活性炭单柱提取肌苷新技术研究

活性炭单柱提取肌苷新技术研究李永泉，张进，姚恕，郑莲英，俞峰（杭州大学生物系杭州３１００２８）（浙江大学化工系杭州３１００２７）关键词：肌苷，提取技术，活性炭单柱１前言目前，国内肌苷发酵后处理工艺落后，在分离提取工序中肌苷损失严重，收率一般只有５０％...     

有机电沉积涂料的新动向

阴极电沉积涂料是 2 0世纪 70年代以来发展起来的一种新的涂装方法 ,具有挥发性有机物 (VOCs)和有害空气污染物(HAPs)含量低、防蚀能力强、漆膜质量好、涂料利用率高、适合涂装结构复杂的构件和设备等特点。介绍了近年来阴极电沉积涂料研发的新动向。它们主要集中在有机双层电涂和高分子 聚电解质 /低聚物电解质复合物多层电涂体系 ,这些新的电涂体系在涂料的稳定性以及涂层的物理化学性质和力学性能方面具有明显的改进。     

一种弹载条带式SAR成像方法

弹载条带式SAR信号特点表现为小的距离弯曲量,当分辨率要求不是特别高时,若最大距离弯曲量小于一个距离分辨单元时可忽略不计,而只考虑距离走动量的校正。针对这一特点提出了一种在频域对距离迁移的线性项即距离走动校正的成像方法,并提出了距离误差校正和图像几何校正相结合的方法,使得成像效率更高。仿真成像结果验证了该方法的可行性。     

三平板剪切干涉仪自动测试系统

三平板剪切干涉仪是环路剪切干涉仪中最简单的一种,它具有基本等光程、剪切量连续可调、两出射光束恒相互平行等特点。利用三平板剪切干涉仪对激光器出射波面质量进行检测,探讨了由剪切干涉图复原原始波面的1阶微分法,编制了专家辅助软件系统,为光机型的三平板剪切干涉仪配置了实时图像采集、处理系统,实现了光、机、电、算相结合,融硬、软件于一体的数字波面剪切干涉仪,并通过实验验证了方法的重复性精度。     

Distributed Speech Recognition Systems and Some Key Factors Affecting It''''s Performance

1　IntroductionWiththerapiddevelopmentofInternetandmobilecommunications,theresearchonwirelessmobilenetworkshasbecomethenewhotspotinin formationtechnologyfield .Asweknow ,mobileterminals (mobilephone,forexample)arethetooltohelppeopletoaccessanyinformationtheyneedbyanymediaatanytimeandanywhere .However,itissometimesdifficultformobileterminalstoplaysucharolebecauseofthelimitationssuchaslimitedca pacity ,lowpower,andinconvenienceinoperating .So,peoplehopetofindanotherwaytoaccessnet workinformatio…     

一种新型谐振腔增强型光调制器结构的研究

提出了一种新型谐振腔增强型(RCE)光调制器结构,它由一个对称型谐振腔增强型光调制器和一个高反镜所构成.利用传输矩阵法对该器件的插入损耗及临界吸收厚度进行了模拟分析,并同传统谐振腔增强型光调制器的相关性能进行了比较.分析结果表明,这种结构解决了传统谐振腔增强型光调制器的临界吸收厚度与插入损耗之间相互制约的矛盾,可同时获得低临界吸收厚度和低插入损耗.     

基于过程能力指数的刀具寿命研究

利用Glejser检验方法拟舍出刀具磨损过程残差模型，在此基础上，计算换刀时刻的过程能力指数，并且根据企业所要求的最低过程能力指数，计算刀具的质量寿命，提出将刀具的切削寿命和质量寿命结合起来进行换刀决策的方法。     

套管液压式φ106mm密封加固系统研究

针对套管液压式φ100mm密封加固系统在实际应用中的缺点,开展了大通径密封加固技术专题研究.研制的套管液压式φ106mm密封加固器承压达30 MPa以上,悬挂力达到500kN以上,可下入φ100mm小直径分层管柱.现场应用见到了明显的效果,为提高小直径分采分注管柱寿命创造了条件.     

High-k材料MOS器件的PISCES-II模拟

High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。     

ULSI中的铜互连线RC延迟

随着ULSI向深亚微米特征尺寸发展，互连引线成为ULSI向更高性能发展的主要限制因素。由互连引线引起的串扰噪音及RC延迟限制了ULSI的频率性能的提高，同时考虑到电迁移和功率损耗，人们开始寻找新的互连材料；低电阻率的铜互连材料和低介电常数介质的结合可以有效地发送互连线的性能，主要讨论了互连延迟的重要性以及发送和计算延迟的方法。