常生产和维护保养，并存在安全隐患，这给气井的安全生产带来了严重危害。文章介绍了利用下油管堵塞器更换井口1号闸阀的原理、相关参数设计方法，以及施工所需的工具和作业过程等。该技术操作简单，不需压井，对气井产层不会产生污染，实施费用低。近年来，靖边气田应用不压井更换井口1号闸阀技术对部分气井的闸阀进行了更换，取得了十分理想的效果。     

天然气管网输配气量优化研究

天然气管网系统管理部门为了明确天然气管网的输气能力和提高天然气管网的利用率，需要对天然气管网系统的输配气量进行优化。为此，以天然气管网系统的最大流量为目标函数，同时考虑了管道强度、节点压力和流量限制等约束条件，建立了天然气管网输配气量优化的数学模型。在研究遗传算法和模拟退火算法的基础上，提出了一种由二者结合构成的具有全域搜索、快速收敛和鲁棒性强等特点的混合遗传算法。结合实例，采用这一新算法求解了天然气管网输配气量优化的数学模型。实例优化结果表明，所建立的数学模型和采用的混合遗传算法是可行和有效的，能够对天然气管网系统输配气量的调度运行起到指导作用。     

超临界氧化碳混相驱油机理实验研究

根据大庆榆树林油田原油组分变化、CO₂与原油界面张力关系及CO₂超临界性质,对CO₂混相驱地层情况进行了模拟研究,建立了CO₂混相驱驱替模型和方程。研究结果表明,超临界状态的CO₂可以降低所波及油水的界面张力;混相时混相带原油含碳组分中C₂₀以下的含量达到了最高值;水气交替注入时,水对混相有不利的影响。     

膏盐岩地层地质特征与录井技术

石油勘探实践和研究结果表明，许多油气藏的形成都与膏盐岩地层有关，也常与膏盐岩地层伴生，成功钻穿膏盐岩地层是钻井难题之一，录井技术成为钻进安全监测、膏盐岩地层准确预报的重要手段。针对上述情况，介绍了膏盐岩地层的主要类型、沉积模式以及与油气的关系，归纳总结了膏盐岩地层的录井技术经验，包括：在随钻录井过程中熟悉地质设计与邻井资料；在没有预测钻遇膏盐岩地层的情况下，通过钻井液中Cl^-的变化判定是否钻遇膏盐岩地层；预计钻遇膏盐岩地层时，使用饱和盐水钻井液；钻遇膏盐岩地层后观察盐岩是否以岩屑形式返出；同时，把握膏盐岩地层的岩性、岩性组合、层位、顶底界和厚度是非常重要的。通过S1井实例分析，论述了在膏盐岩地层中钻进时，防卡、防漏是录井人员监测和预报的重点。     

水平井现场地质导向方法及其应用

为了降低水平井的钻探工程成本，要尽量不钻或少钻导眼井段。根据水平井在钻前准备、深度预测、稳定井斜、水平导入4个阶段的不同作业特点，依据现场施工经验，归纳提出了利用公式法、小导眼法、曲线指示法、扭矩与dc指数法等方法进行地质导向的成功实践。利用这些方法，可以有效地指导现场钻井人员，将钻井轨迹比较准确地导入目的层中。     

基于SL0的高分辨率Radon变换及数据重建

L₀范数是度量数据稀疏度的最优方法,但它具有的非凸性造成求解困难。本文将光滑L₀范数（Smoothed L₀ Norm,SL₀）稀疏约束引入Radon变换中,降低了其求解难度,并进一步提高了Radon变换的分辨率。即通过构建平滑的连续函数逼近L₀范数,以此作为抛物线Radon变换的目标函数,采用最速下降法和梯度投影原理获得最优解。理论模型和实际地震数据重建试验结果表明,该方法进一步提高了Radon变换分辨率,较好地恢复了缺失地震数据的连续性和AVO特性。     

地面微地震有源噪声自动识别与匹配压制方法

微地震监测技术通过对非常规储层压裂改造引发的震源点进行成像,实时提供压裂施工过程中产生的裂隙高度、长度、宽度和方位角等信息,为致密储层压裂提供指导,以提高油气采收率。在地面布设站点进行监测时,因微地震信号传播距离较远、近地表吸收衰减严重、地面有源噪声较多,微地震数据具有信号能量弱、噪声干扰强和信噪比低等特点,严重制约微地震事件的定位精度。噪声源多分布于地表,根据有源噪声与由储层向上传播的微地震事件在能量、频率、传播速度和源位置等方面的差异,本文提出微地震有源噪声自动识别与匹配方法。综合长短时窗能量比与微地震量板方法,自动识别有源噪声干扰,并进行噪声源位置和传播速度的三维最优并行搜索;利用同时确定的最优噪声源位置和传播速度对微地震数据进行动校正处理,得到噪声标准道,通过能量自适应匹配处理压制有源噪声。正演模拟数据和实际微地震数据去噪效果证明,本文方法能有效压制有源噪声,显著提高微地震数据品质,为后续微地震事件精确定位奠定了基础。