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A new model for simulating temporal fluctuations in the power emitted by a semiconductor laser is described. Light in the cavity is assumed to circulate in the form of traveling photon packets, in which the photon number fluctuates due to the processes of spontaneous emission, stimulated emission, absorption, scattering, and reflection. The dipole dephasing time T plays a critical role in modeling the interaction of the photon packets and gain medium. The Monte Carlo method is used to simulate the temporal behavior of a continuously pumped Fabry-Perot laser. The laser output power is found to exhibit periodic fluctuations at the cavity transit time frequency (longitudinal mode beat frequency). The amplitude of these fluctuations, as well as the relaxation oscillation, which occurs at a much lower frequency, is strongly influenced by the magnitude of T . The results of these simulations are related to the temporal behavior expected from a conventional FP laser 相似文献
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本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。 相似文献
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Radiation of an electric dipole located along an arbitrary direction in the presence of a chiral slab is formulated using matrix analysis in conjunction with Fourier transform techniques. Moreover, dyadic Green's function of such a structure may be determined for further investigation porpose. 相似文献
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就用双辊铸轧机(TRC)生产薄、宽铸轧带技术进行研究并优化铸轧工艺。研究结果表明:3mm厚的铸轧带不仅表面变形.而且整个厚度内部层都发生变形,表面层的铝基中具有较高的合金元素饱和度。 相似文献
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Degradation Behaviors of Metal-Induced Laterally Crystallized n-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC Bias Stresses 总被引:1,自引:0,他引:1
Min Xue Mingxiang Wang Zhen Zhu Dongli Zhang Man Wong 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(2):225-232
Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low Vd-stress and in high Vd-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low Vd-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress 相似文献
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变异函数在进间砂体预测中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
应用变异函数探讨了砂体的定量预测问题。通过对北二东密井网试验区不同类型砂体,不同井网密和岩厚度的预测,检验了此方法的精度(为70%左右),在原方法的基础上,通过对预报精度的分析并结合精度地质研究进一步完善了该方法,提出二次建模法并应用于北二东西块聚驱井的砂岩厚度预测中,预测精度可提高5%以上,从而说明应用变异函数研究砂体的定量预测问题具有可借鉴性,可以为今后新井调整厚度的预测及砂体描述提供依据。 相似文献