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21.
In this paper, a localized MEI method (L-MEI) is developed and combined with the domain decomposition method (DDM) for the simulation of scattering by a concave cylinder. In the L-MEI, the whole domain is decomposed into many subdomains. Different from the conventional MEI method, the MEI coefficients of the L-MEI method in each subdomain are only dependent on the localized metrons that are defined in the subdomain. The localization of metrons has the following advantages: (1) speeding up the calculation of MEI coefficients and saving memory, (2) making the MEI method available for concave structures, and (3) obtaining a band sparse matrix directly without any modification  相似文献   
22.
赵邑新  尹霞  吴建平 《高技术通讯》2002,12(2):10-15,20
在分析路由协议的特性及其测试需求的基础上,提出利用窗口黑盒来描述被测协议,利用多通道测试方法扩展对被测实现的控制和观察,通过扩充参考实现增强系统的测试能力。将这些理论,技术应用于系统中,对路由协议开展了有效的测试活动,为国产高性能路由器的开发提供了有力的支持,也进一步增强了PITS系统的功能和适用性。  相似文献   
23.
软X射线不仅能引起红细胞表面电荷的变化,同时也能导致淋巴细胞和血小板表面电荷下降,表现为照射后它们的电泳率下降。低剂量范围内,这种电荷的变化是暂时性的,照后4小时降到最低点,24小时后恢复到对照的水平。细胞电泳率的下降与辐射剂量相关。淋巴细胞是一个复杂的细胞群,正常状态下,按细胞在电场中泳动速度的快慢,可分为两个组分:快峰为T细胞,慢峰为B细胞。软X射线照射以后,T和B细胞的电泳率皆减慢,频数分布峰值下降,离散度加大。血小板成分单一,电泳率较一致。 从照射浓集的血小板再加回自身血浆中电泳率的下降较照射血浆再加到血小板中的电泳率下降大得多;受照射的血小板在磷酸缓冲液中电泳率下降较在血浆悬液中严重得多;2000 rad照后,悬浮于血浆中的血小板电泳率能恢复,而悬浮于磷酸缓冲液中则不能恢复,三个方面来看,血浆中可能存在抗辐射因子。超氧化物岐化酶能有效地预防血小板电泳率的下降,从而可阻止血小板的凝聚。  相似文献   
24.
编码解码芯片HD3 64 0 8 9是一种高性能的CMOS器件。这种大规模芯片主要由编码器和解码器两部分组成。在数据传输应用中 ,采用两个独立的单片机系统 ,利用编码解码芯片 (HD3 64 0 8 9)组成数字信号的接收、发送及显示部分来完成数据传输功能  相似文献   
25.
孔西潜山奥陶系原生油藏成藏时期探讨   总被引:12,自引:4,他引:8  
黄骅坳陷孔西潜山发现奥陶系(孔古3井、孔古7井)低产原生油藏和石炭-二叠系原生油气藏(孔古4井),油源对比结果证明,前者原油主要源于中奥陶统马家沟组灰岩,后者油气主要源于石炭系太原组及二叠系山西组煤系泥岩。根据孔古3井油藏的两期流体包裹体及储集层自生伊利石K-Ar年龄测定结果,油藏属两期成藏,第一期为晚三叠世(距今222.51~240.34Ma),第二期为第三纪,以晚第三纪为主。  相似文献   
26.
介绍I/A’S系统在巨化热电厂八号50MW供热机组上应用实例,并从DCS系统的整体设计到实现的功能、控制效果等多方面进行了分折,总结了调试和运行经验。  相似文献   
27.
随着计算机网络的迅速发展,网络安全问题正变得日益重要。文章介绍了计算机网络系统IP层安全概况和入侵者对IP层常采用的入侵手段,以及为防止这种入侵所采取的措施。  相似文献   
28.
首钢外购焦炭质量恶化后的高炉生产实践   总被引:2,自引:0,他引:2  
张思斌  王涛  李颖 《炼铁》2004,23(1):18-21
针对焦炭质量劣化的状况,高炉操作以活跃炉缸为主,从上下部调剂入手,采取疏导煤气、控制合理的实际风速和鼓风动能、缓解焦炭在高温区的粉化等措施,有效地改善了高炉的顺行状况,并逐步恢复高炉指标。  相似文献   
29.
A planar double-gate SOI MOSFET (DG-SOI) with thin channel and thick source/drain (S/D) was successfully fabricated. Using both experimental data and simulation results, the S/D asymmetric effect induced by gate misalignment was studied. For a misaligned DG-SOI, there is gate nonoverlapped region on one side and extra gate overlapped region on the other side. The nonoverlapped region introduces extra series resistance and weakly controlled channel, while the extra overlapped region introduces additional overlap capacitance and gate leakage current. We compared two cases: bottom gate shift to source side (DG/spl I.bar/S) and bottom gate shift to drain side (DG/spl I.bar/D). At the same gate misalignment value, DG/spl I.bar/S resulted in a larger drain-induced barrier lowering effect and smaller overlap capacitance at drain side than DG/spl I.bar/D. Because of reduced drain-side capacitance, the speed of three-stage ring oscillator of DG/spl I.bar/S, with 20% gate misalignment length (L/sub mis/) over gate length (L/sub g/), or L/sub mis//L/sub g/=20%, was faster than that of two-gate aligned DG-SOI.  相似文献   
30.
介绍了大跨度预应力混凝土拱板在狭小场地条件下的起模、运输及空间滑移吊装的方法,经在众多中直粮库中的应用,证明该方法简单、适用、经济。  相似文献   
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