氮化硅陶瓷刀具表面涂覆高硬耐磨氮化钛涂层研究

用高能量密度脉冲等离子体于室温下在氮化硅陶瓷刀具上成功沉积了高硬耐磨的氮化钛涂层。薄膜厚度用光学显微镜和俄歇电子能谱仪测定，薄膜元素和相组成与分布分别用俄歇电子能谱仪、X光电子能谱以及X光衍射仪测定，薄膜微观结构用扫描电镜观察，薄膜表面粗糙度用光学显微镜测定，薄膜力学性能由纳米压痕实验和纳米划痕实验确定，薄膜的磨损性能用上业条件下的切削实验评价。实验结果表明，在最优化条件下，涂层与基体的结合力很好，纳米划痕实验临界载荷达80mN以上；氮化钛涂层具有很高的硬度和杨氏模量，分别达28GPa和350GPa以上。涂层刀具用于HB达2200MPa—2300MPa的HT250钢切削实验表明，刀具耐磨损能力增强，寿命明显提高。     

酸浸+等离子体刻蚀YG6微米-纳米金刚石复合涂层工具研究

金刚石涂层工具一直是金刚石膜工具应用研究的主流.制约其产业化的主要因素是涂层的附着力低和微晶金刚石涂层工具的加工精度差.通过对衬底的有效预处理和CVD沉积过程控制的研究,开发在硬质合金基体上沉积高结合强度、低粗糙度的金刚石涂层新技术,对于实现CVD金刚石涂层刀具高效、高精度切削加工具有重要意义.对旨在提高金刚石涂层附着力的预处理技术,本文探索了将酸蚀脱钴+等离子体刻蚀处理衬底法.利用优化的沉积工艺,在酸浸+等离子刻蚀处理的YG6刀片上沉积的两层金刚石复合膜表面粗糙度为0.13μm,附着力压痕测试临界载荷大于1500N.金刚石涂层工具的切削加工性能明显高于无涂层硬质合金工具.在加工ZAlSi12合金时,单层和两层金刚石涂层车刀片的切削寿命分别是无涂层车刀片切削寿命的21倍和28倍.     

中英规范有关建筑物防雷接地做法的比较

结合国家标准GB 50057-2010《建筑物防雷设计规范》和BS规范BS EN 62305-2006《Protection against lightning》,介绍了两本规范中建筑物防雷装置做法,简述了两种规范中有关建筑物外部防雷(接闪器、引下线、接地装置)、内部防雷以及防雷击电磁脉冲的有关规范条文规定和比较。     

基于Aspen Plus的聚甲氧基二甲醚精馏过程模拟分析

在装有θ环填料的精馏塔内进行了聚甲氧基二甲醚精馏实验。利用化工流程模拟软件.AspenPlus对聚甲氧基二甲醚精馏过程进行模拟,首先,采用DsTWU简捷蒸馏模型,运用软件中NRTL、WILSON、UNIQUAC,3种物性方法对精馏塔进行了计算,得到了回流比、塔板数和温度等操作参数。接着,采用RadFrac严格精馏模型对精馏塔进行了验证,其计算结果与实验结果吻合良好,满足工艺要求。最后,对精馏塔的操作变量进行了灵敏度分析,讨论了进料位置、进料流率和回流比等参数对精馏分离要求与能耗的影响,并确定了最优化方案,即:进料板为第50块,进料流率为35 mol/h,回流比为6。     

环境经济系统工程的思考

环境问题与经济问题紧密相连,由于环境问题的综合性和复杂性,需要运用系统工程的方法和经济学原理,将环境问题置于整个经济系统中统筹考虑,建立相对完整的环境经济系统工程方法体系,将环境保护工作纳入经济社会发展中,使其成为决策中主要考虑的因素之一,并引起应有的重视。本研究从环境与经济承载力、环境投资的经济分析、环境与投资效率比较、环境资源的经济价值以及生态补偿与污染赔偿等方面构建环境经济系统工程的基本框架体系,并结合实际进行案例分析。研究表明,单纯的政府行政干预不如创造条件,如补偿、税收减免、投资、贴息等,使其具备在市场规则下.自动引导资源向环境保护与污染治理的投入,如排污指标的交易等。此外,自然资源是不可或缺的稀有资本,应该将保护生态系统及生物多样性纳入各级政府决策的主要方面。     

结构动力数值仿真两级并行计算系统开发及应用

根据分布式存储并行计算机的体系结构特点,设计了一个结构动力数值仿真两级并行计算系统.首先通过两级分区为并行计算准备数据,并将数据分布式存储在各节点的局部存储器上;在结构动力分析过程中,通过进一步缩减问题规模和有效地提高通信效率大幅度减少了界面方程求解时间以及系统求解总时间.文中详细阐述了该系统工作原理、并行计算流程和系统实现的相关软件开发工具.最后通过典型数值算例验证了该系统的有效性.     

HY-2高度计海况偏差非参数估计模型研究

基于HY-2高度计数据,采用局部线性回归非参数估计方法,利用球谐核函数及局部可调带宽,对70和71周期的交叉点进行海况偏差非参数估计。依据解释方差、海况偏差与有效波高及风速的相关度和模型残差分析,检验评价模型。与相同数据集下的参数模型估计结果进行了分析比对,结果表明:所选定的非参数模型的海况偏差与有效波高和风速的相关度均处于较高水平,说明模型更为有效。在不同纬度段,非参数模型和参数模型各有所长,在北半球高纬度区域,非参数模型表现更优。     

Letter: Solution‐processed flexible zinc‐tin oxide thin‐film transistors on ultra‐thin polyimide substrates

In this letter, solution‐processed flexible zinc‐tin oxide (Z_0.35T_0.65O_1.7) thin‐film transistors with electrochemically oxidized gate insulators (AlOx:Nd) fabricated on ultra‐thin (30 µm) polyimide substrates are presented. The AlOx:Nd insulators exhibited wonderful stability under bending and excellent insulating properties with low leakage current, high dielectric constant, and high breakdown field. The device exhibited a mobility of 3.9 cm²/V · s after annealing at 300 °C. In addition, the flexible device was able to maintain the electricity performance under various degrees of bending, which was attributed to the ultra‐thin polyimide substrate.