基于信息融合的短时矢功率谱分析方法

研究了基于信息融合的旋转机械短时矢功率谱分析方法。根据单通道信号处理的不足,本文提出把全矢谱技术与短时傅里叶变换相结合,建立矢量信号的短时矢功率谱概念,导出其计算公式,阐述其图谱表达,并将其应用于实际故障诊断系统中。研究表明,短时矢功率谱可以对矢量信号的短时能量随频率、时间等的变化过程作出分析,可以应用于旋转机械故障诊断实践中。     

LDMOS 功率器件在固态雷达发射系统中应用研究与实践

介绍了LDMOS 功率器件的特性,通过与传统Si 功率器件相比较,LDMOS 器件具有低成本、高增益、高线性度、热稳定性好和高可靠性等特点,在固态雷达发射系统中有广阔的应用前景,本文对LDMOS 功率器件在固态雷达发射系统中应用进行理论分析,并利用LDMOS 功率器件设计制作了P 波段300W 功放组件,对LDMOS 功率放大组件进行性能测试,根据试验数据分析应用LDMOS 功率器件对固态雷达发射系统的影响。     

State feedback controller design of networked control systems

This paper is concerned with the controller design of networked control systems (NCS). A new model of the NCSs is provided under consideration of both the network-induced delay and the data packet dropout in the transmission. In terms of the given model, a controller design method is proposed based on a delay-dependent approach. The feedback gain of a memoryless controller and the maximum allowable value of the network-induced delay can be derived by solving a set of linear matrix inequalities. Two examples are given to show the effectiveness of our method.     

普适的宽带路由器IPSec改造方案

网络安全性问题的日益突出迫切要求对现有普通宽带路由器进行支持IPSec的改造。以往的基于加密卡串接网络处理单元的改造方法导致资源利用率低、工程实现难度大及普适性差。文章提出了一种新的改造方案,能够利用宽带路由器的快通道实现加密数据包的高速传输,利用慢通道维护IPSec协议的运行及相关安全信息的下发,以一种母板结构普适地实现了对宽带路由器的高效IPSec改造。     

半导体ZnTe/GaAs界面层错的高分辨显微分析

本项研究对经热壁外延（ＨＷＥ）生长在ＧａＡｓ基底上的ＺｎＴｅ进行分高分辨显微结构的观察，在ＺｎＴｅ／ＧａＡｓ界面上不仅存在着混合型全位错的扩展，而且首次发现类似螺旋位错分解的层错，并将其归结为原子在不全位错之后的堆积。     

基于分布反馈注入锁定的连续可调光子微波倍频实验研究

提出了一种基于注入锁定分布反馈式(DFB)激光器的双波长差频微波/毫米波信号产生方案。方案利用正弦波光信号通过半导体光放大器(SOA)进行非线性展宽,产生高阶分量,然后注入到两个DFB激光器后进行锁定放大,产生频率连续可调的倍频信号。在实验中,注入的正弦波光信号频率为1.25GHz,得到20～40GHz频率范围内1.25GHz的任意自然数倍的连续可调微波信号,其最高倍频数为32。     

H型栅结构的亚微米PDSOI MOS器件的跨导双峰效应研究

A bimodal effect of transconductance was observed in narrow channel PDSOI sub-micron H-gate PMOSFETs,which was accompanied with the degeneration of device performance.This paper presents a study of the transconductance bimodal effect based on the manufacturing process and electrical properties of those devices.It is shown that this effect is caused by a diffusion of donor impurities from the NC region of body contact to the PC poly gate at the neck of the H-gate,which would change the work function differences of the polysilicon gate and substrate.This means that the threshold voltage of the device is different in the width direction,which means that there are parasitic transistors paralleled with the main transistor at the neck of the H-gate.The subsequent devices were fabricated with layout optimization,and it is demonstrated that the bimodal transconductance can be eliminated by mask modification with NC implantation more than 0.2 m away from a poly gate.     

InN薄膜的退火特性

对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.     

加速度传感器ADXL105的原理及实验研究

ADXL105是ANALOG公司生产的加速度传感器芯片。该芯片除包含一个多晶硅表面微处理传感器外,还内置一个运算放大器,便于对测量信号进行处理,满量程是5g。详细介绍了ADXL105的工作原理、功能、特性,设计了测量探头、滤波电路、减法电路等具体实验电路并进行了相关实验研究,提出了注意事项,并对实验中出现的问题进行了讨论。实验结果表明,ADXL105能够很好地测量静态和动态加速度,响应速度快,性能稳定,适用于机械振动测量等场合。     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.