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81.
广义杠杆规则及其在配方计算中的应用 总被引:5,自引:3,他引:2
作者将相图中的一维杠杆规则推广至多元配料系统而成为广义杠杆规则,并利用这一规则对配方计算中解的可行域问题进行了深入的讨论,给出了几何解释及工艺诠释,对配方设计有一定的指导作用。 相似文献
82.
NH_4Cl水溶液在成膜过程中的致孔作用 总被引:2,自引:0,他引:2
本文以NH4Cl饱和水溶液做添加剂,对PVDF/NMP体系在成膜过程中的致孔作用做了研究。铸膜液中随NH4Cl水溶液加入量的改变,膜孔径也发生变化,并出现最大值。通过X-射线衍射扫描发现制膜液中存在无机盐时膜中无定形态结构增加,表明无机盐的加入有助于膜孔形成 相似文献
83.
84.
本文介绍了广播发射台利用计算机技术、网络技术、遥控遥测技术、现代测试手段,对设备进行自动化控制与管理;实现设备技术指标自动测试,发射台无人值班、有人留守,建立机器的计算机档案制度,确保安全优质播出的方法和经验。 相似文献
85.
采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化,并编制了软件,加入到GaAsICCAD系统中。应用该软件对X波段低噪声MMIC、超宽带MMIC放大器进行了设计,成品率有较大的提高,电路性能有所改善。 相似文献
86.
中国的三种非同步轨道卫星移动通信系统星座方案 总被引:6,自引:1,他引:5
本文介绍基于我国的三种非同步轨道卫星移动通信系统星座方案:低、中轨系统各有24和18颗星,轨道高度分别为1326和8035km,两系统各以5°和30°的仰角对我国的覆盖率为99.78%和99.96%;椭圆轨道系统12颗星,近、远地点分别为427和2906km,以7°和15°仰角对我国北纬20°以上地区覆盖率分别为97.90%和89.61%,若增加4颗中轨卫星,以15°仰角对我国的覆盖率为99.99%。 相似文献
87.
Jifu Huang Ke Wu 《Microwave Theory and Techniques》1996,44(8):1508-1511
A generalized transmission line matrix (TLM) algorithm is developed in the frequency domain to tackle arbitrary both reciprocal and nonreciprocal anisotropic waveguiding problems. In particular, the modeling issue for arbitrary planar structures is stressed in this work. A new three-dimensional (3-D) condensed node is used to consider the effect of both electric and magnetic constitutive tensors. Various results indicate how the modal dispersive behavior can be manipulated by changing not only the anisotropic characteristics of the substrate, but also the strip/slot geometry as well as the magnitude and orientation of the applied static magnetic field. The present algorithm is useful for CAD and simulation of a large class of gyrotropic waveguide-based microwave and millimeter-wave circuits 相似文献
88.
89.
Hsin-Li Chen Ching-Yuan Wu 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1998,45(10):2245-2247
An analytical model for the grain-barrier height of the intrinsic poly-Si thin-film transistors (TFTs) is developed, in which the grain-barrier height for the applied gate voltage smaller than the threshold voltage is obtained by solving the charge neutrality equation and the grain-barrier height for the applied gate voltage larger than the threshold voltage is obtained by using the quasi-two-dimensional (2-D) method. Good agreements between experimental and simulation results are obtained for a wide gate voltage range 相似文献
90.