步态识别在智能视频监控系统中的应用前景

步态识别是生物特征识别技术的新领域,它具有可远距离获取、非接触性和非侵犯性、难以隐藏等优点,在未来智能视频监控系统中的应用前景广阔。重点介绍了步态识别技术的最新研究工作,涵盖了基于步态的性别识别、基于步态的年龄识别以及多视角步态识别等前沿技术,并对步态识别的未来发展趋势作了展望。     

考虑空间电荷效应时速调管射频间隙耦合系数的理论与模拟

在大功率速调管中,由于电子注电流较大,间隙距离较长,在间隙中由电子群聚产生的交流空间电荷效应不可忽略。根据传统的运动学理论来计算速调管间隙耦合系数,并没有考虑这个效应,计算的结果高于实际值。该文利用Webster去聚理论,建立了在任意间隙场分布情况下,考虑空间电荷效应的间隙耦合系数计算模型。利用粒子模拟工具,进行了仿真模拟,理论计算与仿真结果一致。     

40/100Gb/s偏振复用相干检测光模块的技术分析

利用偏振复用四相相移键控(PM-QPSK)调制技术和相干检测技术,实现40/100 Gb/s光模块的长距离传输。基于相干检测的偏振复用四相相移键控调制格式是40/100 Gb/s长距离传输的主要研究方向,与直接检测系统相比,相干检测具有更高的频谱效率。现有的相干检测是基于高速模数转换器(ADC)的快速发展,ADC对混频后的基带信号采样,通过数字信号处理(DSP)芯片数字均衡的方式完成相干接收。数字信号处理芯片数字均衡的方式可以实现定时恢复、信号恢复、偏振和偏振模色散(PMD)跟踪,以及色散补偿。     

基于互信息波段选择和经验模态分解的高精度高光谱数据分类

在遥感数据处理研究中,高维高光谱数据的冗余信息和噪声严重影响高光谱数据的分类精度,针对此问题提出基于互信息波段选择和经验模态分解的高精度高光谱数据分类算法(MI-EMD-SVM).分别采用基于互信息波段选择方法和经验模态分解实现对高光谱数据的冗余信息处理和特征提取,并获得处理后的高光谱数据X'.采用支持向量机分类算法...     

激光打标机聚焦性能的优化设计

一般动态聚焦打标机在聚焦镜前加一套准直扩束系统,随扫描振镜的转动,同步调整准直扩束系统的位置,使激光束始终聚焦在打标平面上。但对更大幅面,聚焦效果不够理想,边缘部分比较模糊。为了适应更大幅面的打标,在原准直扩束系统的基础上,设计了动态准直扩束系统,通过优化设计准直扩束系统的运动轨迹,进一步提高了聚焦性能。经优化后的聚焦指标性能提高了20%,实现了小光斑、大范围的激光打标。同时利用多项式对扩束镜的轨迹进行拟合,提高打标速度,并利用分段线性插值查找表的方法对边缘部分的枕形失真进行校正。经装机测试,该系统打标效果好,能满足使用要求。     

基于能动分块反射镜的七路激光阵列倾斜校正与相干合成实验研究

提出了一种基于能动分块反射镜(ASM)的激光阵列相位控制新方法,用以解决激光主振荡功率放大(MOPA)器相干合成技术中的空间光束倾斜校准与输出端相位调制两大关键问题。介绍了7单元能动分块反射镜实现空间光调制的原理,并采用该器件成功验证了7路光束合成的方案。实验采用六棱反射锥进行光束合成,并采用两套控制回路分别实现了倾斜与平移校正,获得了小于25μrad和λ/10的校正精度。闭环后,获得了主瓣占总功率31.73%的高质量相干耦合激光输出。     

蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究

利用XSAFS（X－射线吸收精细结构）方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构,对于第一近邻Ga－N配位,纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近,分别为0．194nm、4．0、0．0052nm、0．0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga－N配位的σT增加不多,小于0．0005nm,表明第一近邻Ga－N配位的共价键作用力较强,几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0．318nm,纳米晶GaN的σs（0．0057NM）比晶体GaN的（0．001nm )大0．0047nm;在78K和300K时,纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0．0053nm和0.0085nm,这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响,纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大,可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。     

医用外照射微波辐射器的改进和临床应用

针对医用外照射微波辐射器临床应用存在的问题,将同轴－波导转换中针形激励线改为略带锥形的阿基米德螺线,从而使驻波系数等参数得到改善,并减小了体积、重量与微波泄漏,经临床使用,疗效满意。     

HgCdTe分子束外延In掺杂研究

报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 .     

分子束外延HgCdTe表面缺陷研究

采用GaAs作为衬底研究了HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,借助SEM分析了不同缺陷的成核机制,确定了获得良好表面所需的最佳生长条件。发现HgCdTe外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关,获得的外延层表面缺陷（尺寸大于2μm）平均密度为300cm^-2,筛选合格率为65％。