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Phase-change read-and-write memory (PRAM) is a promising memory that can solve the problems of conventional memory—scalability, read/write speed, and reliability. We will review the opportunities and technical challenges of PRAM. The most important challenge of PRAM is the reduction of the writing current. Various approaches to reduce the writing current will be reviewed and the prospects of PRAM are discussed.  相似文献   
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我的家     
我生于东京的银座,那是个靠近传统花街柳巷、歌舞升平的地方,在童年的记忆里那里随时随地都是一片华美景象。而在这些景象的背后有一排排美丽的临街二层长屋建筑,大都是料亭,还有颇有风致的砖结构剧场。那时父母在这里经营着咖啡馆,街上的行人总是把店里挤得满满的。数年前父亲  相似文献   
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本文调查了油田212例受γ射线和中子混合辐射照射的作业人员和30例正常人的外周血淋巴细胞染色体畸变。作业人员受γ射线照射的人均年受照剂量为1.28mGy。调查结果表明,放射性测井人员与正常人相比染色体畸变率有显著差异。  相似文献   
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38.
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任向红  樊秉安  李瑛 《粘接》2002,23(1):1-2,6
坑道水下堵漏剂的研制包括F-1、F-2和F-3型。其中F-1是一种有机堵漏剂,它可以在水中固化;F-2是一种无机防水堵漏剂,施工方便;F-3是速凝型,它可在瞬间固化,能对坑道的涌水口进行堵漏。  相似文献   
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