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该工艺技术是在原三联作(TCP+MFE+JET)基础上,根据大港油田勘探试油(测试)的需要,研制开发出的又一新技术,与原三联作相比,一趟管柱不但完成求产、测压、泵排工作,而且还能进行酸化等措施,提高了资料品质,减少了作业成本。经过6井次现场应用,全部达到了设计要求,取得了工艺、资料、成本、速度的较大进步,具有较高推广应用价值。 相似文献
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一种通用型的目标数据仿真 总被引:5,自引:1,他引:4
给出了一种通用型的雷达目标模拟器 ,它能够方便直观的产生各种特征的三维目标轨迹 ,可实时离散出目标点迹 ,为雷达数据处理及精度分析提供数据来源。目标轨迹由一组特征点定义 ,修改方便 ,应用灵活 相似文献
93.
珠光体球化的分形研究 总被引:7,自引:2,他引:5
珠光体球化反映到金相上,是一种不规则图像的变化,并且具有分形的特征,可望用分形几何的方法来进行描述。以Cr-Mo钢的珠光体球化为例,用分形维数来描述珠光体球化程度;用小岛法对15CrMo钢的珠光体球化图谱进行了测量。实验表明,珠光体球化从1级到6级,其相应的分形维数范围为1.3156-1.9282。从电厂运行了10^5h的15CrMo钢管上取样,实测了该试样的珠光体球化等级,结果表明,以分形维数表示的球化程度与按图谱评定的球化等级完全吻合。 相似文献
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Dong-Soo Yoon Jae Sung Roh Sung-Man Lee Hong Koo Baik 《Journal of Electronic Materials》2003,32(8):890-898
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si
contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no
formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film
by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity
of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer.
Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the
RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system. 相似文献
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99.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
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The purpose of this paper is to evaluate two methods of assessing the productivity and quality impact of Computer Aided Software Engineering (CASE) and Fourth Generation Language (4GL) technologies: (1) by the retrospective method; and (2) the cross-sectional method. Both methods involve the use of questionnaire surveys. Developers' perceptions depend on the context in which they are expressed and this includes expectations about the effectiveness of a given software product. Consequently, it is generally not reliable to base inferences about the relative merits of CASE and 4GLs on a cross-sectional comparison of two separate samples of users. The retrospective method that requires each respondent to directly compare different products is shown to be more reliable. However, there may be scope to employ cross-sectional comparisons of the findings from different samples where both sets of respondents use the same reference point for their judgements, and where numerical rather than verbal rating scales are used to measure perceptions. 相似文献