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GaAs亚微米自对准工艺技术研究 总被引:2,自引:2,他引:0
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mmGaAs圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的GaAsIC和GaAs功率MESFET,证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国GaAsIC确实具有重大意义。 相似文献
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本文测量了紫外激光(308nm)激发诱导正常组织和胃癌组织315nm-600nm波段的自体荧光,发现胃癌组织在此荧光光谱不同于正常组织的荧光光谱。根据两者4的区别,可以把胃癌组织从正常组织中区分出来,这为诊断胃癌提供了一个新的思路。 相似文献
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分析了太钢电弧炉变压器高压侧相间过电压的产生原因,比较了用于限制过电压的避雷器的两种接法.结论是用四垦接法MOA限制过电压的效果较显著. 相似文献
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Li S. Zhang H. Lu P. Zhu W. Edelman H. Rea C. Tabat N. Mao S. Brown D. Montemorra M. Palmer D. 《IEEE transactions on magnetics》2006,42(12):3874-3879
In perpendicular recording, substantial erasure of the stored data patterns can occur during the writing process. Among all those erasure processes, side-track erasure (STE) is one of the critical issues in drive head/media integration. Unlike the adjacent track erasure (ATE) process, the locations of the STE affected areas are often many tens of tracks away from the central writing track location. In this work, we report on an experimental investigation and quantification of the general attributes and the origins of the STE processes in various situations. Particularly, we thoroughly characterize some distinctive signatures and behaviors of STE processes by employing both the amplitude- and bit-error-rate-based STE measurement methods in combination with a novel magnetic force microscope characterization technique 相似文献
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NiCuZn铁氧体和银内电极的共烧行为 总被引:2,自引:0,他引:2
NiCuZn铁氧体正作为磁介质广泛地应用于低烧多层片式电感,因此有必要对其与银内电极的共烧行为进行研究。该文主要介绍NiCuZn铁氧体/银内电极多层复合体共烧过程中的烧结收缩、界面反应、扩散对介质性能的影响。尖晶石结构中存在相当数量的空位,这为银离子提供了一定的溶解度,因此在共烧过程中银对铁氧体的相组成影响较小。银对铁氧体性能的影响体现在两个方面。一方面是由于银具有相对低的烧结温度,从而在烧结过程中起到助烧剂的作用,促进致密化过程,提高烧结体的密度和磁导率;另一方面,银促使铁氧体中的铜在晶界处析出,导致晶界处应力,使磁导率降低,晶粒生长也被一定程度地抑制。 相似文献
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